[發明專利]晶圓的檢測方法和檢測設備

有效

• 申請號: 202010216818.2
• 申請日: 2020-03-25
• 公開（公告）號: CN111261538B
• 公開（公告）日: 2022-11-04
• 發明（設計）人: 李昊乘;張志恒;周毅;羋健
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/67
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 李梅香;張穎玲

1.一種晶圓的檢測方法，其特征在于，包括：

檢測帶有刻蝕溝槽的待檢測晶圓的第一質量；

在所述待檢測晶圓的所述刻蝕溝槽內填入填充材料；

檢測填入所述填充材料后的所述待檢測晶圓的第二質量；

確定所述第二質量與所述第一質量的第一質量差；

在待檢測晶圓進行刻蝕前，檢測所述待檢測晶圓的第三質量；

對所述待檢測晶圓進行刻蝕，形成所述刻蝕溝槽；

確定所述第三質量與所述第一質量的第二質量差；

根據所述第一質量差與所述第二質量差，確定第一比值；

根據所述第一比值與預設基準值，確定填入所述填充材料后的所述刻蝕溝槽內是否具有孔洞缺陷。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

根據質量差關系圖上的預設基準線的斜率，確定所述預設基準值；

所述質量差關系圖的縱坐標為所述第一質量差，所述質量差關系圖的橫坐標為所述第二質量差；

所述根據所述第一比值與預設基準值，確定填入所述填充材料后的所述刻蝕溝槽內是否具有孔洞缺陷，包括：

若所述第一比值大于所述預設基準值，則確定填入所述填充材料后的所述刻蝕溝槽內具有所述孔洞缺陷。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

根據至少兩片標準晶圓在刻蝕前后以及填入所述填充材料后的質量，確定所述預設基準值。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述根據至少兩片標準晶圓在刻蝕前后以及填入所述填充材料后的質量，確定所述預設基準值，包括：

在至少兩片標準晶圓的表面，分別刻蝕形成刻蝕溝槽，其中，各所述標準晶圓表面形成的所述刻蝕溝槽的尺寸不同；

根據刻蝕前與刻蝕后的所述標準晶圓的質量，確定第一標準質量差；

在所述至少兩片標準晶圓的所述刻蝕溝槽內填入所述填充材料；

根據所述刻蝕后的所述標準晶圓的質量與填入所述填充材料后的標準晶圓的質量，確定第二標準質量差；

根據所述至少兩片標準晶圓的所述第一標準質量差與第二標準質量差，確定所述預設基準值。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述標準晶圓的刻蝕溝槽內填入所述填充材料前，確定所述刻蝕溝槽的第一深度；

在所述標準晶圓的刻蝕溝槽內填入所述填充材料后，對所述標準晶圓表面進行研磨，去除所述標準晶圓表面的所述填充材料；

檢測研磨后的所述標準晶圓的刻蝕溝槽內填充材料的第一厚度；

將所述第一標準質量差與所述第一深度的第二比值，作為質量差關系圖的第一坐標軸；

將所述第二標準質量差與所述第一厚度的第三比值，作為所述質量差關系圖的第二坐標軸；其中，所述第一坐標軸與所述第二坐標軸分別為所述質量差關系圖的橫坐標軸和縱坐標軸中的任一個；

根據所述至少兩片標準晶圓的所述第一標準質量差與第二標準質量差，確定所述預設基準值，包括：

根據所述至少兩片標準晶圓對應的所述第二比值和所述第三比值，確定所述質量差關系圖上的預設基準線；

根據所述預設基準線的斜率，確定所述預設基準值。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述待檢測晶圓的刻蝕溝槽內填入所述填充材料前，確定所述刻蝕溝槽的第二深度；

在所述待檢測晶圓的刻蝕溝槽內填入所述填充材料后，對所述待檢測晶圓表面進行研磨，去除所述待檢測晶圓表面的所述填充材料；

檢測研磨后的所述待檢測晶圓的刻蝕溝槽內填充材料的第二厚度；

根據所述第一質量差與所述第二深度的比值，確定第一量測值；

根據所述第二質量差與所述第二厚度的比值，確定第二量測值；

所述根據所述第一質量差與所述第二質量差，確定第一比值，包括：

根據所述第一量測值與第二量測值的比值，確定所述第一比值。