[發明專利]晶圓雙面減薄方法

在審

• 申請號: 202010213142.1
• 申請日: 2020-03-24
• 公開（公告）號: CN113500462A
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: 劉尖華
• 申請（專利權）人: 東莞新科技術研究開發有限公司
• 主分類號: B24B1/00
• 分類號: B24B1/00;B24B37/00
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫

本發明公開了一種晶圓雙面減薄方法，所述方法包括：將保護膠涂在晶圓的正面，并使所述晶圓的背面裸露；通過研磨裝置并用含有第一研磨粉的堿性研磨液對所述晶圓進行粗磨；對所述晶圓進行清洗；通過研磨裝置并用含有第二研磨粉的堿性研磨液對所述晶圓進行精磨；對所述晶圓進行清洗，并將所述晶圓的正面的保護膠去除；將所述晶圓放入研磨機中并用第三研磨粉對所述晶圓的正面與背面進行精磨；其中，第三研磨粉的直徑小于或等于第二研磨粉，第二研磨粉的直徑小于第一研磨粉。本發明能夠提高對晶圓減薄的加工的精細度。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種晶圓雙面減薄方法。

背景技術

晶圓指制造半導體晶體管或集成電路的襯底(也叫基片)。隨著半導體芯片不斷向高密度、高性能、小型化和輕薄化發展，半導體晶圓的減薄工藝就顯得愈加重要。目前，晶圓一般通過機械研磨來減薄，一般采用雙面研磨，其過程是上下兩個大盤，可以獨立運動，晶圓被夾在中間，同時對晶圓兩個面進行研磨。現有的這種對晶圓減薄的方式對晶圓的加工不夠精細，加工效果有待提高。

發明內容

針對上述問題，本發明的目的在于提供晶圓雙面減薄方法，其能夠提高對晶圓減薄的加工的精細度。

為了實現上述目的，本發明一實施例提供了一種晶圓雙面減薄方法，包括：

將保護膠涂在晶圓的正面，并使所述晶圓的背面裸露；

通過研磨裝置并用含有第一研磨粉的堿性研磨液對所述晶圓進行粗磨；

對所述晶圓進行清洗；

通過研磨裝置并用含有第二研磨粉的堿性研磨液對所述晶圓進行精磨；

對所述晶圓進行清洗，并將所述晶圓的正面的保護膠去除；

將所述晶圓放入研磨機中并用第三研磨粉對所述晶圓的正面與背面進行精磨；

其中，第三研磨粉的直徑小于或等于第二研磨粉，第二研磨粉的直徑小于第一研磨粉。

作為上述方案的改進，所述堿性研磨液包括銨氫氧化物。

作為上述方案的改進，所述堿性研磨液的PH值為9.5-10.5。

作為上述方案的改進，所述第一研磨粉的直徑為20-25nm，所述第二研磨粉的直徑為5-8nm，所述第三研磨粉的直徑為3-5nm。

作為上述方案的改進，用含有第一研磨粉的堿性研磨液對所述晶圓進行粗磨的時間為9-11分鐘；用含有第二研磨粉的堿性研磨液對所述晶圓進行精磨的時間為9-11分鐘。

作為上述方案的改進，所述對所述晶圓進行清洗，包括：

將所述晶圓放入去離子水中并用超聲波進行震蕩清洗；震蕩清洗時間為15-25分鐘。

相比于現有技術，本發明實施例提供的所述晶圓雙面減薄方法，首先，通過將保護膠涂在晶圓的正面，并使所述晶圓的背面裸露；接著，通過研磨裝置并用含有第一研磨粉的堿性研磨液對所述晶圓進行粗磨；然后，通過研磨裝置并用含有第二研磨粉的堿性研磨液對所述晶圓進行精磨；最后，將正面的保護膠去除的所述晶圓放入研磨機中并用第三研磨粉對所述晶圓的正面與背面進行精磨，這樣可以對晶圓的雙面進行減薄。由于在對晶圓的背面進行研磨時，晶圓的正面有保護膠保護，因此晶圓的正面不會受到影響，保證晶圓的正面在進入下一研磨工序時該面的加工要求不會受到背面研磨的影響，從而確保晶圓的正面在進行精磨時能夠具有更好的加工精細度；此外，由于是先用含有第一研磨粉的堿性研磨液來對晶圓的背面進行粗磨，再用含有第二研磨粉的堿性研磨液來對晶圓的背面進行研磨，這樣可以提高對晶圓的背面的研磨減薄效率，同時也能夠提高對晶圓的背面的研磨精細度。

附圖說明