[發(fā)明專利]超大功率光阻玻璃芯片刻蝕用腐蝕液及腐蝕工藝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010196777.5
• 申請(qǐng)日: 2020-03-19
• 公開（公告）號(hào): CN111363551B
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃小鋒;屠星宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 常州星海電子股份有限公司
• 主分類號(hào): C09K13/08
• 分類號(hào): C09K13/08;C03C15/00
• 代理公司: 常州市華信天成專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32294
• 代理人: 何學(xué)成

本發(fā)明屬于玻璃芯片刻蝕技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及超大功率光阻玻璃芯片刻蝕用腐蝕液及腐蝕工藝，腐蝕液包括粗腐蝕液和精腐蝕液，所述粗腐蝕液由下述體積百分比的組分制成：30—50份38％～42％的氫氟酸，30—40份65％～70％的硝酸，5—10份99.9％的冰乙酸，5—15份96％～98％的硫酸，1—5份的飽和氟鹽溶液；所述精腐蝕液由下述體積百分比的組分制成：25—30份38％～42％的氫氟酸，25—30份65％～70％的硝酸，30—40份99.9％的冰乙酸，10—15份96％～98％的硫酸；其中粗腐蝕液中腐蝕溫度為10—30℃；精腐蝕液中的腐蝕溫度為?10℃—?4℃。該腐蝕液包括粗腐蝕液和精腐蝕液，通過不同腐蝕速率的腐蝕液相配合，開溝速率快，開溝深度誤差小，提高芯片質(zhì)量。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于玻璃芯片刻蝕技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及超大功率光阻玻璃芯片刻蝕用腐蝕液及腐蝕工藝。

背景技術(shù)

GPP(玻璃鈍化)芯片作為電力電子設(shè)備中必不可少的器件，目前玻璃鈍化有刀刮法、電泳法和光阻法三種方法，其中光阻法玻璃鈍化芯片較刀刮法、電泳法可靠性高，光阻法玻璃鈍化芯片將逐步取代目前的刀刮法芯片。

光阻法玻璃鈍化工藝在制作過程中，化學(xué)腐蝕是比較關(guān)鍵的一道工序，是將經(jīng)過光刻后的單晶硅基片放入低溫混酸中，將未被光刻膠保護(hù)的部分通過化學(xué)反應(yīng)的方式腐蝕掉，在反應(yīng)一定時(shí)間后，腐蝕深度超過硼面結(jié)深，此時(shí)芯粒也就有了基本的電性。光阻法中溝槽腐蝕的情況與光阻玻璃芯片的質(zhì)量密切相連；溝槽太窄，在二次曝光中，芯粒邊緣的鈍化玻璃寬度不夠，玻璃鈍化層將被破壞，起不到保護(hù)的效果；溝槽太寬，芯粒臺(tái)面會(huì)變小，會(huì)導(dǎo)致VF、正向浪涌等參數(shù)不符合要求；溝槽太深，芯片在流轉(zhuǎn)過程中容易被破壞，導(dǎo)致?lián)p耗顯著增加；溝槽太淺，常規(guī)電性達(dá)不到要求，可能導(dǎo)致整片報(bào)廢。因此，性能良好、易調(diào)節(jié)的腐蝕液對(duì)光阻玻璃芯片生產(chǎn)具有很大影響。

中國(guó)專利CN201811441811X公開一種腐蝕液，將45～60份mol濃度為65～70％的硝酸，10～40份mol濃度為38～42％氫氟酸，8～15份mol濃度為96～98％的硫酸以及35～40份mol濃度為99.9％的冰乙酸混合均勻得到腐蝕液，該種腐蝕液對(duì)玻璃的腐蝕速率快，腐蝕精度難以控制。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是：針對(duì)上述缺陷，本發(fā)明提供一種超大功率光阻玻璃芯片刻蝕用腐蝕液及腐蝕工藝，腐蝕液包括粗腐蝕液和精腐蝕液，通過不同腐蝕速率的腐蝕液相配合，開溝速率快，開溝深度誤差小，提高芯片質(zhì)量。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題采用的技術(shù)方案如下：超大功率光阻玻璃芯片刻蝕用腐蝕液，其特征在于：包括粗腐蝕液和精腐蝕液，所述粗腐蝕液由下述體積百分比的組分制成：30—50份38％～42％的氫氟酸，30—40份65％～70％的硝酸，5—10份99.9％的冰乙酸，5—15份96％～98％的硫酸，1—5份的飽和氟鹽溶液；

所述精腐蝕液由下述體積百分比的組分制成：25—30份38％～42％的氫氟酸，25—30份65％～70％的硝酸，30—40份99.9％的冰乙酸，10—15份96％～98％的硫酸。

進(jìn)一步的，所述的氟鹽為氟化鉀、氟化銨的一種或兩種。

超大功率光阻玻璃芯片刻蝕用腐蝕液的腐蝕工藝，光阻玻璃芯片在粗腐蝕液中腐蝕溫度為10—30℃；經(jīng)粗腐蝕液腐蝕后的光阻玻璃芯片在精腐蝕液中的腐蝕溫度為-10℃—-4℃。

進(jìn)一步的，所述光阻玻璃芯片在粗腐蝕液中腐蝕深度為設(shè)定深度的70％—90％；然后在精腐蝕液中腐蝕至設(shè)定深度。

進(jìn)一步的，所述光阻玻璃芯片在粗腐蝕液中腐蝕深度為設(shè)定深度的80％—85％。

本發(fā)明的有益效果是：