[發(fā)明專利]傳感器制作方法和傳感器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010215690.8
• 申請日: 2020-03-24
• 公開（公告）號: CN111383999B
• 公開（公告）日: 2022-11-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 邱文瑞;王德信;劉兵
• 申請（專利權(quán)）人: 青島歌爾智能傳感器有限公司
• 主分類號: H01L21/98
• 分類號: H01L21/98;H01L25/16;H01L23/00;B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 深圳市世紀(jì)恒程知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287
• 代理人: 張志江

1.一種傳感器制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在基板的上表面設(shè)置第一介質(zhì)層，在所述基板的下表面設(shè)置第二介質(zhì)層；

設(shè)置貫穿所述基板、所述第一介質(zhì)層和所述第二介質(zhì)層的通孔；

所述基板為導(dǎo)電基板；設(shè)置分割結(jié)構(gòu)，將所述基板分割為若干導(dǎo)電區(qū)；

去除所述第一介質(zhì)層，在所述基板的上表面對應(yīng)所述通孔的位置設(shè)置防水透氣膜；

在所述基板的上表面設(shè)置第三介質(zhì)層，去除所述通孔位置對應(yīng)的所述第三介質(zhì)層；

所述分割結(jié)構(gòu)包括第一分割結(jié)構(gòu)和第二分割結(jié)構(gòu)，所述若干導(dǎo)電區(qū)包括第一導(dǎo)電區(qū)和第二導(dǎo)電區(qū)；

所述設(shè)置分割結(jié)構(gòu)，將所述基板分割為若干導(dǎo)電區(qū)的步驟，包括：

選定第二位置和第三位置，采用光刻定位曝光去除所述第二位置和所述第三位置對應(yīng)的所述第一介質(zhì)層；

采用化學(xué)濕法腐蝕去除所述第二位置處和所述第三位置處的所述基板，形成所述第一分割結(jié)構(gòu)和所述第二分割結(jié)構(gòu)，所述第一分割結(jié)構(gòu)和所述第二分割結(jié)構(gòu)將所述基板分割為所述第一導(dǎo)電區(qū)和所述第二導(dǎo)電區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的傳感器制作方法，其特征在于，所述設(shè)置貫穿所述基板、所述第一介質(zhì)層和所述第二介質(zhì)層的通孔的步驟，包括：

選定第一位置，去除所述第一位置在所述基板的上表面對應(yīng)的所述第一介質(zhì)層，并光刻定位曝光去除所述第一位置在所述基板的下表面對應(yīng)的所述第二介質(zhì)層；

去除所述第一位置對應(yīng)的所述基板，形成貫穿所述基板、所述第一介質(zhì)層和所述第二介質(zhì)層的通孔。

3.如權(quán)利要求1項所述的傳感器制作方法，其特征在于，所述“在所述基板的上表面設(shè)置第三介質(zhì)層”的步驟之后，包括：

在所述基板的所述第三介質(zhì)層一側(cè)對應(yīng)所述第一導(dǎo)電區(qū)設(shè)選定第一接線位，對應(yīng)所述第二導(dǎo)電區(qū)設(shè)選定第二接線位，去除所述第一接線位和所述第二接線位處的第三介質(zhì)層；

在所述基板的所述第二介質(zhì)層一側(cè)對應(yīng)所述第一導(dǎo)電區(qū)選定第一導(dǎo)通位，對應(yīng)所述第二導(dǎo)電區(qū)選定第二導(dǎo)通位，去除所述第一導(dǎo)通位和所述第二導(dǎo)通位對應(yīng)的所述第二介質(zhì)層。

4.如權(quán)利要求3所述的傳感器制作方法，其特征在于，所述“在所述基板的上表面設(shè)置第三介質(zhì)層，去除所述通孔位置對應(yīng)的所述第三介質(zhì)層”的步驟之后，包括：

在所述第三介質(zhì)層的上表面，對應(yīng)所述第一導(dǎo)電區(qū)設(shè)置第一集成電路，對應(yīng)所述第二導(dǎo)電區(qū)設(shè)置第二集成電路；

通過所述第一接線位將所述第一集成電路和所述第一導(dǎo)電區(qū)電性連接，通過所述第二接線位將所述第二集成電路和所述第二導(dǎo)電區(qū)電性連接。

5.如權(quán)利要求4所述的傳感器制作方法，其特征在于，所述“通過所述第一接線位將所述第一集成電路和所述第一導(dǎo)電區(qū)電性連接，通過所述第二接線位將所述第二集成電路和所述第二導(dǎo)電區(qū)電性連接”的步驟之后，還包括：

在所述第二集成電路上設(shè)置有氣壓傳感器或慣性傳感器，所述氣壓傳感器或所述慣性傳感器與所述第二集成電路電性連接。

6.如權(quán)利要求1至5任一項所述的傳感器制作方法，其特征在于，所述“在所述基板的上表面設(shè)置第三介質(zhì)層，去除所述通孔位置對應(yīng)的所述第三介質(zhì)層”的步驟之后，還包括：

在所述第三介質(zhì)層一側(cè)設(shè)有氣體傳感器，所述氣體傳感器對應(yīng)所述防水透氣膜設(shè)置。

7.如權(quán)利要求1至5任一項所述的傳感器制作方法，其特征在于，所述“在所述基板的上表面設(shè)置第三介質(zhì)層”的步驟之后，還包括：

在所述基板的所述第三介質(zhì)層一側(cè)邊緣位置選定第一貼殼區(qū)位和第二貼殼區(qū)位，去除所述第一貼殼區(qū)位和所述第二貼殼區(qū)位對應(yīng)的所述第三介質(zhì)層；

所述“在所述基板的上表面設(shè)置第三介質(zhì)層，去除所述通孔位置對應(yīng)的所述第三介質(zhì)層”的步驟之后，還包括：

在所述基板的所述第三介質(zhì)層一側(cè)扣設(shè)外殼，所述外殼的端口壁插設(shè)于所述第一貼殼區(qū)位和所述第二貼殼區(qū)位。

8.一種傳感器，其特征在于，所述傳感器包括：

基板；

第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層設(shè)置于所述基板的下表面；

第三介質(zhì)層，所述第三介質(zhì)層設(shè)置于所述基板的上表面，所述基板設(shè)置有通孔，且所述通孔貫穿所述第二介質(zhì)層和所述第三介質(zhì)層；和

防水透氣膜，所述防水透氣膜蓋設(shè)于所述通孔，且所述防水透氣膜設(shè)置于所述第三介質(zhì)層和所述基板之間；

所述基板上還設(shè)置有分割結(jié)構(gòu)，將所述基板分割為若干導(dǎo)電區(qū)；所述分割結(jié)構(gòu)包括第一分割結(jié)構(gòu)和第二分割結(jié)構(gòu)，所述若干導(dǎo)電區(qū)包括第一導(dǎo)電區(qū)和第二導(dǎo)電區(qū)。