[發明專利]半導體存儲器的訓練方法及相關設備

有效

• 申請號: 202010219422.3
• 申請日: 2020-03-25
• 公開（公告）號: CN113450852B
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 龍光騰;許小峰;連軍委
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: G11C11/34
• 分類號: G11C11/34;G11C11/4072
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 袁禮君;孫寶海

1.一種半導體存儲器的訓練方法，其特征在于，所述半導體存儲器包括多根目標信號線，每根目標信號線在目標電壓參考范圍內具有多個參考電壓；其中，所述方法包括：

從所述多個參考電壓中選取相鄰的兩個參考電壓作為第一參考電壓和第二參考電壓；

根據每根目標信號線在所述第一參考電壓下的最小時延值，獲得所述多根目標信號線在所述第一參考電壓下的第一最小時延值；所述第一最小時延值為所述多根目標信號線分別在所述第一參考電壓下的最小時延值之中的最小值；

根據每根目標信號線在所述第二參考電壓下的最小時延值，獲得所述多根目標信號線在所述第二參考電壓下的第二最小時延值；所述第二最小時延值為所述多根目標信號線分別在所述第二參考電壓下的最小時延值之中的最小值；

根據所述第一最小時延值和所述第二最小時延值，確定期望時延值所在目標區間，所述期望時延值為所述多個參考電壓下所述多根目標信號線的最小時延值中的最大值；

在所述目標區間內查找所述期望時延值，以確定所述期望時延值對應的參考電壓作為所述半導體存儲器的訓練結果。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器的訓練方法，其特征在于，所述多根目標信號線包括第一目標信號線；其中，獲得所述多根目標信號線在所述第一參考電壓下的第一最小時延值，包括：

獲取所述第一目標信號線在所述第一參考電壓下的初始時延范圍；

在所述初始時延范圍內，按照第一步長獲得所述第一目標信號線在所述第一參考電壓下的第一待測試時延值；

在所述第一參考電壓下，若首次查找到相鄰兩個第一待測試時延值下所述第一目標信號線的測試結果不一致，則根據第二步長在首次查找的所述相鄰兩個第一待測試時延值之間查找所述第一目標信號線在所述第一參考電壓下的最小時延值；

其中所述第一步長大于所述第二步長。

3.根據權利要求2所述的半導體存儲器的訓練方法，其特征在于，獲得所述多根目標信號線在所述第一參考電壓下的第一最小時延值，還包括：

在所述第一參考電壓下，向所述半導體存儲器寫入數據；

在所述第一參考電壓下，在所述第一待測試時延值后，從所述半導體存儲器讀取數據；

若所述寫入數據與所述讀取數據一致，則判定在所述第一參考電壓下的所述第一待測試時延值下，所述第一目標信號線的測試結果為正常工作；

若所述寫入數據與所述讀取數據不一致，則判定在所述第一參考電壓下的所述第一待測試時延值下，所述第一目標信號線的測試結果為非正常工作。

4.根據權利要求2所述的半導體存儲器的訓練方法，其特征在于，根據第二步長在首次查找的所述相鄰兩個第一待測試時延值之間查找所述第一目標信號線在所述第一參考電壓下的最小時延值，包括：

從首次查找的所述相鄰兩個第一待測試時延值中的位于第一側的第一待測試時延值開始，按照所述第二步長獲得所述第一目標信號線在所述第一參考電壓下的第二待測試時延值；

在所述第一參考電壓下，若首次查找到相鄰兩個第二待測試時延值下所述第一目標信號線的測試結果不一致，則將首次查找的所述相鄰兩個第二待測試時延值中的位于第二側的第二待測試時延值作為所述第一目標信號線在所述第一參考電壓下的最小時延值。

5.根據權利要求2所述的半導體存儲器的訓練方法，其特征在于，根據第二步長在首次查找的所述相鄰兩個第一待測試時延值之間查找所述第一目標信號線在所述第一參考電壓下的最小時延值，包括：

從首次查找的所述相鄰兩個第一待測試時延值中的位于第二側的第一待測試時延值開始，按照所述第二步長獲得所述第一目標信號線在所述第一參考電壓下的第二待測試時延值；

在所述第一參考電壓下，若首次查找到相鄰兩個第二待測試時延值下所述第一目標信號線的測試結果不一致，則將首次查找的所述相鄰兩個第二待測試時延值中的位于第一側的第二待測試時延值作為所述第一目標信號線在所述第一參考電壓下的最小時延值。