[發明專利]3D存儲器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202010221623.7
• 申請日: 2020-03-26
• 公開（公告）號: CN111508828A
• 公開（公告）日: 2020-08-07
• 發明（設計）人: 嚴孟;胡思平
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/18
• 分類號: H01L21/18;H01L21/768;H01L21/8239;H01L23/528;H01L27/105
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;岳丹丹

1.一種3D存儲器件制造方法，其中，包括：

形成第一晶片，包括第一襯底、位于所述第一襯底第一表面上的第一連接結構、以及沿所述第一襯底第一表面向下延伸且貫穿所述第一襯底部分區域的至少一個導電結構；以及

形成第二晶片，包括第二襯底以及位于第二襯底表面的第三連接結構；

所述第一晶片與第二晶片鍵合；

所述第一連接結構與所述第三連接結構電連接；

其中，所述導電結構與所述第一連接結構的位置相對應。

2.根據權利要求2所述的3D存儲器件制造方法，其中，形成所述第一連接結構的步驟包括：

在所述導電結構的上方形成與所述導電結構接觸的所述第一連接結構。

3.根據權利要求1所述的3D存儲器件制造方法，其中，在所述第一晶片和所述第二晶片鍵合之后，還包括：

將所述導電結構暴露形成貫穿所述第一襯底的導電通道，所述導電通道的一端暴露在所述第一襯底第二表面的外部，所述導電通道的另一端與所述第一連接結構接觸以實現電連接。

4.根據權利要求1所述的3D存儲器件制造方法，其中，還包括：在所述第一晶片中形成與所述第一連接結構電連接的第二連接結構，所述第二連接結構一端與所述第一連接結構連接，所述第二連接結構的另一端與所述第三連接結構連接。

5.根據權利要求3所述的3D存儲器件制造方法，其中，形成所述導電結構的步驟包括：

沿所述第一襯底第一表面向下延伸形成貫穿所述第一襯底部分區域的至少一個溝槽；

在所述凹槽中淀積膠層和/或阻擋層、金屬層以形成所述導電結構。

6.根據權利要求5所述的3D存儲器件制造方法，其中，形成所述導電通道的步驟包括：

將鍵合后的半導體結構翻轉后，沿所述第一襯底的第二表面減薄所述第一襯底，以使所述導電結構貫穿所述減薄處理后的第一襯底。

7.根據權利要求5所述的3D存儲器件制造方法，其中，形成所述凹槽的步驟包括：

在所述第一襯底第一表面上形成犧牲層；

在所述犧牲層上圖案化；以及

刻蝕以在所述第一襯底中形成至少一個所述凹槽。

8.根據權利要求1所述的3D存儲器件制造方法，其中，所述第一晶片為COMS電路或者存儲單元陣列，所述第二晶片為COMS電路或者存儲單元陣列。

9.一種3D存儲器件，其中，包括：

第一晶片，包括第一襯底、位于所述第一襯底第一表面上的第一連接結構、以及沿所述第一襯底第一表面向下延伸且貫穿所述第一襯底部分區域的至少一個導電結構；以及

與所述第一晶片鍵合的第二晶片，包括第二襯底以及位于第二襯底表面的第三連接結構；

所述第一連接結構與所述第三連接結構電連接；

其中，所述導電結構與所述第一連接結構的位置相對應。

10.根據權利要求9所述的3D存儲器件，其中，所述第一連接結構位于所述導電結構的上方且與所述導電結構接觸。

11.根據權利要求9所述的3D存儲器件，其中，暴露所述導電結構以作為貫穿所述第一襯底的導電通道，所述導電通道的一端暴露在所述第一襯底第二表面的外部，所述導電通道的另一端與所述第一連接結構接觸以實現電連接。

12.根據權利要求9所述的3D存儲器件，其中，還包括：

第二連接結構，位于在所述第一晶片中且與所述第一連接結構電連接，所述第二連接結構一端與所述第一連接結構連接，所述第二連接結構的另一端與所述第三連接結構連接。

13.根據權利要求9所述的3D存儲器件，其中，所述第一晶片為COMS電路或者存儲單元陣列，所述第二晶片為COMS電路或者存儲單元陣列。