[發明專利]顯示裝置和制造該顯示裝置的方法在審
| 申請號: | 202010199484.2 | 申請日: | 2020-03-20 |
| 公開(公告)號: | CN111725261A | 公開(公告)日: | 2020-09-29 |
| 發明(設計)人: | 李世鎬 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 史迎雪;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 制造 方法 | ||
本發明涉及顯示裝置和制造該顯示裝置的方法。該顯示裝置包括:基板;彼此面對的像素電極和對電極;電連接到像素電極的薄膜晶體管;電連接到對電極并且與像素電極間隔開的接觸電極;電連接到接觸電極并且與薄膜晶體管間隔開的輔助電極;利用其發射光的中間層,中間層包括:發射層,以及與像素電極和接觸電極對應的第一功能層,第一功能層限定在其處暴露接觸電極的開口部分;以及在薄膜晶體管與像素電極之間、在輔助電極與接觸電極之間并且限定在其處輔助電極電連接到接觸電極的接觸開口的多絕緣層,接觸開口與中間層的開口部分對應。
本申請要求2019年3月20日提交的第10-2019-0031777號韓國專利申請的優先權以及所有權益,該申請的公開通過引用整體合并于此。
技術領域
一個或多個實施例涉及顯示裝置以及制造該顯示裝置的方法。更具體地,一個或多個實施例涉及一種相對容易地被制造并且具有相對高的亮度穩定性的顯示裝置以及制造該顯示裝置的方法。
背景技術
有機發光顯示裝置具有比其它顯示裝置相對更大的視角、更好的對比度特性以及更快的響應速度,并且因此作為下一代顯示裝置已引起關注。
有機發光顯示裝置包括像素,每個像素包括有機發光二極管。有機發光二極管包括像素電極、面對像素電極的對電極以及位于像素電極與對電極之間的包括發射層的中間層。在這些有機發光顯示裝置中,像素電極具有通過將材料層圖案化為分別與像素中的單個單元對應而獲得的島形狀,但是對電極具有與多個像素對應的單體。
發明內容
隨著有機發光顯示裝置的平面面積的增加,傳統有機發光顯示裝置由于被提供為單體的對電極的電壓降而不能顯示高質量的圖像。
為了解決包括上述缺點的幾個缺點,一個或多個實施例包括一種相對容易地被制造并且具有高亮度穩定性的顯示裝置以及制造該顯示裝置的方法。然而,一個或多個實施例僅僅是示例,并且本發明的范圍不限于此。
附加特征將部分地在下面的描述中闡述并且將部分地從描述中顯而易見,或者可以通過所提出的實施例的實踐而習得。
根據一個或多個實施例,顯示裝置包括:基板;在基板上彼此面對的像素電極和對電極;包括薄膜晶體管的像素電路,像素電路在薄膜晶體管處電連接到像素電極;接觸電極,電連接到對電極,并且電信號通過接觸電極被傳輸到對電極,接觸電極和像素電極沿基板彼此間隔開;輔助電極,電連接到接觸電極,并且電信號通過輔助電極被傳輸到接觸電極,輔助電極和薄膜晶體管沿基板彼此間隔開;中間層,光利用所述中間層發射,中間層包括:與像素電極對應的發射層,以及與像素電極和接觸電極對應的第一功能層,第一功能層限定在其處接觸電極暴露至中間層外部的開口部分;以及在薄膜晶體管與像素電極之間并且在輔助電極與接觸電極之間的多絕緣層,多絕緣層限定接觸開口,輔助電極在接觸開口處電連接到接觸電極,接觸開口與中間層的開口部分對應。
根據一個或多個實施例,開口部分可以包括彼此間隔開的第一開口和第二開口;并且對電極可以在第一開口處和第二開口處電連接到接觸電極。
根據一個或多個實施例,多絕緣層可以包括:無機絕緣層以及比無機絕緣層更遠離基板的有機絕緣層,并且在與第一開口對應的區域中,有機絕緣層可以限定在其處對電極電連接到接觸電極的開放部分。
根據一個或多個實施例,在與第一開口對應的區域中,無機絕緣層可以在接觸電極與輔助電極之間,以使接觸電極與輔助電極絕緣。
根據一個或多個實施例,在與第二開口對應的區域中,有機絕緣層可以包括第一接觸孔,對電極在第一接觸孔處電連接到接觸電極,并且無機絕緣層可以限定第二接觸孔,第二接觸孔與第一接觸孔對應,并且接觸電極在第二接觸孔處電連接到輔助電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





