[發(fā)明專利]顯示基板及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010195565.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-03-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111370428B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-02-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉軍;閆梁臣;周斌;張揚(yáng);蘇同上;李偉;倪柳松 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;張博 |
| 地址: | 230012 *** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
本發(fā)明提供了一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置,屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。其中,顯示基板,包括:位于襯底基板上的第一導(dǎo)電圖形,第一導(dǎo)電圖形的預(yù)設(shè)區(qū)域的邊緣設(shè)置有包圍預(yù)設(shè)區(qū)域的環(huán)狀的導(dǎo)電保護(hù)結(jié)構(gòu),導(dǎo)電保護(hù)結(jié)構(gòu)采用防干法刻蝕材料制成;覆蓋第一導(dǎo)電圖形的絕緣層,絕緣層包括對(duì)應(yīng)預(yù)設(shè)區(qū)域的過(guò)孔,過(guò)孔在襯底基板上的正投影被導(dǎo)電保護(hù)結(jié)構(gòu)在襯底基板上的正投影包圍,且過(guò)孔在襯底基板上的正投影與導(dǎo)電保護(hù)結(jié)構(gòu)在襯底基板上的正投影部分重疊;位于絕緣層遠(yuǎn)離第一導(dǎo)電圖形一側(cè)的第二導(dǎo)電圖形,第二導(dǎo)電圖形通過(guò)過(guò)孔與第一導(dǎo)電圖形電連接。本發(fā)明的技術(shù)方案能夠保證顯示基板的良率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別是指一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置。
背景技術(shù)
現(xiàn)有顯示基板的制作工藝中,在連接異層的金屬圖形時(shí),會(huì)對(duì)異層的金屬圖形之間的絕緣層進(jìn)行刻蝕形成過(guò)孔,在刻蝕厚度較大的絕緣層(厚度550nm以上)時(shí),刻蝕的時(shí)間比較長(zhǎng),會(huì)產(chǎn)生微溝槽效應(yīng)(microtrenching effect,即刻蝕過(guò)程中過(guò)孔邊緣部分的刻蝕深度大于中心部分的刻蝕深度的現(xiàn)象),這樣過(guò)孔邊緣處的下層金屬圖形也會(huì)被刻蝕損傷,影響顯示基板的良率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置,能夠保證顯示基板的良率。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下:
一方面,提供一種顯示基板,包括:
位于襯底基板上的第一導(dǎo)電圖形,所述第一導(dǎo)電圖形的預(yù)設(shè)區(qū)域的邊緣設(shè)置有包圍所述預(yù)設(shè)區(qū)域的環(huán)狀的導(dǎo)電保護(hù)結(jié)構(gòu),所述導(dǎo)電保護(hù)結(jié)構(gòu)采用防干法刻蝕材料制成;
覆蓋所述第一導(dǎo)電圖形的絕緣層,所述絕緣層包括對(duì)應(yīng)所述預(yù)設(shè)區(qū)域的過(guò)孔,所述過(guò)孔在所述襯底基板上的正投影被所述導(dǎo)電保護(hù)結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的正投影包圍,且所述過(guò)孔在所述襯底基板上的正投影與所述導(dǎo)電保護(hù)結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的正投影部分重疊;
位于所述絕緣層遠(yuǎn)離所述第一導(dǎo)電圖形一側(cè)的第二導(dǎo)電圖形,所述第二導(dǎo)電圖形通過(guò)所述過(guò)孔與所述第一導(dǎo)電圖形電連接。
一些實(shí)施例中,所述第一導(dǎo)電圖形采用Mo或Mo的合金,所述導(dǎo)電保護(hù)結(jié)構(gòu)采用Cu、ITO或IGZO。
一些實(shí)施例中,所述第一導(dǎo)電圖形還包括包圍所述預(yù)設(shè)區(qū)域的環(huán)狀的凸起,所述導(dǎo)電保護(hù)結(jié)構(gòu)覆蓋所述凸起。
一些實(shí)施例中,所述凸起的高度為0.05~0.10um,所述導(dǎo)電保護(hù)結(jié)構(gòu)的厚度為0.015~0.02um。
一些實(shí)施例中,所述導(dǎo)電保護(hù)結(jié)構(gòu)在所述襯底基板上的正投影的外輪廓的直徑為D,所述凸起在所述襯底基板上的正投影的外輪廓的直徑為d,D比d大2~3um。
一些實(shí)施例中,所述第一導(dǎo)電圖形為遮光金屬層的圖形,所述第二導(dǎo)電圖形為源漏金屬層的圖形。
一些實(shí)施例中,所述顯示基板具體包括:
位于所述襯底基板上的所述遮光金屬層的圖形;
位于所述遮光金屬層的圖形遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的所述導(dǎo)電保護(hù)結(jié)構(gòu);
位于所述遮光金屬層的圖形和所述導(dǎo)電保護(hù)結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的緩沖層;
位于所述緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的有源層;
位于所述有源層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的柵絕緣層;
位于所述柵絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的柵金屬層的圖形;
位于所述柵金屬層的圖形遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的層間絕緣層,所述緩沖層與所述層間絕緣層組成所述絕緣層;
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





