[發(fā)明專利]一種厚膜發(fā)熱電阻快速老化裝置及老化方法

有效

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• 申請日: 2020-03-24
• 公開（公告）號: CN111251724B
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發(fā)明（設計）人: 陳文卓;曹永茂;冷正超;王吉剛
• 申請（專利權）人: 山東華菱電子股份有限公司
• 主分類號: B41J2/335
• 分類號: B41J2/335;B41J2/14
• 代理公司: 威海科星專利事務所 37202
• 代理人: 于濤

本發(fā)明提出一種厚膜發(fā)熱電阻快速老化裝置及老化方法，其中裝置包括控制模塊，控制模塊分別與加熱模塊、電脈沖發(fā)生模塊、測溫模塊、測阻模塊相連，加熱模塊用于給放置厚膜發(fā)熱電阻基板的加熱臺進行加熱；測溫模塊用于實時測量加熱臺的溫度；測阻模塊用于測量厚膜發(fā)熱電阻基板中發(fā)熱電阻體的阻值；電脈沖發(fā)生模塊與探針模塊相連，探針模塊內(nèi)的個別電極探針及共同電極探針用于與發(fā)熱電阻體相連，電脈沖發(fā)生模塊根據(jù)控制模塊的控制產(chǎn)生預期電平值的電脈沖，控制模塊控制該電脈沖的循環(huán)次數(shù)。上述厚膜發(fā)熱電阻快速老化裝置及老化方法采用外部加熱與發(fā)熱電阻體自身發(fā)熱協(xié)同作用，加劇電荷振動，加速內(nèi)部殘存電荷快速耗散。

技術領域

本發(fā)明涉及熱敏打印技術領域，尤其涉及一種厚膜發(fā)熱電阻快速老化裝置及老化方法。

背景技術

厚膜發(fā)熱電阻采用導電顆粒與玻璃粉混合，然后采用燒結的方式制成，厚膜發(fā)熱電阻的電阻體內(nèi)導電顆粒與玻璃絕緣性粒子混合，這樣既存有導電顆粒物相互接觸形成的導電鏈，也存有由玻璃與導電顆粒形成的微小電容，如圖1-2所示。

由于熱敏打印頭領域，微小尺寸厚膜發(fā)熱電阻只能采用無損型高壓放電脈沖進行電阻值調(diào)整，在采用高壓放電修阻后，內(nèi)部由玻璃與導電顆粒形成的微小電容會殘存部分電荷，殘余電荷造成電阻值測試存在誤差，且殘余電荷需要100小時以上的時間才能耗散完畢，電荷耗散過程中電阻值會緩慢降低，導致厚膜發(fā)熱電阻體電阻值存在持續(xù)變化，影響產(chǎn)品的質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術中存在的問題，本發(fā)明提出了一種厚膜發(fā)熱電阻快速老化裝置及老化方法，以便通過外部加熱與施加電脈沖自發(fā)熱相結合的方法，快速耗散厚膜發(fā)熱電阻內(nèi)殘余電荷，解決厚膜發(fā)熱電阻在放電修阻后電阻值持續(xù)變化偏離目標值的問題。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的一方面提出了一種厚膜發(fā)熱電阻快速老化裝置，包括控制模塊，所述控制模塊分別與加熱模塊、電脈沖發(fā)生模塊、測溫模塊、測阻模塊相連接，其中所述加熱模塊用于給放置厚膜發(fā)熱電阻基板的加熱臺進行加熱；所述測溫模塊用于實時測量所述加熱臺的溫度，并將測量值傳送至控制模塊；所述測阻模塊用于測量厚膜發(fā)熱電阻基板中發(fā)熱電阻體的阻值，并將測量結果傳送至控制模塊；所述電脈沖發(fā)生模塊與探針模塊相連接，所述探針模塊內(nèi)的個別電極探針以及共同電極探針用于與厚膜發(fā)熱電阻基板中的發(fā)熱電阻體相連接，所述電脈沖發(fā)生模塊根據(jù)控制模塊的控制產(chǎn)生預期電平值的電脈沖，并且控制模塊控制該電脈沖的循環(huán)次數(shù)。

本發(fā)明的另一方面提出了一種基于上述厚膜發(fā)熱電阻快速老化裝置的厚膜發(fā)熱電阻快速老化方法，所述方法包括以下步驟：

步驟1、將厚膜發(fā)熱電阻基板放置在加熱臺上，通過控制模塊控制加熱模塊加熱，在加熱的過程中，測溫模塊實時測量所述加熱臺的溫度，并將測量值傳送至控制模塊，所述加熱臺由加熱模塊恒溫加熱至預設的溫度并保持該溫度預設的時間后冷卻至室溫，以實現(xiàn)厚膜發(fā)熱電阻基板中全數(shù)發(fā)熱電阻體內(nèi)殘余電荷部分或全部的快速耗散；

步驟2、通過測阻模塊測量厚膜發(fā)熱電阻基板中一個發(fā)熱電阻體的阻值，并將測量結果傳送至控制模塊中，所述控制模塊將該阻值與預設的老化目標值進行比較計算；

步驟3、當該阻值沒達到預設的老化目標值時，所述控制模塊控制電脈沖發(fā)生模塊產(chǎn)生預期電平值的電脈沖，通過探針模塊將該電脈沖施加至步驟2中的發(fā)熱電阻體，使其進行自發(fā)熱，通過所述控制模塊控制該電脈沖的循環(huán)次數(shù)；

步驟4、再次通過測阻模塊測量厚膜發(fā)熱電阻基板中該發(fā)熱電阻體的阻值，并將測量結果傳送至控制模塊中，所述控制模塊將該阻值與預設的老化目標值進行比較計算；

步驟5、當該阻值沒達到預設的老化目標值時，重復步驟3、步驟4，直至電荷耗散完畢，該發(fā)熱電阻體的阻值穩(wěn)定；

步驟6、重復步驟2-5，進行厚膜發(fā)熱電阻基板中下一個發(fā)熱電阻體的老化處理，直至完成厚膜發(fā)熱電阻基板中全部發(fā)熱電阻體的老化處理。