[發(fā)明專利]一種LED陣列擴(kuò)張檢測(cè)裝置及擴(kuò)張方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010198082.0
• 申請(qǐng)日: 2020-03-19
• 公開（公告）號(hào): CN113496907A
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 江仁杰;鐘光韋;伍凱義;楊然翔;沈佳輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 重慶康佳光電技術(shù)研究院有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L27/15;H01L23/544;H01L33/48;G09F9/33
• 代理公司: 深圳鼎合誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44281
• 代理人: 李發(fā)兵

本發(fā)明涉及LED顯示器制造領(lǐng)域，具體一種LED陣列檢測(cè)裝置，其包括：承載膜，呈陣列排布的LED芯片粘附于所述承載膜上；拉伸設(shè)備，設(shè)置于所述承載膜的邊緣，用于拉伸所述承載膜；金屬薄片設(shè)置于LED陣列中同一行或列相鄰的LED芯片側(cè)面，相鄰所述LED芯片相對(duì)應(yīng)的側(cè)面設(shè)置的兩片所述金屬薄片為一對(duì)；電壓施加器，用于向相鄰金屬薄片施加電壓；電容檢測(cè)單元，分別連接成對(duì)的金屬薄片，用于檢測(cè)相鄰金屬薄片間的電容值；控制器，與所述電容檢測(cè)器電連接，用于根據(jù)所述電容值計(jì)算對(duì)應(yīng)LED芯片間距，LED芯片間距達(dá)到閾值時(shí)向拉伸設(shè)備發(fā)出拉伸或停止拉伸的信號(hào)。該裝置可以準(zhǔn)確測(cè)量LED芯片之間的間距。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及LED顯示器制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種LED陣列擴(kuò)張檢測(cè)裝置及檢測(cè)方法。

背景技術(shù)

Micro-LED顯示器具有良好的穩(wěn)定性、壽命以及運(yùn)行溫度上的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)也承繼了LED低功耗、色彩飽和度、反應(yīng)速度快、對(duì)比度強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),具有極大的應(yīng)用前景。在現(xiàn)有Micro-LED顯示器的制作過程中，其均需要將LED芯片從各自的生長(zhǎng)基板轉(zhuǎn)移到顯示器的顯示背板上；當(dāng)將LED芯片轉(zhuǎn)移到不同尺寸的顯示背板上時(shí)，由于LED芯片原本排列的間距與所要應(yīng)用的顯示背板的尺寸間距不同，因而需要將LED芯片的原始排列間距進(jìn)行調(diào)整，以適用具體使用需求。將LED芯片逐個(gè)轉(zhuǎn)移到顯示背板上也是一種實(shí)現(xiàn)方式，隨著LED技術(shù)的日新月異，用于LED顯示屏的LED芯片的尺寸越來越小，LED芯片中LED芯粒的間距也越來越小。LED芯片中LED芯粒的轉(zhuǎn)移難度大大提高，如何提供一種簡(jiǎn)單快捷的LED芯粒的分選轉(zhuǎn)移方法，是LED領(lǐng)域一個(gè)亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容

基于以上問題，本發(fā)明設(shè)計(jì)LED陣列檢測(cè)裝置，其能精確方便的檢測(cè)擴(kuò)晶過程中LED芯片的間距，其具體結(jié)構(gòu)如下。

一種LED陣列檢測(cè)裝置，其包括：

承載膜，呈陣列排布的LED芯片粘附于所述承載膜上，所述承載膜具有可延伸性；

拉伸設(shè)備，設(shè)置于所述承載膜的邊緣，用于拉伸所述承載膜；

金屬薄片，設(shè)置于同一行或列相鄰的LED芯片側(cè)面，所述相鄰的LED芯片相對(duì)應(yīng)的側(cè)面設(shè)置的兩片金屬薄片為一對(duì)；

電壓施加器，分別連接成對(duì)的所述金屬薄片，用于向成對(duì)的所述金屬薄片施加電壓；

電容檢測(cè)單元，分別連接所述成對(duì)的所述金屬薄片，用于檢測(cè)每對(duì)所述金屬薄片間的電容值；

控制器，與所述電容檢測(cè)單元電連接，用于根據(jù)所述電容值計(jì)算對(duì)應(yīng)LED芯片間距，在所述LED芯片間距達(dá)到閾值的情況下，向所述拉伸設(shè)備發(fā)出拉伸或停止拉伸的信號(hào)。

進(jìn)一步的，所述控制器，具體根據(jù)以下公式計(jì)算對(duì)應(yīng)LED芯片間距，

其中，真空介電常數(shù)ε₀＝1；k為靜電力常量；S為成對(duì)的所述金屬薄片正對(duì)面積；L為兩金屬薄片間距。

進(jìn)一步的，所述承載膜上設(shè)置有多個(gè)穿孔，所述穿孔設(shè)置于相鄰4個(gè)所述LED芯片頂點(diǎn)連線的交匯處。

進(jìn)一步的，所述金屬薄片通過光刻膠、熱敏膠或光敏膠粘附于所述LED芯片的側(cè)面。

進(jìn)一步的，所述電容檢測(cè)單元為電容檢測(cè)器或電容檢測(cè)電路。

本發(fā)明還包括一種LED陣列擴(kuò)張方法，包括如下步驟：

S10將多個(gè)LED芯片呈陣列式粘附于承載膜上，所述承載膜具有延伸性，在LED陣列中同一行或列中至少兩個(gè)相鄰的LED芯片側(cè)面設(shè)置有金屬薄片，所述金屬薄片通過膠粘附于所述LED芯片上，相鄰所述LED芯片相對(duì)應(yīng)的側(cè)面設(shè)置的兩片所述金屬薄片為一對(duì)，每對(duì)所述金屬薄片上連接有與一控制器相連接的電壓施加器及電容檢測(cè)單元；