[發(fā)明專利]倒裝發(fā)光二極管芯片及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010227110.7
• 申請日: 2020-03-27
• 公開（公告）號: CN111446341B
• 公開（公告）日: 2021-08-06
• 發(fā)明（設計）人: 蘭葉;黃磊;張威;吳志浩;李鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/44;H01L33/42;H01L33/48;H01L33/40
• 代理公司: 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11138
• 代理人: 呂耀萍

本公開提供了一種倒裝發(fā)光二極管芯片及其制作方法，屬于半導體技術(shù)領(lǐng)域。芯片包括襯底、N型半導體層、有源層、P型半導體層、透明導電層、透明絕緣層、反射電極、連接電極和DBR層；N型半導體層、有源層和P型半導體層依次層疊在襯底上，P型半導體層上設有凹槽和隔離槽；透明導電層和透明絕緣層依次層疊在P型半導體層上，透明絕緣層內(nèi)設有多個通孔；反射電極設置在多個通孔內(nèi)與透明導電層接觸，并鋪設在透明絕緣層上；連接電極設置在N型半導體層上；DBR層鋪設在凹槽和隔離槽的各個表面上；多個通孔包括多排第一通孔，同一排的第一通孔與凹槽的距離相同；在遠離凹槽的方向上，各排的第一通孔的橫截面面積之和逐漸增大，發(fā)光亮度提高。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種倒裝發(fā)光二極管芯片及其制作方法。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管(英文：Light Emitting Diode，簡稱：LED)是一種常用的發(fā)光器件，通過電子與空穴復合釋放能量發(fā)光，可以高效地將電能轉(zhuǎn)化為光能。LED的心臟是芯片，LED芯片的結(jié)構(gòu)包括正裝、倒裝和垂直。

相關(guān)技術(shù)中，倒裝LED芯片包括襯底、N型半導體層、有源層、P型半導體層、透明導電層、透明反射層、反射電極和連接電極。N型半導體層、有源層和P型半導體層依次層疊在襯底上，P型半導體層上設有延伸至N型半導體層的凹槽。透明導電層、透明反射層和反射電極依次層疊在P型半導體層上，透明反射層內(nèi)設有延伸至透明導電層的通孔，反射電極設置在通孔內(nèi)與透明導電層接觸，并鋪設在透明反射層上。連接電極設置在凹槽內(nèi)的N型半導體層上。

在實現(xiàn)本公開的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題：

車燈等應用場合對亮度的要求較高，目前倒裝結(jié)構(gòu)LED芯片的發(fā)光亮度無法滿足應用需要。

發(fā)明內(nèi)容

本公開實施例提供了一種倒裝發(fā)光二極管芯片及其制作方法，可以提高倒裝發(fā)光二極管芯片的發(fā)光亮度，滿足車燈等應用場合的需要。所述技術(shù)方案如下：

一方面，本公開實施例提供了一種倒裝發(fā)光二極管芯片，所述倒裝發(fā)光二極管芯片包括襯底、N型半導體層、有源層、P型半導體層、透明導電層、透明絕緣層、反射電極、連接電極和分布式布拉格反射層；

所述N型半導體層、所述有源層和所述P型半導體層依次層疊在所述襯底上，所述P型半導體層上設有延伸至所述N型半導體層的凹槽、以及延伸至所述襯底的隔離槽；所述透明導電層和所述透明絕緣層依次層疊在所述P型半導體層上，所述透明絕緣層內(nèi)設有多個延伸至所述透明導電層的通孔；所述反射電極設置在多個所述通孔內(nèi)與所述透明導電層接觸，并鋪設在所述透明絕緣層上；所述連接電極設置在所述凹槽內(nèi)的N型半導體層上；所述分布式布拉格反射層鋪設在所述凹槽和所述隔離槽的各個表面上；

多個所述通孔包括多排第一通孔，同一排的所述第一通孔與所述凹槽的距離相同；在遠離所述凹槽的方向上，各排的所述第一通孔的橫截面面積之和逐漸增大，所述第一通孔的橫截面為所述第一通孔垂直于所述第一通孔的延伸方向的截面。

可選地，在兩排相鄰的所述第一通孔中，遠離所述凹槽的一排所述第一通孔的橫截面面積之和，為靠近所述凹槽的一排所述第一通孔的橫截面面積之和的120％～140％。

可選地，所述多排第一通孔滿足以下條件中的至少一個：

在遠離所述凹槽的方向上，各個所述第一通孔的橫截面面積逐漸增大；

在遠離所述凹槽的方向上，各排的所述第一通孔的數(shù)量逐漸增多。

可選地，所述透明絕緣層的橫截面呈多邊形，所述透明絕緣層的橫截面為所述透明絕緣層垂直于所述通孔的延伸方向的截面；多個所述通孔還包括多個第二通孔，所述多個第二通孔位于所述多邊形的不同轉(zhuǎn)角處。