[發(fā)明專利]殘影測試方法和殘影測試裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010213705.7
• 申請日: 2020-03-24
• 公開（公告）號: CN111341232B
• 公開（公告）日: 2023-01-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙東方;杜哲;郭雙;劉勛;郭子棟
• 申請（專利權(quán)）人: 昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: G09G3/00
• 分類號: G09G3/00
• 代理公司: 北京遠(yuǎn)智匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11659
• 代理人: 范坤坤

本發(fā)明實施例公開了一種殘影測試方法和殘影測試裝置。所述方法包括：在陣列基板中預(yù)設(shè)驅(qū)動晶體管的電壓由第一預(yù)設(shè)電壓切換至第二預(yù)設(shè)電壓后的預(yù)設(shè)時間內(nèi)，獲取預(yù)設(shè)驅(qū)動晶體管的源漏電流與時間的第一對應(yīng)關(guān)系；在預(yù)設(shè)驅(qū)動晶體管的電壓由第三預(yù)設(shè)電壓切換至第二預(yù)設(shè)電壓后的預(yù)設(shè)時間內(nèi)，獲取預(yù)設(shè)驅(qū)動晶體管的源漏電流與時間的第二對應(yīng)關(guān)系；根據(jù)第一對應(yīng)關(guān)系、第二對應(yīng)關(guān)系及殘影評價公式獲取陣列基板的第一殘影測試曲線，第一殘影測試曲線為時間與殘影評價值的對應(yīng)關(guān)系。本發(fā)明實施例能夠減少流片周期，降低成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實施例涉及顯示技術(shù)，尤其涉及一種殘影測試方法和殘影測試裝置。

背景技術(shù)

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，顯示面板所起到的作用也越來越大，相應(yīng)地對顯示面板的要求也越來越高。

顯示面板出廠前都需要進(jìn)行殘影測試，然而，現(xiàn)有的顯示面板在進(jìn)行殘影測試時存在流片周期較長以及成本較高的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例提供一種殘影測試方法和殘影測試裝置，以減少流片周期，降低成本。

第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種殘影測試方法，所述方法包括：在陣列基板中預(yù)設(shè)驅(qū)動晶體管的電壓由第一預(yù)設(shè)電壓切換至第二預(yù)設(shè)電壓后的預(yù)設(shè)時間內(nèi)，獲取所述預(yù)設(shè)驅(qū)動晶體管的源漏電流與時間的第一對應(yīng)關(guān)系；在所述預(yù)設(shè)驅(qū)動晶體管的電壓由第三預(yù)設(shè)電壓切換至所述第二預(yù)設(shè)電壓后的預(yù)設(shè)時間內(nèi)，獲取所述預(yù)設(shè)驅(qū)動晶體管的源漏電流與時間的第二對應(yīng)關(guān)系；根據(jù)所述第一對應(yīng)關(guān)系、所述第二對應(yīng)關(guān)系及殘影評價公式獲取所述陣列基板的第一殘影測試曲線，所述第一殘影測試曲線為時間與殘影評價值的對應(yīng)關(guān)系。

可選地，所述第一預(yù)設(shè)電壓為在第一灰階條件下，所述陣列基板仿真發(fā)光對應(yīng)的電壓，所述第二預(yù)設(shè)電壓為在第二灰階條件下，所述陣列基板仿真發(fā)光對應(yīng)的電壓，所述第三預(yù)設(shè)電壓為在第三灰階條件下，所述陣列基板仿真發(fā)光對應(yīng)的電壓，所述第二灰階介于所述第一灰階和所述第三灰階之間。

可選地，所述預(yù)設(shè)驅(qū)動晶體管為位于非顯示區(qū)的電性薄膜晶體管測試組中的驅(qū)動晶體管。

可選地，所述殘影評價公式為：其中，所述I(t)_JND為所述預(yù)設(shè)驅(qū)動晶體管的電壓切換后的第t時刻，所述陣列基板的殘影評價值；所述I(t)_A為所述預(yù)設(shè)驅(qū)動晶體管的電壓由所述第一預(yù)設(shè)電壓切換至所述第二預(yù)設(shè)電壓后的第t時刻，所述預(yù)設(shè)驅(qū)動晶體管的源漏電流；所述I(t)_B為所述預(yù)設(shè)驅(qū)動晶體管的電壓由所述第三預(yù)設(shè)電壓切換至所述第二預(yù)設(shè)電壓后的第t時刻，所述預(yù)設(shè)驅(qū)動晶體管的源漏電流；所述I0_A為所述預(yù)設(shè)驅(qū)動晶體管在所述第一預(yù)設(shè)電壓下的源漏電流；所述I0_B為所述預(yù)設(shè)驅(qū)動晶體管在所述第三預(yù)設(shè)電壓下的源漏電流。

可選地，所述殘影測試方法還包括：在陣列基板中預(yù)設(shè)驅(qū)動晶體管的電壓由第一預(yù)設(shè)電壓切換至第四預(yù)設(shè)電壓后的預(yù)設(shè)時間內(nèi)，獲取所述預(yù)設(shè)驅(qū)動晶體管的源漏電流與時間的第三對應(yīng)關(guān)系；在所述預(yù)設(shè)驅(qū)動晶體管的電壓由第三預(yù)設(shè)電壓切換至所述第四預(yù)設(shè)電壓后的預(yù)設(shè)時間內(nèi)，獲取所述預(yù)設(shè)驅(qū)動晶體管的源漏電流與時間的第四對應(yīng)關(guān)系；根據(jù)所述第三對應(yīng)關(guān)系、所述第四對應(yīng)關(guān)系及殘影評價公式獲取所述陣列基板的第二殘影測試曲線，所述第二殘影測試曲線為時間與殘影評價值的對應(yīng)關(guān)系；根據(jù)所述第一殘影測試曲線及所述第二殘影測試曲線獲取所述陣列基板的擬合殘影測試曲線；所述第四預(yù)設(shè)電壓為在第四灰階條件下，陣列基板仿真發(fā)光對應(yīng)的電壓，所述第四灰階介于所述第一灰階和所述第三灰階之間，所述第四灰階不等于所述第二灰階。

可選地，在獲取所述第一對應(yīng)關(guān)系、所述第二對應(yīng)關(guān)系、所述第三對應(yīng)關(guān)系以及所述第四對應(yīng)關(guān)系之前還包括：對所述預(yù)設(shè)驅(qū)動晶體管進(jìn)行穩(wěn)定性測試，和/或，對所述預(yù)設(shè)驅(qū)動晶體管進(jìn)行T-Aging工藝。