[發明專利]氣相二氧化硅的表面改性聯合處理方法

有效

• 申請號: 202010225669.6
• 申請日: 2020-03-26
• 公開（公告）號: CN111392735B
• 公開（公告）日: 2021-08-06
• 發明（設計）人: 段先健;吳春蕾;王躍林;許仕宇;王成剛
• 申請（專利權）人: 廣州匯富研究院有限公司;湖北匯富納米材料股份有限公司
• 主分類號: C01B33/18
• 分類號: C01B33/18;C01B33/14;B01J8/26;B01J8/18
• 代理公司: 廣州廣典知識產權代理事務所(普通合伙) 44365
• 代理人: 萬志香

1.氣相二氧化硅的表面改性聯合處理方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)采用兩組改性裝置聯合處理氣相二氧化硅，每組改性裝置均包含反應爐和氣體分離器；在每組改性裝置的反應爐中用改性劑對氣相二氧化硅進行改性，分別得兩組改性氣相二氧化硅和廢氣；

(2)將步驟(1)所得廢氣分別進行分離，得到未反應的改性劑和副產物，將所得副產物作為反應助劑輸入另一組改性裝置的反應爐中參與改性反應，將所得未反應的改性劑返回原改性裝置的反應爐中重復使用；

所述兩組改性裝置所使用的改性劑彼此不相同地選自有機氯硅烷、烷基硅氧烷、烷基硅氮烷、端羥基聚硅氧烷和環硅氧烷；其中，所述兩組改性裝置所使用的改性劑不均選自端羥基聚硅氧烷或環硅氧烷。

2.如權利要求1所述的表面改性聯合處理方法，其特征在于，所述有機氯硅烷的結構式為所述烷基硅氧烷的結構式為所述烷基硅氮烷的結構式為所述端羥基聚硅氧烷的結構式為所述環硅氧烷的結構式為

其中，

所述R¹、R³獨立地選自C1～C6烷基；

所述R²選自C1～C22烷基；

所述R⁴、R⁵獨立地選自C1～C6烷基、C2～C6烯基或苯基；

各R⁶、R⁷獨立地選自H、C1～C6烷基或C2～C6烯基；

m獨立地選自1～3的自然數，n選自3～30的自然數，o選自3～6的自然數。

3.如權利要求2所述的表面改性聯合處理方法，其特征在于，

所述R¹、R³獨立地選自甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、正戊基或正己基；

所述R²選自甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、正己基或C7～C16烷基；

所述R⁴、R⁵獨立地選自甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、己基、乙烯基、丙烯基或苯基；

各R⁶、R⁷獨立地選自H、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、己基、乙烯基、丙烯基、丁烯基或戊烯基；

m獨立地選自1、2或3，n選自3～20的自然數，o選自3、4、5或6。

4.如權利要求3所述的表面改性聯合處理方法，其特征在于，

所述有機氯硅烷選自二甲基二氯硅烷或三甲基氯硅烷；

所述烷基硅氧烷選自二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅烷或二乙基二乙氧基硅烷；

所述烷基硅氮烷選自六甲基二硅氮烷或四甲基二乙烯基二硅氮烷；

所述端羥基聚硅氧烷選自端羥基聚二甲基硅氧烷、端羥基聚甲基乙烯基硅氧烷或端羥基聚甲基苯基硅氧烷；

所述環硅氧烷選自六甲基環三硅氧烷、八甲基環四硅氧烷、十甲基環五硅氧烷或十二甲基環六硅氧烷。

5.如權利要求1所述的表面改性聯合處理方法，其特征在于，其中一組所述改性裝置所使用的改性劑為有機氯硅烷，另一組所述改性裝置所使用的改性劑為烷基硅氧烷、烷基硅氮烷、端羥基聚硅氧烷或環硅氧烷；

或，其中一組所述改性裝置所使用的改性劑為烷基硅氧烷，另一組所述改性裝置所使用的改性劑為烷基硅氮烷、端羥基聚硅氧烷或環硅氧烷；

或，其中一組所述改性裝置所使用的改性劑為烷基硅氮烷，另一組所述改性裝置所使用的改性劑為端羥基聚硅氧烷或環硅氧烷。

6.如權利要求1所述的表面改性聯合處理方法，其特征在于，

步驟(2)中分離所述廢氣的過程包括：將廢氣中的粉體和氣體進行一次分離，將一次分離所得粉體返回原改性裝置的反應爐中繼續進行改性反應，將一次分離所得氣體進行過濾，過濾所得氣體經氣體分離得到未反應的改性劑和副產物，過濾所得粉體返回進行一次分離。