[發明專利]一種靶材的加工工藝

有效

• 申請號: 202010225219.7
• 申請日: 2020-03-26
• 公開（公告）號: CN111299669B
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 姚力軍;潘杰;邊逸軍;王學澤;韓浙棟
• 申請（專利權）人: 寧波江豐電子材料股份有限公司
• 主分類號: B23C3/00
• 分類號: B23C3/00;B23P13/02
• 代理公司: 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659
• 代理人: 王巖

本發明涉及一種靶材的加工工藝，所述靶材為G8.5鉬靶材；所述工藝包括：依次進行精銑焊接面?半精銑濺射面?精銑濺射面?精銑外形?精銑R角。本發明中，通過合理安排加工工藝、選擇自制刀具、設置合理加工參數、冷卻方式，使得加工G8.5鉬靶平面度、平行度以及產品表面粗糙度達到半導體產品的要求。

技術領域

本發明涉及靶材加工領域，具體涉及一種靶材的加工工藝。

背景技術

G8.5鉬靶一種長方型金屬材料的液晶靶材，其長度比較長，厚度比較薄，材料硬度很高，加工時容易出現變形、振動及刀具磨損過快導致表面銑的很粗糙，使得產品的平面度、平行度以及產品表面粗超度不能達到半導體產品的要求。

靶材加工時受到刀具切削的力作用時，為使其不變形，在材料內部產生與之相對抗的內力，這兩種力大小相等方向相反所以在加工過程中達到一種平衡。當加工完成后靶材受到刀具切削力消失，內部的平衡被打破產品內部產生與之抗衡的內應力發生不規則的變化導致產品發生不規則的變形。CN102059582A公開了一種鉬靶材的加工方法，包括：提供鉬靶材；提供冷卻介質，所述冷卻介質包括乳化液和水；在切削加工的過程中，將所述冷卻介質均勻地噴射于被加工的鉬靶材表面和加工刀具表面；所述加工刀具轉速為2500～3000轉/分鐘，進給量為小于等于0.2毫米/次，進給速度為300～350毫米/分鐘。本發明提供的鉬靶材加工方法，可以改善加工效果，避免了鉬靶材在加工過程中出現裂縫或崩裂的問題。CN108642457A公開了一種高世代鉬靶材的生產方法，該生產方法包括：1、將兩種粒徑范圍不同的鉬粉在真空條件下混合，過篩后得到混合粉料；2、將混合粉料進行等靜壓處理；3、燒結處理；4、熱軋處理；5；真空退火；6、水切割、銑削加工、磨床加工。通過該方法得到的鉬靶材的長度可達3500mm以上，厚度≤30mm，寬度≤600mm，平面度小于0.08mm，鉬含量≥99.97％，該生產方法的生產效率高，所得高世代鉬靶材的致密度≥99.5％，鉬靶材內部組織無氣孔、裂紋、分層、夾雜等缺陷，其表面粗糙度＜0.6um，平均晶?！?0um，晶粒均勻，可作為G10.5代線平面顯示器生產的高純鉬靶；本發明提供的高世代鉬靶材的生產方法，制備方法簡單，生產成本較低，成品率高，有利于工業化生產。

發明內容

鑒于現有技術中存在的問題，本發明的目的在于提供一種靶材的加工工藝，通過合理安排加工工藝、選擇自制刀具、設置合理加工參數、冷卻方式，使得加工G8.5鉬靶平面度、平行度以及產品表面粗糙度達到半導體產品的要求。

為達此目的，本發明采用以下技術方案：

本發明提供了一種靶材的加工工藝，所述靶材為G8.5鉬靶材；所述工藝包括：依次進行精銑焊接面-半精銑濺射面-精銑濺射面-精銑外形-精銑R角。

通過合理安排加工工藝(采用吸盤裝夾方式，然后用250mm盤刀整體銑面的加工方法)、合理選擇刀具、設置合理加工參數、冷卻方式，使得加工G8.5鉬靶平面度、平行度以及產品表面粗糙度達到半導體產品的要求。

作為本發明優選的技術方案，所述精銑焊接面中的刀具包括250mm盤刀。

優選地，所述精銑焊接面中的主軸轉速為200-5000m/s，例如可以是200m/s、200m/s、500m/s、1000m/s、2000m/s、3000m/s、4000m/s或5000m/s等，但不限于所列舉的數值，該范圍內其他未列舉的數值同樣適用。

優選地，所述精銑焊接面中的進給量為100-1000mm/min，例如可以是100mm/min、200mm/min、300mm/min、400mm/min、500mm/min、600mm/min、700mm/min、800mm/min、900mm/min或1000mm/min等，但不限于所列舉的數值，該范圍內其他未列舉的數值同樣適用。