[發明專利]顯示裝置和制造該顯示裝置的方法在審
| 申請號: | 202010199484.2 | 申請日: | 2020-03-20 |
| 公開(公告)號: | CN111725261A | 公開(公告)日: | 2020-09-29 |
| 發明(設計)人: | 李世鎬 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 史迎雪;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 制造 方法 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
基板;
在所述基板上彼此面對的像素電極和對電極;
包括薄膜晶體管的像素電路,所述像素電路在所述薄膜晶體管處電連接到所述像素電極;
接觸電極,電連接到所述對電極,并且電信號通過所述接觸電極被傳輸到所述對電極,所述接觸電極和所述像素電極沿所述基板彼此間隔開;
輔助電極,電連接到所述接觸電極,并且所述電信號通過所述輔助電極被傳輸到所述接觸電極,所述輔助電極和所述薄膜晶體管沿所述基板彼此間隔開;
中間層,光利用所述中間層發射,所述中間層包括:與所述像素電極對應的發射層,以及與所述像素電極和所述接觸電極對應的第一功能層,所述第一功能層限定開口部分,所述接觸電極在所述開口部分處暴露至所述中間層外部;以及
在所述薄膜晶體管與所述像素電極之間并且在所述輔助電極與所述接觸電極之間的多絕緣層,所述多絕緣層限定接觸開口,所述輔助電極在所述接觸開口處電連接到所述接觸電極,所述接觸開口與所述中間層的所述開口部分對應。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,
所述中間層的所述開口部分包括沿所述基板彼此間隔開的第一開口和第二開口,所述第一開口比所述第二開口更靠近所述像素電極;并且
所述對電極在所述第一開口處和所述第二開口處電連接到所述接觸電極。
3.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中,
所述多絕緣層包括無機絕緣層以及比所述無機絕緣層更遠離所述基板的有機絕緣層,并且
在與所述第一開口對應的區域中,所述有機絕緣層限定開放部分,所述對電極在所述開放部分處電連接到所述接觸電極。
4.根據權利要求3所述的顯示裝置,其中,在與所述第一開口對應的所述區域中,所述無機絕緣層在所述接觸電極與所述輔助電極之間。
5.根據權利要求3所述的顯示裝置,其中,在與所述第二開口對應的區域中,
所述有機絕緣層限定第一接觸孔,所述對電極在所述第一接觸孔處電連接到所述接觸電極,并且
所述無機絕緣層限定第二接觸孔,所述第二接觸孔與所述第一接觸孔對應,并且所述接觸電極在所述第二接觸孔處電連接到所述輔助電極。
6.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中,
所述中間層進一步包括面對所述第一功能層的第二功能層,所述發射層在所述第一功能層與所述第二功能層之間,
第一孔被限定在所述第一功能層中,并且第二孔被限定在所述第二功能層中,并且
所述中間層的所述第一開口由彼此對齊的所述第一孔和所述第二孔限定。
7.根據權利要求6所述的顯示裝置,其中,
第三孔被限定在所述第一功能層中,并且第四孔被限定在所述第二功能層中,并且
所述中間層的所述第二開口由彼此對齊的所述第三孔和所述第四孔限定。
8.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述中間層進一步包括空穴傳輸層、空穴注入層、電子注入層和電子傳輸層中的一個或多個。
9.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述輔助電極包括銅和鈦。
10.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中,所述第一功能層的被限定在所述中間層的所述第一開口處的部分是所述第一功能層的變性部分。
11.根據權利要求3所述的顯示裝置,其中,
所述像素電路的所述薄膜晶體管包括半導體層、與所述半導體層對應的柵電極以及電連接到所述半導體層的連接電極,并且
所述輔助電極和所述連接電極是所述基板上的同一材料層的相應部分。
12.根據權利要求11所述的顯示裝置,其中,所述無機絕緣層直接接觸所述薄膜晶體管的所述連接電極以覆蓋所述薄膜晶體管。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





