[發明專利]一種高溫尺寸穩定導熱聚酰亞胺薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 202010219309.5
• 申請日: 2020-03-25
• 公開（公告）號: CN111253601B
• 公開（公告）日: 2022-10-14
• 發明（設計）人: 方曉棟;宋麗英
• 申請（專利權）人: 太湖方舟新材料科技有限公司
• 主分類號: C08J5/18
• 分類號: C08J5/18;C08G73/10;C08K13/06;C08K3/38;C08K3/36;C08K9/06;C08L79/08
• 代理公司: 合肥市長遠專利代理事務所(普通合伙) 34119
• 代理人: 劉勇

1.一種高溫尺寸穩定導熱聚酰亞胺薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：在惰性氣體氛圍中，向芳香型二胺溶液中加入填料混勻，然后加入芳香型二酐，進行反應，然后加入八（氨基苯基三氧硅烷）溶液，繼續反應得到中間物料；取中間物料脫泡并涂布于基板表面，烘干，亞胺化，脫膜得到高溫尺寸穩定導熱聚酰亞胺薄膜，其中，填料為改性納米氮化硼和改性納米二氧化硅；高溫尺寸穩定導熱聚酰亞胺薄膜中，填料的終含量為15-20wt%；改性納米氮化硼和改性納米二氧化硅的重量比為8-9:1；改性納米氮化硼、改性納米二氧化硅均是經3-氨基丙基三乙氧基硅烷改性制得。

2.根據權利要求1所述高溫尺寸穩定導熱聚酰亞胺薄膜的制備方法，其特征在于，芳香型二胺為4,4'-二氨基二苯醚、對苯二胺、3,4' -二氨基二苯醚中的至少一種；芳香型二酐為3,3',4,4'-聯苯四甲酸二酐。

3.根據權利要求1所述高溫尺寸穩定導熱聚酰亞胺薄膜的制備方法，其特征在于，改性納米氮化硼的粒徑為20-25nm；改性納米二氧化硅的粒徑為10-15nm。

4.根據權利要求1所述高溫尺寸穩定導熱聚酰亞胺薄膜的制備方法，其特征在于，反應溫度為40-60℃；加入芳香型二酐，進行反應4-5h，然后加入八（氨基苯基三氧硅烷）溶液，繼續反應1-1.5h。

5.根據權利要求1所述高溫尺寸穩定導熱聚酰亞胺薄膜的制備方法，其特征在于，烘干溫度為110-130℃；亞胺化的程序為：于240-260℃保溫30-50min，再于320-340℃保溫20-40min。

6.根據權利要求1所述高溫尺寸穩定導熱聚酰亞胺薄膜的制備方法，其特征在于，芳香型二胺、芳香型二酐和八（氨基苯基三氧硅烷）的摩爾比為1:0.9-0.95:0.01-0.02；中間物料的固含量為15-25wt%。

7.根據權利要求1所述高溫尺寸穩定導熱聚酰亞胺薄膜的制備方法，其特征在于，芳香型二胺溶液的溶劑為N,N-二甲基乙酰胺或N-甲基吡咯烷酮；八（氨基苯基三氧硅烷）溶液的溶劑為四氫呋喃。

8.一種高溫尺寸穩定導熱聚酰亞胺薄膜，其特征在于，按照權利要求1-7任一項所述高溫尺寸穩定導熱聚酰亞胺薄膜的制備方法制得。