[發明專利]高增益微波多普勒探測模塊

在審

• 申請號: 202010219469.X
• 申請日: 2020-03-25
• 公開（公告）號: CN111290036A
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發明（設計）人: 鄒高迪;鄒新
• 申請（專利權）人: 深圳邁睿智能科技有限公司
• 主分類號: G01V3/12
• 分類號: G01V3/12;H05B45/10
• 代理公司: 寧波理文知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 33244
• 代理人: 孟湘明

1.一高增益微波多普勒探測模塊，其特征在于，包括：

至少一對對偶耦合極子，其中一對所述對偶耦合極子包括一第一輻射源極和一第二輻射源極，其中所述第一輻射源極具有一第一饋電端并被設置為以所述第一饋電端為端延伸的導體，其中所述第二輻射源極具有一第二饋電端并被設置為所述第二饋電端為端延伸的導體，其中所述第一輻射源極和所述第二輻射源極分別適于在所述第一饋電端和所述第二饋電端被同一激勵信號饋源饋電，其中所述第一饋電端和所述第二饋電端在小于等于λ/32的距離范圍內相互靠近，其中λ為與該激勵信號饋源的饋電信號頻率相對應的波長參數，其中所述第一輻射源極被設置滿足自所述第一饋電端具有大于等于λ/16且小于等于λ的線長，其中所述第二輻射源極被設置滿足自所述第二饋電端具有大于等于λ/16且小于等于λ的線長，如此以當所述第一輻射源極和所述第二輻射源極分別于所述第一饋電端和所述第二饋電端被同一激勵信號饋源饋電時，所述第一輻射源極和所述第二輻射源極的電流和電位分布能夠以所述第一饋電端和所述第二饋電端的連線的中點呈對偶分布狀態，從而使得所述第一輻射源極自所述第一饋電端沿所述第一輻射源極對應耦合于所述第二輻射源極的自所述第二饋電端沿所述第二輻射源極的相應位置；和

一電磁反射面，其中所述對偶耦合極子于所述電磁反射面所對應的空間與所述電磁反射面相間隔地被設置，其中所述第一饋電端和所述第二饋電端的連線的中點與所述電磁反射面之間的距離滿足大于等于λ/32且小于等于λ/2，其中所述第一輻射源極的與所述第一饋電端相對的一端相對于所述第一饋電端靠近所述電磁反射面，所述第二輻射源極的與所述第二饋電端相對的一端相對于所述第二饋電端靠近所述電磁反射面，其中所述第一輻射源極和所述第二輻射源極在垂直于所述電磁反射面方向均具有大于等于λ/32且小于等于λ/4的尺寸。

2.根據權利要求1所述的高增益微波多普勒探測模塊，其中所述高增益微波多普勒探測模塊進一步包括一電路單元，其中所述電路單元包括一振蕩電路單元和一混頻檢波單元，其中所述混頻檢波單元被電性耦合于所述振蕩電路單元和所述對偶耦合極子，其中所述振蕩電路單元被設置允許被供電而于其饋極而輸出一饋電信號和于其地極被接地以作為一激勵信號饋源，其中所述第一輻射源極于所述第一饋電端被電性耦合于所述振蕩電路單元的饋極，其中所述第二輻射源極于所述第二饋電端被電性連接于所述振蕩電路單元的地極，如此以當所述振蕩電路單元被供電時，所述第一輻射源極和所述第二輻射源極分別于所述第一饋電端和所述第二饋電端被所述振蕩電路單元同源饋電。

3.根據權利要求2所述的高增益微波多普勒探測模塊，其中所述電磁反射面阻隔于所述對偶耦合極子和所述電路單元之間。

4.根據權利要求3所述的高增益微波多普勒探測模塊，其中所述高增益微波多普勒探測模塊進一步包括一電路基板，其中所述電磁反射面和所述電路單元于所述電路基板的兩相對面被承載于所述電路基板。

5.根據權利要求4所述的高增益微波多普勒探測模塊，其中所述高增益微波多普勒探測模塊進一步包括一第一饋電線和一第二饋電線，其中所述第一輻射源極于所述第一饋電端經所述第一饋電線被電性耦合于所述振蕩電路單元的饋極，其中所述第二輻射源極于所述第二饋電端經所述第二饋電線被電性連接于所述振蕩電路單元的地極。

6.根據權利要求5所述的高增益微波多普勒探測模塊，其中所述第一饋電線自所述第一饋電端一體延伸于所述第一輻射源極，所述第二饋電線自所述第二饋電端一體延伸于所述第二輻射源極。

7.根據權利要求6所述的高增益微波多普勒探測模塊，其中所述第一饋電線和所述第二饋電線為相互平行的柱狀直導電線。

8.根據權利要求6所述的高增益微波多普勒探測模塊，其中所述第一饋電線具有一第一饋電段和在偏離于所述第一饋電段的方向一體延伸于所述第一饋電段一第一耦合段，其中所述第二饋電線具有一第二饋電段和在偏離于所述第二饋電段的方向一體延伸于所述第二饋電段的一第二耦合段，其中所述第一饋電段和所述第二饋電段為相互平行的柱狀直導電線并分別自所述第一饋電端和所述第二饋電端延伸。