[發明專利]顯示面板和包括該顯示面板的顯示裝置在審
| 申請號: | 202010195378.7 | 申請日: | 2020-03-19 |
| 公開(公告)號: | CN111755460A | 公開(公告)日: | 2020-10-09 |
| 發明(設計)人: | 裵寅浚;金東輝;金喆鎬;徐右吏;全珍 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;劉燦強 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 包括 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,所述顯示面板包括:
基底;
晶體管,位于所述基底上;
存儲電容器,位于所述基底上并且電連接到所述晶體管;
金屬層,位于所述基底與所述晶體管之間;
第一絕緣層,位于所述金屬層上并且具有第一接觸開口;以及
布線,通過所述第一接觸開口連接到所述金屬層,
其中,所述第一絕緣層具有與所述晶體管隔開的第一開口。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其中,所述第一絕緣層包括多個子層。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其中,限定所述第一接觸開口的層的數量與限定所述第一開口的層的數量相同。
4.根據權利要求1所述的顯示面板,其中,所述第一接觸開口的側表面在所述第一接觸開口的深度方向上的材料變化與所述第一開口的側表面在所述第一開口的深度方向上的材料變化相同。
5.根據權利要求1所述的顯示面板,所述顯示面板還包括:
第二絕緣層,位于所述第一絕緣層上并且具有與所述第一開口疊置的第二開口。
6.根據權利要求5所述的顯示面板,其中,所述第二絕緣層還具有用于所述晶體管的源電極或漏電極與所述晶體管的半導體層之間的連接的第二接觸開口。
7.根據權利要求6所述的顯示面板,其中,限定所述第二接觸開口的層的數量與限定所述第二開口的層的數量相同。
8.根據權利要求6所述的顯示面板,其中,所述第二接觸開口的側表面在所述第二接觸開口的深度方向上的材料變化與所述第二開口的側表面在所述第二開口的深度方向上的材料變化相同。
9.根據權利要求5所述的顯示面板,其中,所述第二開口的寬度與所述第一開口的寬度不同。
10.根據權利要求1所述的顯示面板,其中,所述金屬層具有與所述晶體管的柵電極的電壓電平相同的電壓電平。
11.根據權利要求10所述的顯示面板,所述顯示面板還包括:
驅動電壓線,電連接到所述晶體管和所述存儲電容器,
其中,所述金屬層具有與所述驅動電壓線的電壓電平相同的電壓電平。
12.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:
基底;
晶體管和存儲電容器,位于所述基底上;
金屬層,位于所述基底與所述晶體管之間;
第一絕緣層,位于所述金屬層上并且具有第一接觸開口;
布線,通過所述第一接觸開口連接到所述金屬層;以及
組件,布置在所述基底下方,
其中,所述第一絕緣層具有與所述晶體管隔開的第一開口,并且
其中,所述組件對應于所述第一開口。
13.根據權利要求12所述的顯示裝置,其中,限定所述第一接觸開口的層的數量與限定所述第一開口的層的數量相同。
14.根據權利要求12所述的顯示裝置,其中,所述第一接觸開口的側表面在所述第一接觸開口的深度方向上的材料變化與所述第一開口的側表面在所述第一開口的深度方向上的材料變化相同。
15.根據權利要求12所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括:
第二絕緣層,位于所述第一絕緣層上并且具有與所述第一開口疊置的第二開口。
16.根據權利要求15所述的顯示裝置,其中,所述第二絕緣層還具有用于所述晶體管的源電極或漏電極與所述晶體管的半導體層之間的連接的第二接觸開口。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





