[發明專利]功率器件的失效分析方法

在審

• 申請號: 202010210630.7
• 申請日: 2020-03-24
• 公開（公告）號: CN111370347A
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: 芮志賢
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 黎偉

1.一種功率器件的失效分析方法，其特征在于，包括：

去除集成有功率器件的晶圓的正面的第一金屬層；

通過失效點定位機臺對所述正面失效區域進行定位后，對所述正面失效區域進行標記，得到正面失效標記；

通過所述失效點定位機臺在所述背面查找到所述正面失效標記，對背面失效區域進行定位，所述背面失效區域是所述正面失效區域在所述背面的對應區域；

通過所述失效點定位機臺對所述背面失效區域進行標記，得到背面失效標記；

根據所述背面失效標記對所述背面失效區域進行失效分析。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述正面失效區域進行標記之后，所述通過所述失效點定位機臺在所述背面查找到所述正面失效標記之前，還包括：

在所述晶圓的背面鍍第二金屬層。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述通過所述失效點定位機臺在所述背面查找到所述正面失效標記，對背面失效區域進行定位，包括：

將所述失效點定位機臺的對焦距離調節至所述正面對應的對焦距離區間；

通過所述失效點定位機臺的激光穿透所述晶圓的硅材料的性能，和所述失效點定位機臺的OBIRCH模式的抓圖功能在所述背面查找到所述正面失效標記，確定所述背面失效區域所在位置；

將所述對焦距離調節至所述背面對應的對焦距離區間。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述將所述對焦距離調節至所述背面對應的對焦距離區間之后，還包括：

將所述背面失效區域移動至所述失效點定位機臺的顯示圖像上的預定位置。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述預定位置為所述顯示圖像的中心。

6.根據權利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述對所述正面失效區域進行標記，包括：

通過所述失效點定位機臺對所述正面失效區域使用激光進行標記。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述通過所述失效點定位機臺對所述正面失效區域使用激光進行標記之后，還包括：

通過所述失效點定位機臺對所述正面失效區域使用聚焦離子束對所述正面失效區域進行標記。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述通過所述失效點定位機臺對所述背面失效區域進行標記，包括：

通過所述失效點定位機臺對所述背面失效區域使用激光進行標記。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述通過所述失效點定位機臺對所述背面失效區域使用激光進行標記之后，還包括：

通過所述失效點定位機臺對所述背面失效區域使用聚焦離子束對所述背面失效區域進行標記。

10.根據權利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述在所述晶圓的背面鍍第二金屬層之前，還包括：

通過溶劑對所述背面進行清洗。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述溶劑包括丙酮和/或乙醇。

12.根據權利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述第一金屬層包括鋁。