[發明專利]具有低電阻率的源極結構或漏極結構

在審

• 申請號: 202010199120.4
• 申請日: 2020-03-20
• 公開（公告）號: CN111755444A
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發明（設計）人: C·邦伯格;A·默西;S·維什瓦納特
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L29/08;H01L29/36
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 劉炳勝

1.一種集成電路結構，包括：

鰭狀物，其具有下部鰭狀物部分和上部鰭狀物部分；

柵極堆疊體，其處于所述鰭狀物的所述上部鰭狀物部分上方，所述柵極堆疊體具有相對的第一側和第二側；

第一源極結構或漏極結構，其包括在所述柵極堆疊體的所述第一側嵌入到所述鰭狀物中的外延結構；以及

第二源極結構或漏極結構，其包括在所述柵極堆疊體的所述第二側嵌入到所述鰭狀物中的外延結構，所述第一源極結構或漏極結構和所述第二源極結構或漏極結構的每一外延結構包括硅、鍺和硼，其中，硼的原子濃度處于1E20原子/cm³-3E21原子/cm³的范圍內，并且鍺濃度處于10％到85％的范圍內，并且所述第一源極結構或漏極結構和所述第二源極結構或漏極結構具有小于或等于0.3mOhm·cm的電阻率。

2.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述第一源極結構或漏極結構和所述第二源極結構或漏極結構的電阻率處于0.1mOhm·cm到0.3mOhm·cm的范圍內。

3.根據權利要求1或2所述的集成電路結構，其中，所述第一源極結構或漏極結構和所述第二源極結構或漏極結構在所述鰭狀物上引起單軸壓縮應變。

4.根據權利要求1或2所述的集成電路結構，其中，所述第一源極結構或漏極結構和所述第二源極結構或漏極結構與隔離結構相鄰。

5.根據權利要求4所述的集成電路結構，其中，所述第一源極結構或漏極結構和所述第二源極結構或漏極結構具有處于所述隔離結構的上表面下方的下表面。

6.根據權利要求1或2所述的集成電路結構，其中，所述下部鰭狀物部分包括下方體單晶硅襯底的一部分。

7.根據權利要求1或2所述的集成電路結構，還包括：

第一電介質柵極側壁間隔體和第二電介質柵極側壁間隔體，分別沿所述柵極堆疊體的所述第一側和所述第二側。

8.根據權利要求1或2所述的集成電路結構，還包括：

第一導電接觸部，其處于所述第一源極結構或漏極結構的所述外延結構上；以及

第二導電接觸部，其處于所述第二源極結構或漏極結構的所述外延結構上。

9.根據權利要求8所述的集成電路結構，其中，所述第一導電接觸部和所述第二導電接觸部分別處于所述第一源極結構或漏極結構和所述第二源極結構或漏極結構的所述外延結構中的局部凹陷中。

10.一種集成電路結構，包括：

鰭狀物，其具有下部鰭狀物部分和上部鰭狀物部分；

柵極堆疊體，其處于所述鰭狀物的所述上部鰭狀物部分上方，所述柵極堆疊體具有相對的第一側和第二側；

第一源極結構或漏極結構，其包括在所述柵極堆疊體的所述第一側嵌入到所述鰭狀物中的外延結構，所述外延結構包括下部半導體層和帽蓋半導體層；以及

第二源極結構或漏極結構，其包括在所述柵極堆疊體的所述第二側嵌入到所述鰭狀物中的外延結構，所述外延結構包括下部半導體層和帽蓋半導體層，所述第一源極結構或漏極結構和所述第二源極結構或漏極結構的所述外延結構中的每一個的所述下部半導體層包括硅、鍺和硼，所述第一源極結構或漏極結構和所述第二源極結構或漏極結構中的每一個的所述外延結構的所述帽蓋半導體層具有大于所述下部半導體層的鍺濃度，并且所述第一源極結構或漏極結構和所述第二源極結構或漏極結構具有小于或等于0.3mOhm·cm的電阻率。

11.根據權利要求10所述的集成電路結構，其中，所述第一源極結構或漏極結構和所述第二源極結構或漏極結構的所述外延結構中的每一個的所述下部半導體層具有處于1E20原子/cm³-3E21原子/cm³的范圍內的硼原子濃度以及處于10％到85％的范圍內的鍺濃度。