[發明專利]晶圓的檢測方法和檢測設備

有效

• 申請號: 202010216818.2
• 申請日: 2020-03-25
• 公開（公告）號: CN111261538B
• 公開（公告）日: 2022-11-04
• 發明（設計）人: 李昊乘;張志恒;周毅;羋健
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/67
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 李梅香;張穎玲

本申請實施例公開了一種晶圓的檢測方法及檢測設備。所述檢測方法包括：檢測帶有刻蝕溝槽的待檢測晶圓的第一質量；在所述待檢測晶圓的所述刻蝕溝槽內填入填充材料；檢測填入所述填充材料后的所述待檢測晶圓的第二質量；確定所述第二質量與所述第一質量的第一質量差；根據所述第一質量差，確定填入所述填充材料后的所述刻蝕溝槽內是否具有孔洞缺陷。

技術領域

本申請實施例涉及半導體技術，涉及但不限于一種晶圓的檢測方法和檢測設備。

背景技術

在半導體器件的生產過程中，需要對晶圓進行多道復雜的處理工序，采用多層沉積、光刻等方法在晶圓表面形成圖形化的薄膜，然后構成各種電學元器件以及電路結構等。在此過程中，需要保證每一層工藝的品質，及時發現不良點，因此，晶圓的檢測是半導體制造工藝中不可缺少的重要環節。

在一些半導體制程中，需要在晶圓表面的溝槽等結構中填入填充材料，例如金屬等。然而，在填入過程中可能會產生氣泡、孔洞等缺陷，難以檢測且容易造成器件性能的降低。

發明內容

有鑒于此，本申請實施例提供一種晶圓的檢測方法和檢測裝置。

第一方面，本申請提供一種晶圓的檢測方法，包括：

檢測帶有刻蝕溝槽的待檢測晶圓的第一質量；

在所述待檢測晶圓的所述刻蝕溝槽內填入填充材料；

檢測填入所述填充材料后的所述待檢測晶圓的第二質量；

確定所述第二質量與所述第一質量的第一質量差；

根據所述第一質量差，確定填入所述填充材料后的所述刻蝕溝槽內是否具有孔洞缺陷。

在一些實施例中，所述方法還包括：

在待檢測晶圓進行刻蝕前，檢測所述待檢測晶圓的第三質量；

對所述待檢測晶圓進行刻蝕，形成所述刻蝕溝槽；

確定所述第三質量與所述第一質量的第二質量差；

所述根據所述第一質量差，確定所述待檢測晶圓填入的所述填充材料是否具有孔洞缺陷，包括：

根據所述第一質量差與所述第二質量差，確定填入所述填充材料后的所述刻蝕溝槽內是否具有孔洞缺陷。

在一些實施例中，所述根據所述第一質量差與所述第二質量差，確定填入所述填充材料后的所述刻蝕溝槽內是否具有孔洞缺陷，包括：

根據所述第一質量差與所述第二質量差，確定第一比值；

根據所述第一比值與預設基準值，確定填入所述填充材料后的所述刻蝕溝槽內是否具有孔洞缺陷。

在一些實施例中，所述方法還包括：

根據質量差關系圖上的預設基準線的斜率，確定所述預設基準值；

所述質量差關系圖的縱坐標為所述第一質量差，所述預設關系圖的橫坐標為所述第二質量差；

所述根據所述第一比值與預設基準值，確定填入所述填充材料后的所述刻蝕溝槽內是否具有孔洞缺陷，包括：

若所述第一比值大于所述預設基準值，則確定填入所述填充材料后的所述刻蝕溝槽內具有所述孔洞缺陷。

在一些實施例中，所述方法還包括：

根據至少兩片標準晶圓在刻蝕前后以及填入所述填充材料后的質量，確定所述預設基準值。

在一些實施例中，所述根據至少兩片標準晶圓在刻蝕前后以及填入所述填充材料后的質量，確定所述預設基準值，包括：