[發明專利]顯示基板及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請號: | 202010195565.5 | 申請日: | 2020-03-19 |
| 公開(公告)號: | CN111370428B | 公開(公告)日: | 2023-02-28 |
| 發明(設計)人: | 劉軍;閆梁臣;周斌;張揚;蘇同上;李偉;倪柳松 | 申請(專利權)人: | 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;張博 |
| 地址: | 230012 *** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,包括:
位于襯底基板上的第一導電圖形,所述第一導電圖形的預設區域的邊緣設置有包圍所述預設區域的環狀的導電保護結構,所述導電保護結構用于保護預設區域邊緣處的第一導電圖形免受干法刻蝕;
覆蓋所述第一導電圖形的絕緣層,所述絕緣層包括對應所述預設區域的過孔,所述過孔在所述襯底基板上的正投影被所述導電保護結構在所述襯底基板上的正投影包圍,且所述過孔在所述襯底基板上的正投影與所述導電保護結構在所述襯底基板上的正投影部分重疊;
位于所述絕緣層遠離所述第一導電圖形一側的第二導電圖形,所述第二導電圖形通過所述過孔與所述第一導電圖形電連接;
其中,所述導電保護結構在刻蝕形成所述過孔之前形成。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述第一導電圖形采用Mo或Mo的合金,所述導電保護結構采用Cu、ITO或IGZO。
3.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述第一導電圖形還包括包圍所述預設區域的環狀的凸起,所述導電保護結構覆蓋所述凸起。
4.根據權利要求3所述的顯示基板,其特征在于,所述凸起的高度為0.05~0.10um,所述導電保護結構的厚度為0.015~0.02um。
5.根據權利要求3所述的顯示基板,其特征在于,所述導電保護結構在所述襯底基板上的正投影的外輪廓的直徑為D,所述凸起在所述襯底基板上的正投影的外輪廓的直徑為d,D比d大2~3um。
6.根據權利要求1-5中任一項所述的顯示基板,其特征在于,所述第一導電圖形為遮光金屬層的圖形,所述第二導電圖形為源漏金屬層的圖形。
7.根據權利要求6所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示基板具體包括:
位于所述襯底基板上的所述遮光金屬層的圖形;
位于所述遮光金屬層的圖形遠離所述襯底基板一側的所述導電保護結構;
位于所述遮光金屬層的圖形和所述導電保護結構遠離所述襯底基板一側的緩沖層;
位于所述緩沖層遠離所述襯底基板一側的有源層;
位于所述有源層遠離所述襯底基板一側的柵絕緣層;
位于所述柵絕緣層遠離所述襯底基板一側的柵金屬層的圖形;
位于所述柵金屬層的圖形遠離所述襯底基板一側的層間絕緣層,所述緩沖層與所述層間絕緣層組成所述絕緣層;
位于所述層間絕緣層遠離所述襯底基板一側的源漏金屬層的圖形,所述源漏金屬層的圖形通過貫穿所述緩沖層和所述層間絕緣層的過孔與所述遮光金屬層的圖形電連接;
位于所述源漏金屬層的圖形遠離所述襯底基板一側的鈍化層。
8.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1-7中任一項所述的顯示基板。
9.一種顯示基板的制作方法,其特征在于,包括:
在襯底基板上形成第一導電圖形;
在所述第一導電圖形的預設區域的邊緣形成包圍所述預設區域的環狀的導電保護結構,所述導電保護結構用于保護預設區域邊緣處的第一導電圖形免受干法刻蝕;
形成覆蓋所述第一導電圖形的絕緣層;
對所述絕緣層進行干法刻蝕,形成貫穿所述絕緣層的過孔,所述過孔在所述襯底基板上的正投影被所述導電保護結構在所述襯底基板上的正投影包圍,且所述過孔在所述襯底基板上的正投影與所述導電保護結構在所述襯底基板上的正投影部分重疊;
在所述絕緣層上形成第二導電圖形,所述第二導電圖形通過所述過孔與所述第一導電圖形電連接。
10.根據權利要求9所述的顯示基板的制作方法,其特征在于,所述在襯底基板上形成第一導電圖形包括:
在所述第一導電圖形朝向所述絕緣層的一側表面形成包圍所述預設區域的環狀的凸起;
形成所述導電保護結構包括:
形成覆蓋所述凸起的所述導電保護結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





