[發(fā)明專利]一種厚膜發(fā)熱電阻快速老化裝置及老化方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010213773.3
• 申請日: 2020-03-24
• 公開（公告）號: CN111251724B
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳文卓;曹永茂;冷正超;王吉剛
• 申請（專利權(quán)）人: 山東華菱電子股份有限公司
• 主分類號: B41J2/335
• 分類號: B41J2/335;B41J2/14
• 代理公司: 威?？菩菍＠聞?wù)所 37202
• 代理人: 于濤

1.一種厚膜發(fā)熱電阻快速老化裝置，其特征在于：包括控制模塊，所述控制模塊分別與加熱模塊、電脈沖發(fā)生模塊、測溫模塊、測阻模塊相連接，其中所述加熱模塊用于給放置厚膜發(fā)熱電阻基板的加熱臺進(jìn)行加熱；所述測溫模塊用于實時測量所述加熱臺的溫度，并將測量值傳送至控制模塊；所述測阻模塊用于測量厚膜發(fā)熱電阻基板中發(fā)熱電阻體的阻值，并將測量結(jié)果傳送至控制模塊；所述電脈沖發(fā)生模塊與探針模塊相連接，所述探針模塊內(nèi)的個別電極探針以及共同電極探針用于與厚膜發(fā)熱電阻基板中的發(fā)熱電阻體相連接，所述電脈沖發(fā)生模塊根據(jù)控制模塊的控制產(chǎn)生預(yù)期電平值的電脈沖，并且控制模塊控制該電脈沖的循環(huán)次數(shù)。

2.一種基于權(quán)利要求1所述的厚膜發(fā)熱電阻快速老化裝置的厚膜發(fā)熱電阻快速老化方法，其特征在于：所述方法包括以下步驟：

步驟1、將厚膜發(fā)熱電阻基板放置在加熱臺上，通過控制模塊控制加熱模塊加熱，在加熱的過程中，測溫模塊實時測量所述加熱臺的溫度，并將測量值傳送至控制模塊，所述加熱臺由加熱模塊恒溫加熱至預(yù)設(shè)的溫度并保持該溫度預(yù)設(shè)的時間后冷卻至室溫，以實現(xiàn)厚膜發(fā)熱電阻基板中全數(shù)發(fā)熱電阻體內(nèi)殘余電荷部分或全部的快速耗散；

步驟2、通過測阻模塊測量厚膜發(fā)熱電阻基板中一個發(fā)熱電阻體的阻值，并將測量結(jié)果傳送至控制模塊中，所述控制模塊將該阻值與預(yù)設(shè)的老化目標(biāo)值進(jìn)行比較計算；

步驟3、當(dāng)該阻值沒達(dá)到預(yù)設(shè)的老化目標(biāo)值時，所述控制模塊控制電脈沖發(fā)生模塊產(chǎn)生預(yù)期電平值的電脈沖，通過探針模塊將該電脈沖施加至步驟2中的發(fā)熱電阻體，使其進(jìn)行自發(fā)熱，通過所述控制模塊控制該電脈沖的循環(huán)次數(shù)；

步驟4、再次通過測阻模塊測量厚膜發(fā)熱電阻基板中該發(fā)熱電阻體的阻值，并將測量結(jié)果傳送至控制模塊中，所述控制模塊將該阻值與預(yù)設(shè)的老化目標(biāo)值進(jìn)行比較計算；

步驟5、當(dāng)該阻值沒達(dá)到預(yù)設(shè)的老化目標(biāo)值時，重復(fù)步驟3、步驟4，直至電荷耗散完畢，該發(fā)熱電阻體的阻值穩(wěn)定；

步驟6、重復(fù)步驟2-5，進(jìn)行厚膜發(fā)熱電阻基板中下一個發(fā)熱電阻體的老化處理，直至完成厚膜發(fā)熱電阻基板中全部發(fā)熱電阻體的老化處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的厚膜發(fā)熱電阻快速老化方法，其特征在于：在所述步驟1中，所述加熱臺由加熱模塊恒溫加熱至預(yù)設(shè)的溫度，所述預(yù)設(shè)的溫度在25-400℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的厚膜發(fā)熱電阻快速老化方法，其特征在于：在所述步驟3中，所述電脈沖發(fā)生模塊產(chǎn)生的正電平脈沖、負(fù)電平脈沖為一組，其脈沖寬度10ns-1ms，頻率1KHz-10MHz，每一次施加就是將該組電脈沖通過探針模塊施加至步驟2中的發(fā)熱電阻體。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的厚膜發(fā)熱電阻快速老化方法，其特征在于：在所述步驟3中，電脈沖的電平值控制在0-36V。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的厚膜發(fā)熱電阻快速老化方法，其特征在于：在所述步驟3中，電脈沖的循環(huán)次數(shù)控制在1-10次。