[發(fā)明專利]用于半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的校溫方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010198897.9
• 申請(qǐng)日: 2020-03-19
• 公開（公告）號(hào): CN113496911A
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林仕杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 上海盈盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;高翠花

1.一種用于半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的校溫方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供至少一校溫片，所述校溫片包括一晶體管，所述晶體管具有一與設(shè)定電流對(duì)應(yīng)的電壓-溫度特性曲線；

將所述校溫片置于所述半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的測(cè)量區(qū)域；

向所述校溫片通電，通電電流與所述設(shè)定電流相同，并測(cè)量所述晶體管的電壓；

將所述電壓作為已知參數(shù)，并根據(jù)所述晶體管的電壓-溫度特性曲線獲得所述晶體管的溫度，所述溫度為所述半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)測(cè)量區(qū)域的溫度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的校溫方法，其特征在于，所述晶體管的電壓-溫度特性曲線的獲得方法包括如下步驟：

在多個(gè)設(shè)定溫度下，獲取所述晶體管的電流-電壓曲線，每一設(shè)定溫度對(duì)應(yīng)一電流-電壓曲線；

在每一個(gè)電流-電壓曲線上獲取所述設(shè)定電流對(duì)應(yīng)的電壓值；

將所述電壓值與對(duì)應(yīng)的所述設(shè)定溫度作為參數(shù)，繪制所述電壓-溫度特性曲線。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的校溫方法，其特征在于，所述晶體管為雙極結(jié)型晶體管。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的校溫方法，其特征在于，在多個(gè)設(shè)定溫度下，獲取所述晶體管的電流-電壓曲線的方法包括如下步驟：

在一設(shè)定溫度下，向所述晶體管施加多個(gè)發(fā)射結(jié)電壓，獲得與所述發(fā)射結(jié)電壓對(duì)應(yīng)的基極電流及集電極電流；

將同一發(fā)射結(jié)電壓對(duì)應(yīng)的所述基極電流與所述集電極電流求和，作為該發(fā)射結(jié)電壓對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電流；

以所述發(fā)射極電流及所述發(fā)射結(jié)電壓作為參數(shù)，繪制所述電流-電壓曲線，獲得所述設(shè)定溫度對(duì)應(yīng)的電流-電壓曲線；

重復(fù)上述步驟，獲得多個(gè)設(shè)定溫度對(duì)應(yīng)的電流-電壓曲線。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的校溫方法，其特征在于，所述雙極結(jié)型晶體管為PNP型晶體管，所述發(fā)射結(jié)電壓的取值范圍為-1.2V～-0.5V。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的校溫方法，其特征在于，所述雙極結(jié)型晶體管為NPN型晶體管，所述發(fā)射結(jié)電壓的取值范圍為0.5V～1.2V。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的校溫方法，其特征在于，所述設(shè)定電流的選擇方法為：在所述電流-電壓曲線的線性區(qū)選擇一電流作為所述設(shè)定電流。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的校溫方法，其特征在于，所述設(shè)定溫度的取值范圍是-40℃～150℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的校溫方法，其特征在于，所述電壓-溫度特性曲線為一次函數(shù)曲線，所述電壓-溫度特性曲線具有一理論斜率值，將繪制的所述電壓-溫度特性曲線的實(shí)際斜率值與所述理論斜率值進(jìn)行比較，若兩者的差值大于一預(yù)設(shè)值，則重新獲得所述電壓值，并繪制所述電壓-溫度特性曲線。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的校溫方法，其特征在于，在每次對(duì)所述半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)進(jìn)行校溫之前，獲取與設(shè)定電流對(duì)應(yīng)的電壓-溫度特性曲線。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的校溫方法，其特征在于，所述校溫方法還包括如下步驟：

提供一晶圓；

對(duì)所述晶圓進(jìn)行切割，獲得所述校溫片。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的校溫方法，其特征在于，將所述校溫片置于所述半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的測(cè)量區(qū)域若干時(shí)間后再向所述校溫片通電。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的校溫方法，其特征在于，所述校溫方法進(jìn)一步包括如下步驟：

在提供至少一校溫片的步驟中，根據(jù)所述晶體管的電壓-溫度特性曲線獲得電壓與溫度的函數(shù)；

在根據(jù)所述晶體管的電壓-溫度特性曲線獲得所述晶體管的溫度的步驟中，根據(jù)所述電壓與溫度的函數(shù)獲得所述晶體管的溫度。