[發明專利]MALDI質譜分析用測定試樣制備方法及其裝置在審
| 申請號： | 202010195797.0 | 申請日： | 2020-03-18 |
| 公開（公告）號： | CN111721595A | 公開（公告）日： | 2020-09-29 |
| 發明（設計）人： | 植松克之;鈴木一己 | 申請（專利權）人： | 株式會社理光 |
| 主分類號： | G01N1/28 | 分類號： | G01N1/28;G01N1/42;G01N27/62 |
| 代理公司： | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人： | 魏延玲 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | maldi 譜分析 測定 試樣 制備 方法 及其 裝置 | ||
1.一種MALDI質譜分析用測定試樣制備方法，其特征在于：
基材將基質配置在表面，通過將激光束照射所述基材的與配置所述基質側相反側的所述基材的表面，使得所述基質從所述基材飛行，使其配置在MALDI質譜分析對象的試樣的規定位置。
2.如權利要求1所述的MALDI質譜分析用測定試樣制備方法，其特征在于:
從所述基材飛行的所述基質為二種以上。
3.如權利要求2所述的MALDI質譜分析用測定試樣制備方法，其特征在于:
使得從所述基材飛行的二種以上的所述基質配置在所述MALDI質譜分析對象試樣的互不相同的規定位置。
4.如權利要求1～3任一個所述的MALDI質譜分析用測定試樣制備方法，其特征在于:
配置為相對所述MALDI質譜分析對象試樣的規定位置，使得所述基質從所述基材多次飛行。
5.如權利要求1～4任一個所述的MALDI質譜分析用測定試樣制備方法，其特征在于:
所述激光束為光學渦旋激光束。
6.如權利要求1～5任一個所述的MALDI質譜分析用測定試樣制備方法，其特征在于:
所述激光束的照射直徑為5μm以上、100μm以下。
7.如權利要求1～6任一個所述的MALDI質譜分析用測定試樣制備方法，其特征在于:
配置在所述基材表面的所述基質為層狀及點狀的至少某個。
8.一種MALDI質譜分析用測定試樣制備裝置，其特征在于，包括照射機構，該照射機構基于權利要求1～7任一個所述的MALDI質譜分析用測定試樣制備方法，將激光束照射所述基材表面。
9.一種MALDI質譜分析用測定試樣，其特征在于，包括：
MALDI質譜分析對象的試樣；以及
在所述試樣上配置在規定位置的二種以上的基質。
10.一種MALDI質譜分析方法，其特征在于：
使用權利要求9所述的MALDI質譜分析用測定試樣進行MALDI質譜分析。
11.一種計算機可讀的記錄介質，其特征在于，其中存儲MALDI質譜分析用測定試樣制備程序，該程序通過處理器執行，實現以下處理：
根據MALDI質譜分析對象試樣的位置信息，基材將基質配置在表面，通過將激光束照射所述基材的與配置所述基質側相反側的所述基材的表面，使得所述基質從所述基材飛行，使其配置在MALDI質譜分析對象的試樣的規定位置。
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