[發明專利]高增益微波多普勒探測模塊

在審

• 申請號: 202010219469.X
• 申請日: 2020-03-25
• 公開（公告）號: CN111290036A
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發明（設計）人: 鄒高迪;鄒新
• 申請（專利權）人: 深圳邁睿智能科技有限公司
• 主分類號: G01V3/12
• 分類號: G01V3/12;H05B45/10
• 代理公司: 寧波理文知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 33244
• 代理人: 孟湘明

本發明提供一種高增益微波多普勒探測模塊，其中所述高增益微波多普勒探測模塊包括一電磁反射面和與所述電磁反射面相間隔地被設置的至少一對對偶耦合極子，其中一對所述對偶耦合極子具有一第一饋電端和一第二饋電端并自兩所述饋電端分別延伸有一第一輻射源極和一第二輻射源極，其中所述第一饋電端和所述第二饋電端相互靠近，并當所述第一輻射源極和所述第二輻射源極分別于相應所述饋電端被同一激勵信號饋源饋電時，所述第一輻射源極和所述第二輻射源極的電流與電位分布能夠以所述第一饋電端和所述第二饋電端的連線的中點呈對偶分布狀態而以對偶方式耦合，降低了對所述高增益微波多普勒探測模塊的尺寸要求，并能夠避免形成探測死區。

技術領域

本發明涉及微波多普勒探測領域，尤其涉及一種高增益微波多普勒探測模塊。

背景技術

基于多普勒效應原理的微波探測技術作為人與物，物與物之間相聯的重要樞紐在行為探測和存在探測技術中具有獨特的優勢，其能夠在不侵犯人隱私的情況下，探測出活動物體，因而具有廣泛的應用前景。

現有的微波探測模塊依輻射源的結構主要分為柱狀輻射源結構的微波探測模塊和平板輻射源結構的微波探測模塊，具體地，參考本發明的說明書附圖之圖1A和圖1B所示，現有的柱狀輻射源結構的微波探測模塊10P和平板輻射源結構的微波探測模塊20P的結構原理分別被示意，其中該柱狀輻射源結構的微波探測模塊10P包括一柱狀輻射源11P和一參考地面12P，其中該參考地面12P被設置有一輻射孔121P，其中該柱狀輻射源11P經該輻射孔121P垂直穿透該參考地面12P而于該輻射孔121P與該參考地面12P之間形成有一輻射縫隙1211P，如此則在該柱狀輻射源11P被饋電時，該柱狀輻射源11P能夠與該參考地面12P耦合而自該輻射縫隙1211P以該柱狀輻射源11P為中心軸形成一輻射空間100P，其中該輻射空間100P為該柱狀輻射源結構的微波探測模塊10P輻射的電磁波的覆蓋范圍，其中該輻射空間100P于其中心軸分別向該柱狀輻射源11P的兩端內凹而具有輻射死區。參考圖1B所示的該平板輻射源結構的微波探測模塊20P的結構原理，其中該平板輻射源結構的微波探測模塊20P包括一平板輻射源21P和一參考地面22P，其中該平板輻射源21P與該參考地面22P相互平行地被間隔設置而于該平板輻射源21P和該參考地面22P之間形成有一輻射縫隙23P，如此則在該平板輻射源21P被饋電時，該平板輻射源21P能夠與該參考地面22P耦合而自該輻射縫隙23P以垂直于該平板輻射源21P的物理中心點的軸線為中心軸形成一輻射空間。可以理解的是，該柱狀輻射源結構的微波探測模塊10P由于輻射死區的存在，在實際使用中，如在垂直探測應用中，當將該柱狀輻射源結構的微波探測模塊10P安裝于吊頂、天花板以及棚頂等垂直方向應用于垂直向下的探測時，該柱狀輻射源結構的微波探測模塊10P安裝位通常被降低以減小或避免相應輻射空間的輻射死區在該微波探測模塊和地面之間的空間形成的探測死區。也就是說，由于該柱狀輻射源結構的微波探測模塊10P存在輻射死區，該柱狀輻射源結構的微波探測模塊10P在實際使用中的探測距離遠小于相應輻射空間在該中心軸方向的最大尺寸，即現有的該柱狀輻射源結構的微波探測模塊10P在實際使用中的探測距離遠小于與其增益大小相匹配的探測距離，而現有的該柱狀輻射源結構的微波探測模塊10P的增益較低，一般在2dB左右，如此則進一步限制了現有的該柱狀輻射源結構的微波探測模塊10P在微波多普勒探測領域的應用。