[發明專利]具有硅上腔橋的分解的管芯互連

在審

• 申請號: 202010210659.5
• 申請日: 2020-03-23
• 公開（公告）號: CN111916430A
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: K·C·楊;E·H·吳;M·S·林;R·贊克曼;T·卡姆嘎因;W·C·宋;B·P·許
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L25/18;H01L23/48;H01L23/535
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 林金朝

1.一種管芯組件，包括：

第一管芯；

第二管芯，所述第二管芯與所述第一管芯在橫向上相鄰，其中，所述第一管芯和所述第二管芯均包括：

第一半導體層；

絕緣體層，所述絕緣體層在所述第一半導體層上方；

第二半導體層，所述第二半導體層在所述絕緣體層上方；

腔，所述腔穿過所述第二半導體層設置；以及

橋接襯底，所述橋接襯底將所述第一管芯電耦合到所述第二管芯，其中，所述橋位于所述第一管芯的腔和所述第二管芯的腔中。

2.根據權利要求1所述的管芯組件，其中，所述第一管芯的腔沿著所述第一管芯的第一邊緣，并且其中，所述第二管芯的腔沿著所述第二管芯的第一邊緣。

3.根據權利要求2所述的管芯組件，其中，所述第一管芯的第一邊緣面向所述第二管芯的第一邊緣。

4.根據權利要求1、2或3所述的管芯組件，其中，所述第一管芯和所述第二管芯還包括：

在所述第一半導體層中的有源區。

5.根據權利要求4所述的管芯組件，其中，所述有源區通過穿過所述第一半導體層和所述絕緣體層的穿襯底過孔(TSV)電耦合到所述橋。

6.根據權利要求1、2或3所述的管芯組件，其中，所述第一半導體層和所述第二半導體層包括相同的半導體材料。

7.根據權利要求1、2或3所述的管芯組件，其中，所述第一半導體層包括硅或III-V族半導體系統。

8.根據權利要求1、2或3所述的管芯組件，其中，所述第一半導體層的厚度小于所述第二半導體層的厚度。

9.根據權利要求1、2或3所述的管芯組件，其中，所述橋接襯底是無源部件。

10.根據權利要求1、2或3所述的管芯組件，其中，所述橋接襯底是有源部件。

11.一種電子封裝，包括：

封裝襯底；

管芯組件，所述管芯組件耦合到所述封裝襯底，其中，所述管芯組件包括：

第一管芯；

第二管芯，所述第二管芯與所述第一管芯相鄰；

腔，所述腔進入到所述第一管芯和所述第二管芯中；以及

橋接襯底，所述橋接襯底在所述腔中，其中，所述橋接襯底將所述第一管芯電耦合到所述第二管芯。

12.根據權利要求11所述的電子封裝，其中，所述第一管芯和所述第二管芯中的每一個均包括有源表面，其中，所述有源表面面向所述封裝襯底。

13.根據權利要求12所述的電子封裝，其中，所述有源表面通過在所述腔的底表面處終止的穿襯底過孔(TSV)電耦合到所述橋接襯底。

14.根據權利要求13所述的電子封裝，其中，所述腔的底表面包括絕緣體。

15.根據權利要求11、12、13或14所述的電子封裝，其中，所述第一管芯和所述第二管芯中的每一個均包括：

第一半導體層；

絕緣體，所述絕緣體在所述第一半導體層上方；以及

第二半導體層，其中，所述腔穿過所述第二半導體層。

16.根據權利要求15所述的電子封裝，其中，所述第一半導體層和所述第二半導體層包括相同的半導體材料。

17.根據權利要求15所述的電子封裝，其中，所述第一半導體層和所述第二半導體層包括不同的半導體材料。

18.根據權利要求11、12、13或14所述的電子封裝，其中，填充材料包封所述橋接襯底并填充所述腔。