[發明專利]薄膜晶體管基板和顯示裝置在審
| 申請號: | 202010218825.6 | 申請日: | 2020-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN111739894A | 公開(公告)日: | 2020-10-02 |
| 發明(設計)人: | 阮成進;姜美在;李镕守;崔相虔 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 張燕;王珍仙 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 顯示裝置 | ||
1.一種薄膜晶體管基板,包括:
基板;
布置在所述基板上的第一電極;
布置在所述基板上并且具有相對于所述基板以一定角度傾斜的傾斜表面的堤;
布置在所述堤上的第二電極;
電連接到所述第一電極和所述第二電極的有源圖案,所述有源圖案被布置在所述傾斜表面上,并且包括其中摻雜了雜質的第一導電區和第二導電區以及在所述第一導電區與所述第二導電區之間的溝道區;以及
與所述有源圖案的所述溝道區的至少一部分重疊的柵電極,
其中在平面圖中,所述傾斜表面在第一方向上延伸,
其中所述第一導電區、所述溝道區和所述第二導電區沿著與所述第一方向交叉的第二方向被順序地布置在所述傾斜表面上。
2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板,其中,所述有源圖案的所述溝道區形成在所述傾斜表面上。
3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管基板,其中,所述第一電極與所述第二電極之間的高度差不超過200μm。
4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板,其中,所述第一導電區具有與所述第一電極重疊的第一部分以及連接到所述第一部分并且與所述傾斜表面的與所述第一電極相鄰的一部分重疊的第二部分。
5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板,其中,所述有源圖案在所述傾斜表面上具有S形。
6.一種顯示裝置,包括:
基板;
布置在所述基板上并且具有相對于所述基板以第一角度傾斜的第一傾斜表面的第一堤;
包括第一電極、第二電極、第一有源圖案和柵電極的第一薄膜晶體管;以及
電連接到所述第一薄膜晶體管的發光結構,
其中所述第一電極被布置在所述基板上,并且所述第二電極被布置在所述第一堤上,
其中所述第一有源圖案電連接到所述第一電極和所述第二電極并且被布置在所述第一傾斜表面上,并且
其中所述第一有源圖案包括其中摻雜了雜質的第一導電區和第二導電區以及在所述第一導電區與所述第二導電區之間的溝道區,并且所述柵電極與所述第一有源圖案的所述溝道區重疊。
7.根據權利要求6所述的顯示裝置,其中,在平面圖中,所述第一傾斜表面在第一方向上延伸,
其中所述第一導電區、所述溝道區和所述第二導電區沿著與所述第一方向交叉的第二方向被順序地布置在所述第一傾斜表面上,并且
其中所述基板包括第一加強區域和第二加強區域以及可彎曲并且被布置在所述第一加強區域與所述第二加強區域之間的柔性區域。
8.根據權利要求6所述的顯示裝置,其中,所述第一電極與所述第二電極之間的高度差不超過200μm。
9.根據權利要求6所述的顯示裝置,其中,所述第一導電區具有與所述第一電極重疊的第一部分以及連接到所述第一部分并且與所述第一傾斜表面的與所述第一電極相鄰的一部分重疊的第二部分。
10.根據權利要求6所述的顯示裝置,進一步包括:
在第一方向上與所述第一堤間隔開的第二堤;以及
包括第二有源圖案的第二薄膜晶體管,
其中所述第二堤包括相對于所述基板以第二角度傾斜的第二傾斜表面,并且
其中所述第二薄膜晶體管的所述第二有源圖案被布置在所述第二堤的所述第二傾斜表面上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





