[發(fā)明專利]薄膜晶體管基板和顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010218825.6 | 申請日: | 2020-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN111739894A | 公開(公告)日: | 2020-10-02 |
| 發(fā)明(設計)人: | 阮成進;姜美在;李镕守;崔相虔 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 張燕;王珍仙 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 顯示裝置 | ||
薄膜晶體管基板包括:基板;布置在基板上的第一電極;布置在基板上并且具有相對于基板以一定角度傾斜的傾斜表面的堤;布置在堤上的第二電極;電連接到第一電極和第二電極的有源圖案,有源圖案被布置在傾斜表面上,并且包括其中摻雜了雜質的第一導電區(qū)和第二導電區(qū)以及在第一導電區(qū)與第二導電區(qū)之間的溝道區(qū);以及與有源圖案的溝道區(qū)的至少一部分重疊的柵電極。在平面圖中,傾斜表面在第一方向上延伸。第一導電區(qū)、溝道區(qū)和第二導電區(qū)沿著與第一方向交叉的第二方向被順序地布置在傾斜表面上。本申請還公開了包括上述薄膜晶體管基板的顯示裝置。
技術領域
本發(fā)明構思的示例性實施方式涉及薄膜晶體管基板、具有薄膜晶體管基板的顯示裝置以及制造薄膜晶體管基板的方法。更具體地,本發(fā)明構思的示例性實施方式涉及具有改善的空間利用率的薄膜晶體管基板、具有改善的柔性的薄膜晶體管基板的顯示裝置以及制造薄膜晶體管基板的方法。
背景技術
近來,已經制造出具有輕的重量和小的尺寸的顯示裝置。陰極射線管(CRT)顯示裝置由于其性能和有競爭力的價格已經被使用了數(shù)十年。然而,CRT顯示裝置因其尺寸和可攜帶性而具有缺點。因此,諸如等離子體顯示裝置、液晶顯示裝置和有機發(fā)光顯示裝置的平板顯示裝置由于其小的尺寸、輕的重量和低功耗已經受到高度重視。
為了改善顯示裝置的顯示質量,已經進行了提高顯示裝置的分辨率的努力。然而,由于減小了由一個像素占用的區(qū)域,因此減小了用于放置薄膜晶體管的空間。
近年來,已經積極開展研究以開發(fā)柔性顯示裝置,柔性顯示裝置能夠折疊屏幕以增強可攜帶性并在使用該柔性顯示裝置時能夠展開屏幕。存在使柔性顯示裝置的厚度比傳統(tǒng)顯示裝置的厚度薄以賦予并增加柔性的需求。
發(fā)明內容
本發(fā)明構思的一個或多個示例性實施方式提供了一種具有改善的空間利用率的薄膜晶體管的薄膜晶體管基板。
本發(fā)明構思的一個或多個示例性實施方式還提供了一種具有包括柔性區(qū)域的薄膜晶體管基板的顯示裝置。
本發(fā)明構思的一個或多個示例性實施方式還提供了一種制造薄膜晶體管基板的方法。
根據本發(fā)明構思的示例性實施方式,薄膜晶體管基板包括:基板;布置在基板上的第一電極;布置在基板上并且具有相對于基板以一定角度傾斜的傾斜表面的堤;布置在堤上的第二電極;電連接到第一電極和第二電極的有源圖案,有源圖案被布置在傾斜表面上,并且包括其中摻雜了雜質的第一導電區(qū)和第二導電區(qū)以及在第一導電區(qū)與第二導電區(qū)之間的溝道區(qū);以及與有源圖案的溝道區(qū)的至少一部分重疊的柵電極。在平面圖中,傾斜表面在第一方向上延伸。第一導電區(qū)、溝道區(qū)和第二導電區(qū)沿著與第一方向交叉的第二方向被順序地布置在傾斜表面上。
在示例性實施方式中,有源圖案的溝道區(qū)可以形成在傾斜表面上。
在示例性實施方式中,第一電極與第二電極之間的高度差可以不超過200μm(微米)。
在示例性實施方式中,第一導電區(qū)可以具有與第一電極重疊的第一部分以及連接到第一部分并且與傾斜表面的與第一電極相鄰的一部分重疊的第二部分。
在示例性實施方式中,有源圖案可以在傾斜表面上具有S形。
根據本發(fā)明構思的示例性實施方式,顯示裝置包括:基板;布置在基板上并且具有相對于基板以第一角度傾斜的第一傾斜表面的第一堤;包括第一電極、第二電極、第一有源圖案和柵電極的第一薄膜晶體管;以及電連接到第一薄膜晶體管的發(fā)光結構。第一電極被布置在基板上,并且第二電極被布置在第一堤上。第一有源圖案電連接到第一電極和第二電極并且被布置在第一傾斜表面上。第一有源圖案包括其中摻雜了雜質的第一導電區(qū)和第二導電區(qū)以及在第一導電區(qū)與第二導電區(qū)之間的溝道區(qū),并且柵電極與第一有源圖案的溝道區(qū)重疊。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





