[發(fā)明專(zhuān)利]用于半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的校溫方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010198897.9 | 申請(qǐng)日: | 2020-03-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113496911A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-10-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林仕杰 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/67 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孫佳胤;高翠花 |
| 地址: | 230001 安徽省合肥市*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 半導(dǎo)體 機(jī)臺(tái) 方法 | ||
本發(fā)明提供一種用于半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的校溫方法,其包括如下步驟:提供至少一校溫片,所述校溫片包括一晶體管,所述晶體管具有一與設(shè)定電流對(duì)應(yīng)的電壓?溫度特性曲線;將所述校溫片置于所述半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的測(cè)量區(qū)域;向所述校溫片通電,通電電流與所述設(shè)定電流相同,并測(cè)量所述晶體管的電壓;將所述電壓作為已知參數(shù),并根據(jù)所述晶體管的電壓?溫度特性曲線獲得所述晶體管的溫度,所述溫度為所述半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)測(cè)量區(qū)域的溫度。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于,利用晶體管的電壓?溫度特性曲線獲得所述半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的溫度,大大提高了校溫的精確度,進(jìn)一步提高半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)性能,提高半導(dǎo)體制程的良率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,尤其涉及一種用于半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的校溫方法。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體的制造工藝中,通常需要在半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)上進(jìn)行高溫或者低溫工藝。溫度對(duì)半導(dǎo)體制程有很大影響,特別是對(duì)溫度敏感的工藝,溫度的影響不可忽略,因此,機(jī)臺(tái)的溫度校準(zhǔn)非常重要。
現(xiàn)有半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)校溫的方法是,在半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)上放置多個(gè)校溫器(例如設(shè)置5個(gè)校溫器或設(shè)置9個(gè)校溫器),給予半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)校溫,以確保半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的溫度達(dá)到設(shè)定溫度及晶圓在半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)各處溫度的一致性。現(xiàn)有的校溫器通常為傳感器,其缺點(diǎn)在于校溫精度低,不能滿足需求。
因此,亟需一種新的用于半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的高精度的校溫方法。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是,提供一種用于半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的校溫方法。
為了解決上述問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種用于半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的校溫方法,其包括如下步驟:提供至少一校溫片,所述校溫片包括一晶體管,所述晶體管具有一與設(shè)定電流對(duì)應(yīng)的電壓-溫度特性曲線;將所述校溫片置于所述半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的測(cè)量區(qū)域;向所述校溫片通電,通電電流與所述設(shè)定電流相同,并測(cè)量所述晶體管的電壓;將所述電壓作為已知參數(shù),并根據(jù)所述晶體管的電壓-溫度特性曲線獲得所述晶體管的溫度,所述溫度為所述半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)測(cè)量區(qū)域的溫度。
進(jìn)一步,所述晶體管的電壓-溫度特性曲線的獲得方法包括如下步驟:在多個(gè)設(shè)定溫度下,獲取所述晶體管的電流-電壓曲線,每一設(shè)定溫度對(duì)應(yīng)一電流-電壓曲線;在每一個(gè)電流-電壓曲線上獲取所述設(shè)定電流對(duì)應(yīng)的電壓值;將所述電壓值與對(duì)應(yīng)的所述設(shè)定溫度作為參數(shù),繪制所述電壓-溫度特性曲線。
進(jìn)一步,所述晶體管為雙極結(jié)型晶體管。
進(jìn)一步,在多個(gè)設(shè)定溫度下,獲取所述晶體管的電流-電壓曲線的方法包括如下步驟:在一設(shè)定溫度下,向所述晶體管施加多個(gè)發(fā)射結(jié)電壓,獲得與所述發(fā)射結(jié)電壓對(duì)應(yīng)的基極電流及集電極電流;將同一發(fā)射結(jié)電壓對(duì)應(yīng)的所述基極電流與所述集電極電流求和,作為該發(fā)射結(jié)電壓對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電流;以所述發(fā)射極電流及所述發(fā)射結(jié)電壓作為參數(shù),繪制所述電流-電壓曲線,獲得所述設(shè)定溫度對(duì)應(yīng)的電流-電壓曲線;重復(fù)上述步驟,獲得多個(gè)設(shè)定溫度對(duì)應(yīng)的電流-電壓曲線。
進(jìn)一步,所述雙極結(jié)型晶體管為PNP型晶體管,所述發(fā)射結(jié)電壓的取值范圍為-1.2V~-0.5V。
進(jìn)一步,所述雙極結(jié)型晶體管為NPN型晶體管,所述發(fā)射結(jié)電壓的取值范圍為0.5V~1.2V。
進(jìn)一步,所述設(shè)定電流的選擇方法為:在所述電流-電壓曲線的線性區(qū)選擇一電流作為所述設(shè)定電流。
進(jìn)一步,所述設(shè)定溫度的取值范圍是-40℃~150℃。
進(jìn)一步,所述電壓-溫度特性曲線為一次函數(shù)曲線,所述電壓-溫度特性曲線具有一理論斜率值,將繪制的所述電壓-溫度特性曲線的實(shí)際斜率值與所述理論斜率值進(jìn)行比較,若兩者的差值大于一預(yù)設(shè)值,則重新獲得所述電壓值,并繪制所述電壓-溫度特性曲線。
進(jìn)一步,在每次對(duì)所述半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)進(jìn)行校溫之前,獲取與設(shè)定電流對(duì)應(yīng)的電壓-溫度特性曲線。
進(jìn)一步,所述校溫方法還包括如下步驟:提供一晶圓;對(duì)所述晶圓進(jìn)行切割,獲得所述校溫片。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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