[發(fā)明專利]一種黑色膜層組件及其制備方法和電子設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010224945.7 | 申請日： | 2020-03-26 |
| 公開（公告）號： | CN113448003B | 公開（公告）日： | 2022-07-15 |
| 發(fā)明（設計）人： | 劉玉陽;許旭佳;王繼厚;馬蘭;胡威威 | 申請（專利權(quán)）人： | 比亞迪股份有限公司;韶關(guān)比亞迪電子有限公司 |
| 主分類號： | G02B5/00 | 分類號： | G02B5/00;C23C14/24;C23C14/10;C23C14/06;C23C14/14 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永強 |
| 地址： | 518118 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 黑色 組件 及其 制備 方法 電子設備 | ||
1.一種黑色膜層組件，其特征在于，包括基底以及設置在所述基底上的鍍膜層，所述鍍膜層包括交替層疊設置的金屬層和無機化合物層，所述金屬層為至少兩層，所述無機化合物層為至少兩層；所述基底具有相對設置的外表面和內(nèi)表面，所述鍍膜層設置在所述基底的外表面時，所述鍍膜層遠離所述基底一側(cè)的最外層為無機化合物層，和/或所述鍍膜層設置在所述基底的內(nèi)表面時，所述鍍膜層靠近所述基底一側(cè)的最外層為無機化合物層，所述無機化合物層的折射率小于1.75，所述金屬層的材質(zhì)為銦、錫或銦錫合金，所述無機化合物層的材質(zhì)包括二氧化硅和氟化鎂中的至少一種，所述黑色膜層組件的反射率小于5%，透過率小于1%。
2.如權(quán)利要求1所述的黑色膜層組件，其特征在于，所述金屬層的厚度小于或等于50nm。
3.如權(quán)利要求1所述的黑色膜層組件，其特征在于，所述無機化合物層的折射率小于1.5，所述無機化合物層的厚度為20nm-90nm。
4.如權(quán)利要求1所述的黑色膜層組件，其特征在于，所述金屬層為單層或多層堆疊結(jié)構(gòu)，所述無機化合物層為單層或多層堆疊結(jié)構(gòu)。
5.一種黑色膜層組件的制備方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底具有相對設置的外表面和內(nèi)表面，在所述基底的外表面和/或內(nèi)表面上交替制備金屬層和無機化合物層，制得鍍膜層，其中，所述金屬層為至少兩層，所述無機化合物層為至少兩層，所述鍍膜層設置在所述基底的外表面時，所述鍍膜層遠離所述基底一側(cè)的最外層為無機化合物層，和/或所述鍍膜層設置在所述基底的內(nèi)表面時，所述鍍膜層靠近所述基底一側(cè)的最外層為無機化合物層，所述無機化合物層的折射率小于1.75，所述金屬層的材質(zhì)為銦、錫或銦錫合金，所述無機化合物層的材質(zhì)包括二氧化硅和氟化鎂中的至少一種，所述黑色膜層組件的反射率小于5%，透過率小于1%。
6.如權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，制備所述金屬層包括：
采用真空蒸鍍工藝制備所述金屬層，所述真空蒸鍍工藝包括在70℃-110℃、真空度0.007Pa-0.012Pa下蒸鍍5min-20min。
7.如權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，制備所述無機化合物層包括：
采用真空蒸鍍制備所述無機化合物層，所述真空蒸鍍包括在70℃-110℃、真空度0.007Pa-0.012Pa、蒸發(fā)電流170mA-190mA下蒸鍍5min-50min。
8.一種電子設備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-4任一項所述的黑色膜層組件或如權(quán)利要求5-7任一項所述的制備方法制得的黑色膜層組件。
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