[發明專利]傳感器制作方法和傳感器

有效

• 申請號: 202010215690.8
• 申請日: 2020-03-24
• 公開（公告）號: CN111383999B
• 公開（公告）日: 2022-11-22
• 發明（設計）人: 邱文瑞;王德信;劉兵
• 申請（專利權）人: 青島歌爾智能傳感器有限公司
• 主分類號: H01L21/98
• 分類號: H01L21/98;H01L25/16;H01L23/00;B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 張志江

1.一種傳感器制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在基板的上表面設置第一介質層，在所述基板的下表面設置第二介質層；

設置貫穿所述基板、所述第一介質層和所述第二介質層的通孔；

所述基板為導電基板；設置分割結構，將所述基板分割為若干導電區；

去除所述第一介質層，在所述基板的上表面對應所述通孔的位置設置防水透氣膜；

在所述基板的上表面設置第三介質層，去除所述通孔位置對應的所述第三介質層；

所述分割結構包括第一分割結構和第二分割結構，所述若干導電區包括第一導電區和第二導電區；

所述設置分割結構，將所述基板分割為若干導電區的步驟，包括：

選定第二位置和第三位置，采用光刻定位曝光去除所述第二位置和所述第三位置對應的所述第一介質層；

采用化學濕法腐蝕去除所述第二位置處和所述第三位置處的所述基板，形成所述第一分割結構和所述第二分割結構，所述第一分割結構和所述第二分割結構將所述基板分割為所述第一導電區和所述第二導電區。

2.如權利要求1所述的傳感器制作方法，其特征在于，所述設置貫穿所述基板、所述第一介質層和所述第二介質層的通孔的步驟，包括：

選定第一位置，去除所述第一位置在所述基板的上表面對應的所述第一介質層，并光刻定位曝光去除所述第一位置在所述基板的下表面對應的所述第二介質層；

去除所述第一位置對應的所述基板，形成貫穿所述基板、所述第一介質層和所述第二介質層的通孔。

3.如權利要求1項所述的傳感器制作方法，其特征在于，所述“在所述基板的上表面設置第三介質層”的步驟之后，包括：

在所述基板的所述第三介質層一側對應所述第一導電區設選定第一接線位，對應所述第二導電區設選定第二接線位，去除所述第一接線位和所述第二接線位處的第三介質層；

在所述基板的所述第二介質層一側對應所述第一導電區選定第一導通位，對應所述第二導電區選定第二導通位，去除所述第一導通位和所述第二導通位對應的所述第二介質層。

4.如權利要求3所述的傳感器制作方法，其特征在于，所述“在所述基板的上表面設置第三介質層，去除所述通孔位置對應的所述第三介質層”的步驟之后，包括：

在所述第三介質層的上表面，對應所述第一導電區設置第一集成電路，對應所述第二導電區設置第二集成電路；

通過所述第一接線位將所述第一集成電路和所述第一導電區電性連接，通過所述第二接線位將所述第二集成電路和所述第二導電區電性連接。

5.如權利要求4所述的傳感器制作方法，其特征在于，所述“通過所述第一接線位將所述第一集成電路和所述第一導電區電性連接，通過所述第二接線位將所述第二集成電路和所述第二導電區電性連接”的步驟之后，還包括：

在所述第二集成電路上設置有氣壓傳感器或慣性傳感器，所述氣壓傳感器或所述慣性傳感器與所述第二集成電路電性連接。

6.如權利要求1至5任一項所述的傳感器制作方法，其特征在于，所述“在所述基板的上表面設置第三介質層，去除所述通孔位置對應的所述第三介質層”的步驟之后，還包括：

在所述第三介質層一側設有氣體傳感器，所述氣體傳感器對應所述防水透氣膜設置。

7.如權利要求1至5任一項所述的傳感器制作方法，其特征在于，所述“在所述基板的上表面設置第三介質層”的步驟之后，還包括：

在所述基板的所述第三介質層一側邊緣位置選定第一貼殼區位和第二貼殼區位，去除所述第一貼殼區位和所述第二貼殼區位對應的所述第三介質層；

所述“在所述基板的上表面設置第三介質層，去除所述通孔位置對應的所述第三介質層”的步驟之后，還包括：

在所述基板的所述第三介質層一側扣設外殼，所述外殼的端口壁插設于所述第一貼殼區位和所述第二貼殼區位。

8.一種傳感器，其特征在于，所述傳感器包括：

基板；

第二介質層，所述第二介質層設置于所述基板的下表面；

第三介質層，所述第三介質層設置于所述基板的上表面，所述基板設置有通孔，且所述通孔貫穿所述第二介質層和所述第三介質層；和

防水透氣膜，所述防水透氣膜蓋設于所述通孔，且所述防水透氣膜設置于所述第三介質層和所述基板之間；

所述基板上還設置有分割結構，將所述基板分割為若干導電區；所述分割結構包括第一分割結構和第二分割結構，所述若干導電區包括第一導電區和第二導電區。