[發明專利]功率器件的失效分析方法

在審

• 申請號: 202010210630.7
• 申請日: 2020-03-24
• 公開（公告）號: CN111370347A
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: 芮志賢
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 黎偉

本申請公開了一種功率器件的失效分析方法，包括：去除集成有功率器件的晶圓的正面的第一金屬層；通過失效點定位機臺對正面失效區域進行定位后，對正面失效區域進行標記，得到正面失效標記；通過失效點定位機臺在背面查找到正面失效標記，對背面失效區域進行定位，背面失效區域是正面失效區域在背面的對應區域；通過失效點定位機臺對背面失效區域進行標記，得到背面失效標記；根據背面失效標記對背面失效區域進行失效分析。本申請實現了對晶圓的背面進行失效分析，提高了失效分析的準確度。

技術領域

本申請涉及半導體集成電路制造技術領域，具體涉及一種功率器件的失效分析方法。

背景技術

相關技術中，在對功率器件，尤其是絕緣柵雙極型晶體管(Insulated GateBipolar Transistor，IGBT)器件的漏極電流(I_D)和擊穿電壓(Break Voltage，BV)進行失效分析(Failure Analysis，FA)時，可以通過定位集成有功率器件的晶圓的正面失效點位置進行失效分析。

然而，相關技術中提供的失效檢測方法難以對晶圓的背面進行檢測，從而影響失效檢測的準確率。

發明內容

本申請提供了一種功率器件的失效分析方法，可以解決相關技術中提供的功率器件的失效分析方法難以對集成有功率器件的晶圓的背面進行失效分析的問題。

一方面，本申請實施例提供了一種功率器件的失效分析方法，包括：

去除集成有功率器件的晶圓的正面的第一金屬層；

通過失效點定位機臺對所述正面失效區域進行定位后，對所述正面失效區域進行標記，得到正面失效標記；

通過所述失效點定位機臺在所述背面查找到所述正面失效標記，對背面失效區域進行定位，所述背面失效區域是所述正面失效區域在所述背面的對應區域；

通過所述失效點定位機臺對所述背面失效區域進行標記，得到背面失效標記；

根據所述背面失效標記對所述背面失效區域進行失效分析。

可選的，所述對所述正面失效區域進行標記之后，所述通過所述失效點定位機臺在所述背面查找到所述正面失效標記之前，還包括：

在所述晶圓的背面鍍第二金屬層。

可選的，所述通過所述失效點定位機臺在所述背面查找到所述正面失效標記，對背面失效區域進行定位，包括：

將所述失效點定位機臺的對焦距離調節至所述正面對應的對焦距離區間；

通過所述失效點定位機臺的激光穿透所述晶圓的硅材料的性能，和所述失效點定位機臺的OBIRCH模式的抓圖功能在所述背面查找到所述正面失效標記，確定所述背面失效區域所在位置；

將所述對焦距離調節至所述背面對應的對焦距離區間。

可選的，所述將所述對焦距離調節至所述背面對應的對焦距離區間之后，還包括：

將所述背面失效區域移動至所述失效點定位機臺的顯示圖像上的預定位置。

可選的，所述預定位置為所述顯示圖像的中心。

可選的，所述對所述正面失效區域進行標記，包括：

通過所述失效點定位機臺對所述正面失效區域使用激光進行標記。

可選的，所述通過所述失效點定位機臺對所述正面失效區域使用激光進行標記之后，還包括：

通過所述失效點定位機臺對所述正面失效區域使用聚焦離子束對所述正面失效區域進行標記。

可選的，所述通過所述失效點定位機臺對所述背面失效區域進行標記，包括：