[發(fā)明專利]顯示面板和包括該顯示面板的顯示裝置

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010195378.7
• 申請日: 2020-03-19
• 公開（公告）號: CN111755460A
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 裵寅浚;金東輝;金喆鎬;徐右吏;全珍
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;劉燦強(qiáng)

公開了一種顯示面板和包括該顯示面板的顯示裝置。所述顯示面板包括：基底；晶體管，位于基底上；存儲電容器，位于基底上并且電連接到晶體管；金屬層，位于基底與晶體管之間；第一絕緣層，位于金屬層上并且具有第一接觸孔；以及布線，通過第一接觸孔連接到金屬層，其中，第一絕緣層具有與晶體管隔開的第一孔。

本申請要求于2019年3月28日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2019-0036198號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國專利申請的公開內(nèi)容通過引用全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的方面涉及一種具有透射區(qū)域的顯示面板和一種包括該顯示面板的顯示裝置。

背景技術(shù)

近來，顯示裝置的應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)變得更加多樣化。隨著顯示裝置已經(jīng)變得更薄且更輕，它們的使用范圍已經(jīng)逐漸擴(kuò)大。

隨著由顯示裝置的顯示區(qū)域占據(jù)的面積增大，正在添加可以與顯示裝置組合或相關(guān)聯(lián)的功能。作為在增大顯示區(qū)域的同時(shí)添加各種功能的方式，正在進(jìn)行對可以在顯示區(qū)域中布置各種元件的顯示裝置的研究。

發(fā)明內(nèi)容

實(shí)施例中的一些的方面涉及一種顯示面板和一種包括該顯示面板的顯示裝置，顯示面板包括其中可以在顯示區(qū)域內(nèi)部布置各種合適種類的組件的區(qū)域。然而，應(yīng)該理解的是，這里描述的實(shí)施例應(yīng)該僅以描述性的意義來考慮，而不是出于對公開的限制。

附加的方面將在下面的描述中部分地闡述，并且部分地將通過描述而明顯，或者可以通過所提出的實(shí)施例的實(shí)踐而獲知。

根據(jù)一些實(shí)施例，提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括：基底；晶體管，位于基底上；存儲電容器，位于基底上并且電連接到晶體管；金屬層，位于基底與晶體管之間；第一絕緣層，位于金屬層上并且具有第一接觸孔；以及布線，通過第一接觸孔連接到金屬層，其中，第一絕緣層具有與晶體管隔開的第一孔。

在一些實(shí)施例中，第一絕緣層包括多個(gè)子層。

在一些實(shí)施例中，限定第一接觸孔的層的數(shù)量與限定第一孔的層的數(shù)量相同。

在一些實(shí)施例中，第一接觸孔的側(cè)表面在第一接觸孔的深度方向上的材料變化與第一孔的側(cè)表面在第一孔的深度方向上的材料變化相同。

在一些實(shí)施例中，顯示面板還包括：第二絕緣層，位于第一絕緣層上并且具有與第一孔疊置的第二孔。

在一些實(shí)施例中，第二絕緣層還具有用于晶體管的源電極或漏電極與晶體管的半導(dǎo)體層之間的連接的第二接觸孔。

在一些實(shí)施例中，限定第二接觸孔的層的數(shù)量與限定第二孔的層的數(shù)量相同。

在一些實(shí)施例中，第二接觸孔的側(cè)表面在第二接觸孔的深度方向上的材料變化與第二孔的側(cè)表面在第二孔的深度方向上的材料變化相同。

在一些實(shí)施例中，第二孔的寬度與第一孔的寬度不同。

在一些實(shí)施例中，金屬層具有與晶體管的柵電極的電壓電平相同的電壓電平。

在一些實(shí)施例中，顯示面板還包括：驅(qū)動電壓線，電連接到晶體管和存儲電容器，其中，金屬層具有與驅(qū)動電壓線的電壓電平相同的電壓電平。

根據(jù)一些實(shí)施例，提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：基底；晶體管和存儲電容器，位于基底上；金屬層，位于基底與晶體管之間；第一絕緣層，位于金屬層上并且具有第一接觸孔；布線，通過第一接觸孔連接到金屬層；以及組件，布置在基底下方，其中，第一絕緣層具有與晶體管隔開的第一孔，并且其中，組件對應(yīng)于第一孔。

在一些實(shí)施例中，限定第一接觸孔的層的數(shù)量與限定第一孔的層的數(shù)量相同。

在一些實(shí)施例中，第一接觸孔的側(cè)表面在第一接觸孔的深度方向上的材料變化與第一孔的側(cè)表面在第一孔的深度方向上的材料變化相同。