[發明專利]基片處理方法和基片處理裝置

在審

• 申請號: 202010218557.8
• 申請日: 2020-03-25
• 公開（公告）號: CN111799151A
• 公開（公告）日: 2020-10-20
• 發明（設計）人: 中澤貴士;筱原和義
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

1.一種基片處理方法，其特征在于，包括：

保持基片的保持步驟；

加熱所述基片的相反面的中央部的事先加熱步驟，其中所述相反面是所述基片的與被處理面相反的一側的面；

釋放步驟，其在所述事先加熱步驟后，對所述被處理面的周緣部釋放作為硫酸和過氧化氫的混合液的SPM；以及

移動步驟，其在所述釋放步驟后，使所述SPM的釋放位置從所述被處理面的周緣部向中央部移動。

2.如權利要求1所述的基片處理方法，其特征在于：

所述事先加熱步驟通過對所述相反面的中央部釋放作為硫酸和過氧化氫的混合液的SPM來加熱所述相反面的中央部。

3.如權利要求1所述的基片處理方法，其特征在于：

所述釋放步驟在所述基片的周緣部的溫度與所述事先加熱步驟中的所述基片的中央部的溫度之差為40℃以下時，開始對所述被處理面的周緣部釋放所述SPM，其中所述基片的周緣部的溫度是假設對所述被處理面的周緣部釋放了所述SPM時所設想的溫度。

4.如權利要求3所述的基片處理方法，其特征在于：

被釋放到所述相反面的所述SPM，是以與釋放到所述被處理面的所述SPM相比反應溫度變高的混合比將硫酸和過氧化氫混合而成的。

5.如權利要求3所述的基片處理方法，其特征在于：

還包括混合比改變步驟，其在所述移動步驟中，根據所述SPM對所述被處理面的釋放位置的變化，改變釋放到所述相反面的所述SPM的混合比。

6.如權利要求2～5中任一項所述的基片處理方法，其特征在于：

所述事先加熱步驟對所述相反面的中央部釋放第一SPM，并且對與所述相反面中比中央部靠所述基片的徑向外方的位置釋放第二SPM。

7.一種基片處理裝置，其特征在于，包括：

保持基片的保持部；

相反面釋放部，其對所述基片的相反面的中央部釋放作為硫酸和過氧化氫的混合液的SPM，所述相反面是與所述基片的被處理面相反的一側的面；

被處理面釋放部，其對所述被處理面的周緣部釋放作為硫酸和過氧化氫的混合液的SPM；以及

使所述被處理面釋放部從所述被處理面的周緣部向中央部移動的移動機構。

8.如權利要求7所述的基片處理裝置，其特征在于，還包括：

第一SPM供給機構，其具有能夠改變硫酸和過氧化氫的混合比的第一混合部，用于對所述被處理面釋放部供給在所述第一混合部中混合的SPM；和

第二SPM供給機構，其具有能夠改變硫酸和過氧化氫的混合比的第二混合部，用于對所述相反面釋放部供給在所述第二混合部中混合的SPM。

9.如權利要求7或8所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述相反面釋放部包括：

對所述相反面的中央部釋放第一SPM的第一釋放部；和

對所述相反面中比中央部靠所述基片的徑向外方的位置釋放第二SPM的第二釋放部。