[發明專利]超大功率光阻玻璃芯片刻蝕用腐蝕液及腐蝕工藝

有效

• 申請號: 202010196777.5
• 申請日: 2020-03-19
• 公開（公告）號: CN111363551B
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發明（設計）人: 黃小鋒;屠星宇
• 申請（專利權）人: 常州星海電子股份有限公司
• 主分類號: C09K13/08
• 分類號: C09K13/08;C03C15/00
• 代理公司: 常州市華信天成專利代理事務所(普通合伙) 32294
• 代理人: 何學成

1.超大功率光阻玻璃芯片刻蝕用腐蝕液，其特征在于：包括粗腐蝕液和精腐蝕液，所述粗腐蝕液由下述體積百分比的組分制成：30—50份38％～42％的氫氟酸，30—40份65％～70％的硝酸，5—10份99.9％的冰乙酸，5—15份96％～98％的硫酸，1—5份的飽和氟鹽溶液；

所述精腐蝕液由下述體積百分比的組分制成：25—30份38％～42％的氫氟酸，25—30份65％～70％的硝酸，30—40份99.9％的冰乙酸，10—15份96％～98％的硫酸。

2.如權利要求1所述的超大功率光阻玻璃芯片刻蝕用腐蝕液，其特征在于：所述的氟鹽為氟化鉀、氟化銨的一種或兩種。

3.超大功率光阻玻璃芯片刻蝕用腐蝕液的腐蝕工藝，采用如權利要求1或2所述的超大功率光阻玻璃芯片刻蝕用腐蝕液進行腐蝕，其特征在于：光阻玻璃芯片在粗腐蝕液中腐蝕溫度為10—30℃；經粗腐蝕液腐蝕后的光阻玻璃芯片在精腐蝕液中的腐蝕溫度為-10℃—-4℃；

所述光阻玻璃芯片在粗腐蝕液中腐蝕深度為設定深度的70％—90％；然后在精腐蝕液中腐蝕至設定深度。

4.如權利要求3所述的超大功率光阻玻璃芯片刻蝕用腐蝕液的腐蝕工藝，其特征在于：所述光阻玻璃芯片在粗腐蝕液中腐蝕深度為設定深度的80％—85％。