[發明專利]基片處理方法和基片處理裝置在審

申請號：	202010218557.8	申請日：	2020-03-25
公開（公告）號：	CN111799151A	公開（公告）日：	2020-10-20
發明（設計）人：	中澤貴士;筱原和義	申請（專利權）人：	東京毅力科創株式會社
主分類號：	H01L21/02	分類號：	H01L21/02;H01L21/67
代理公司：	北京尚誠知識產權代理有限公司 11322	代理人：	龍淳;劉芃茜
地址：	日本***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：
搜索關鍵詞：	處理方法裝置
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【說明書】：

本發明提供基片處理方法和基片處理裝置。本發明的基片處理方法包括保持步驟、事先加熱步驟、釋放步驟和移動步驟。保持步驟保持基片。事先加熱步驟加熱相反面的中央部，該相反面是基片的與被處理面相反一側的面。釋放步驟在事先加熱步驟后，對被處理面的周緣部釋放作為硫酸和過氧化氫的混合液的SPM。移動步驟在釋放步驟后，使SPM的釋放位置從被處理面的周緣部向中央部移動。本發明能夠在使用SPM的基片處理中抑制偏差。

技術領域

本發明涉及基片處理方法和基片處理裝置。

背景技術

一直以來，已知有使用作為硫酸和過氧化氫的混合液對SPM，對半導體晶片、玻璃基片等基片進行處理的技術(參照專利文獻1)。依照該技術，能夠利用因硫酸和過氧化氫的反應產生的反應熱對基片進行處理。

現有技術文獻

專利文獻1：日本特開2018-107455號公報

發明內容

發明要解決的技術問題

本發明提供一種能夠在使用SPM的基片處理中抑制基片的振動(flapping)的技術。

用于解決技術問題的技術方案

本發明的一個方式的基片處理方法包括保持步驟、事先加熱步驟、釋放步驟和移動步驟。保持步驟保持基片。事先加熱步驟加熱相反面的中央部，該相反面是基片的與被處理面相反一側的面。釋放步驟在事先加熱步驟后，對被處理面的周緣部釋放作為硫酸和過氧化氫的混合液的SPM。移動步驟在釋放步驟后，使SPM的釋放位置從被處理面的周緣部向中央部移動。

發明效果

依照本發明，能夠在使用SPM的基片處理中抑制基片的振動。

附圖說明

圖1是表示第一實施方式的基片處理系統的構成的圖。

圖2是表示第一實施方式的處理單元的構成的圖。

圖3是表示第一實施方式的SPM供給機構的構成的圖。

圖4是表示第一實施方式中，將設定為釋放溫度110℃的SPM在多個不同的釋放條件下釋放的情況下的晶片的中央部與周緣部的溫度差的變化的圖表。

圖5是表示第一實施方式的處理單元執行的基片處理的步驟的流程圖。

圖6是表示第一實施方式的SPM處理的步驟的流程圖。

圖7是表示SPM處理中的處理單元的動作例的圖。

圖8是表示SPM處理中的處理單元的動作例的圖。

圖9是表示SPM處理中的處理單元的動作例的圖。