[發明專利]半導體存儲器的訓練方法及相關設備

有效

• 申請號: 202010219422.3
• 申請日: 2020-03-25
• 公開（公告）號: CN113450852B
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 龍光騰;許小峰;連軍委
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G11C11/34
• 分類號: G11C11/34;G11C11/4072
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 袁禮君;孫寶海

本公開關于一種半導體存儲器的訓練方法及相關設備。該方法包括：從多個參考電壓中選取相鄰的兩個參考電壓作為第一參考電壓和第二參考電壓；根據每根目標信號線在第一參考電壓下的最小時延值，獲得多根目標信號線在第一參考電壓下的第一最小時延值；根據每根目標信號線在第二參考電壓下的最小時延值，獲得多根目標信號線在第二參考電壓下的第二最小時延值；根據第一最小時延值和第二最小時延值，確定期望時延值所在目標區間，期望時延值為多個參考電壓下多根目標信號線的最小時延值中的最大值；在目標區間內查找期望時延值，以確定期望時延值對應的參考電壓作為半導體存儲器的訓練結果。

技術領域

本公開涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種半導體存儲器的訓練方法、半導體存儲器的訓練裝置、電子設備和計算機可讀存儲介質。

背景技術

當前的半導體存儲器均需要通過訓練方能滿足正常工作要求，而半導體存儲器訓練是系統啟動階段必不可少的環節，并且半導體存儲器需要訓練的種類比較多，例如CATraining(Command Address Training指令地址訓練)、Write Training(寫訓練)等。

而每種訓練均需要在一定的電壓范圍內找出最大可工作范圍的時延(margin)，訓練的快慢決定了系統啟動的快慢。

需要說明的是，在上述背景技術部分公開的信息僅用于加強對本公開的背景的理解，因此可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。

發明內容

本公開的目的在于克服上述現有技術的不足，提供一種半導體存儲器的訓練方法及裝置、電子設備和計算機可讀存儲介質，可以減少半導體存儲器的訓練時間。

根據本公開的一個方面，提供一種半導體存儲器的訓練方法，所述半導體存儲器包括多根目標信號線，每根目標信號線在目標電壓參考范圍內具有多個參考電壓；其中，所述方法包括：從所述多個參考電壓中選取相鄰的兩個參考電壓作為第一參考電壓和第二參考電壓；根據每根目標信號線在所述第一參考電壓下的最小時延值，獲得所述多根目標信號線在所述第一參考電壓下的第一最小時延值；根據每根目標信號線在所述第二參考電壓下的最小時延值，獲得所述多根目標信號線在所述第二參考電壓下的第二最小時延值；根據所述第一最小時延值和所述第二最小時延值，確定期望時延值所在目標區間，所述期望時延值為所述多個參考電壓下所述多根目標信號線的最小時延值中的最大值；在所述目標區間內查找所述期望時延值，以確定所述期望時延值對應的參考電壓作為所述半導體存儲器的訓練結果。

根據本公開的一個方面，提供一種半導體存儲器的訓練裝置，所述半導體存儲器包括多根目標信號線，每根目標信號線在目標電壓參考范圍內具有多個參考電壓；其中，所述裝置包括：參考電壓選取單元，用于從所述多個參考電壓中選取相鄰的兩個參考電壓作為第一參考電壓和第二參考電壓；第一時延獲得單元，用于根據每根目標信號線在所述第一參考電壓下的最小時延值，獲得所述多根目標信號線在所述第一參考電壓下的第一最小時延值；第二時延獲得單元，用于根據每根目標信號線在所述第二參考電壓下的最小時延值，獲得所述多根目標信號線在所述第二參考電壓下的第二最小時延值；目標區間確定單元，用于根據所述第一最小時延值和所述第二最小時延值，確定期望時延值所在目標區間，所述期望時延值為所述多個參考電壓下所述多根目標信號線的最小時延值中的最大時延值；期望時延查找單元，用于在所述目標區間內查找所述期望時延值，以確定所述期望時延值對應的參考電壓作為所述半導體存儲器的訓練結果。

根據本公開的一個方面，提供一種電子設備，包括：一個或多個處理器；存儲裝置，用于存儲一個或多個程序；當所述一個或多個程序被所述一個或多個處理器執行，使得所述一個或多個處理器實現本公開提供的任一實施例所述的方法。

根據本公開的一個方面，提供一種計算機可讀介質，其上存儲有計算機程序，所述程序被處理器執行時實現本公開提供的任一實施例所述的方法。