[發明專利]一種高溫尺寸穩定導熱聚酰亞胺薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 202010219309.5
• 申請日: 2020-03-25
• 公開（公告）號: CN111253601B
• 公開（公告）日: 2022-10-14
• 發明（設計）人: 方曉棟;宋麗英
• 申請（專利權）人: 太湖方舟新材料科技有限公司
• 主分類號: C08J5/18
• 分類號: C08J5/18;C08G73/10;C08K13/06;C08K3/38;C08K3/36;C08K9/06;C08L79/08
• 代理公司: 合肥市長遠專利代理事務所(普通合伙) 34119
• 代理人: 劉勇

本發明公開了一種高溫尺寸穩定導熱聚酰亞胺薄膜的制備方法，包括如下步驟：在惰性氣體氛圍中，向芳香型二胺溶液中加入填料混勻，然后加入芳香型二酐，進行反應，然后加入八(氨基苯基三氧硅烷)溶液，繼續反應得到中間物料；取中間物料脫泡并涂布于基板表面，烘干，亞胺化，脫膜得到高溫尺寸穩定導熱聚酰亞胺薄膜，其中，填料為改性納米氮化硼和改性納米二氧化硅。本發明還公開了一種高溫尺寸穩定導熱聚酰亞胺薄膜，按照上述高溫尺寸穩定導熱聚酰亞胺薄膜的制備方法制得。本發明導熱性好，高溫時尺寸穩定。

技術領域

本發明涉及聚酰亞胺薄膜技術領域，尤其涉及一種高溫尺寸穩定導熱聚酰亞胺薄膜及其制備方法。

背景技術

聚酰亞胺(PI)薄膜具有良好的耐高溫、高強度、低介電等性能，廣泛應用于電子、電氣絕緣基材等方面。

隨著電子信息技術的飛速發展，電子器件和集成電器的尺寸不斷縮小，運行速度越來越快，從而散發出大量的熱量。而熱量的積聚會嚴重影響電子器件和電路運行的穩定性，甚至會帶來安全隱患。

而常規用作電子電路絕緣基材的聚酰亞胺薄膜，其導熱系數一般均低于0.2Wm^-1K^-1，所制備器件散熱效果不理想，長期處于高溫狀態，也會影響聚酰亞胺薄膜的尺寸穩定性。

發明內容

基于背景技術存在的技術問題，本發明提出了一種高溫尺寸穩定導熱聚酰亞胺薄膜及其制備方法，本發明導熱性好，高溫時尺寸穩定。

本發明提出的一種高溫尺寸穩定導熱聚酰亞胺薄膜的制備方法，包括如下步驟：在惰性氣體氛圍中，向芳香型二胺溶液中加入填料混勻，然后加入芳香型二酐，進行反應，然后加入八(氨基苯基三氧硅烷)溶液，繼續反應得到中間物料；取中間物料脫泡并涂布于基板表面，烘干，亞胺化，脫膜得到高溫尺寸穩定導熱聚酰亞胺薄膜，其中，填料為改性納米氮化硼和改性納米二氧化硅。

優選地，芳香型二胺為4,4'-二氨基二苯醚、對苯二胺、3,4'-二氨基二苯醚中的至少一種。

優選地，芳香型二酐為3,3',4,4'-聯苯四甲酸二酐。

優選地，高溫尺寸穩定導熱聚酰亞胺薄膜中，填料的終含量為15-20wt％。

優選地，改性納米氮化硼和改性納米二氧化硅的重量比為8-9:1。

優選地，改性納米氮化硼、改性納米二氧化硅均是經3-氨基丙基三乙氧基硅烷改性制得。

優選地，改性納米氮化硼的粒徑為20-25nm。

優選地，改性納米二氧化硅的粒徑為10-15nm。

優選地，反應溫度為40-60℃。

優選地，加入芳香型二酐，進行反應4-5h，然后加入八(氨基苯基三氧硅烷)溶液，繼續反應1-1.5h。

優選地，烘干溫度為110-130℃。

優選地，亞胺化的程序為：于240-260℃保溫30-50min，再于320-340℃保溫20-40min。

優選地，芳香型二胺、芳香型二酐和八(氨基苯基三氧硅烷)的摩爾比為1:0.9-0.95:0.01-0.02。

優選地，中間物料的固含量為15-25wt％。

優選地，芳香型二胺溶液的溶劑為N,N-二甲基乙酰胺或N-甲基吡咯烷酮。

優選地，八(氨基苯基三氧硅烷)溶液的溶劑為四氫呋喃。

本發明還提出一種高溫尺寸穩定導熱聚酰亞胺薄膜，按照上述高溫尺寸穩定導熱聚酰亞胺薄膜的制備方法制得。