[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件可靠性檢測(cè)方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備及介質(zhì)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010194800.7
• 申請(qǐng)日: 2020-03-19
• 公開（公告）號(hào): CN111458617B
• 公開（公告）日: 2023-01-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 艾精文;羅欣兒;李偉;余思達(dá);李家輝;彭澤亞
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳供電局有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/26
• 分類號(hào): G01R31/26
• 代理公司: 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

本申請(qǐng)涉及一種半導(dǎo)體器件可靠性檢測(cè)方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備及介質(zhì)，所述半導(dǎo)體器件可靠性檢測(cè)方法，包括對(duì)同類型的多個(gè)半導(dǎo)體器件分別進(jìn)行參數(shù)一致性測(cè)試、熱性能測(cè)試、結(jié)構(gòu)分析測(cè)試、工藝適應(yīng)性測(cè)試和耐久性測(cè)試，分別得到第一結(jié)果數(shù)組、第二結(jié)果數(shù)組、第三結(jié)果數(shù)組、第四結(jié)果數(shù)組和第五結(jié)果數(shù)組。本申請(qǐng)所述半導(dǎo)體器件可靠性檢測(cè)方法分別對(duì)所述半導(dǎo)體器件從參數(shù)一致性水平、熱性能水平、結(jié)構(gòu)分析水平、工藝適應(yīng)性水平和耐久性水平五個(gè)維度進(jìn)行測(cè)試，檢測(cè)維度更廣。本申請(qǐng)所述半導(dǎo)體器件可靠性檢測(cè)方法解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的目前對(duì)于IGBT產(chǎn)品可靠性的評(píng)價(jià)方法準(zhǔn)確度低的技術(shù)問題，達(dá)到了提高對(duì)于IGBT產(chǎn)品可靠性的評(píng)價(jià)方法準(zhǔn)確度的技術(shù)效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及電子元器件技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體器件可靠性檢測(cè)方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備及介質(zhì)。

背景技術(shù)

絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，以下簡(jiǎn)稱IGBT)是一種是由雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管組成的電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。目前國(guó)內(nèi)外有眾多IGBT生產(chǎn)廠家，每個(gè)廠家均包含不同型號(hào)的IGBT產(chǎn)品，每個(gè)IGBT產(chǎn)品的規(guī)格書中均會(huì)明確標(biāo)示有電特性參數(shù)和熱性能參數(shù)供使用者參考。目前對(duì)IGBT產(chǎn)品的可靠性評(píng)價(jià)主要是以電參數(shù)和熱性能作為衡量指標(biāo)，但是，僅以電參數(shù)和熱性能參數(shù)作為衡量IGBT產(chǎn)品可靠性的檢驗(yàn)指標(biāo)所得到的關(guān)于IGBT的可靠性僅可以代表被測(cè)IGBT個(gè)體，無法代表不同IGBT的總體水平，從而導(dǎo)致目前對(duì)于IGBT產(chǎn)品可靠性的評(píng)價(jià)方法準(zhǔn)確度低。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要針對(duì)目前對(duì)于IGBT產(chǎn)品可靠性的評(píng)價(jià)方法準(zhǔn)確度低的問題，提供一種半導(dǎo)體器件可靠性檢測(cè)方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備及介質(zhì)。

一種半導(dǎo)體器件可靠性檢測(cè)方法，所述方法包括：

對(duì)同類型的多個(gè)半導(dǎo)體器件分別進(jìn)行參數(shù)一致性測(cè)試、熱性能測(cè)試、結(jié)構(gòu)分析測(cè)試、工藝適應(yīng)性測(cè)試和耐久性測(cè)試，分別得到第一結(jié)果數(shù)組、第二結(jié)果數(shù)組、第三結(jié)果數(shù)組、第四結(jié)果數(shù)組和第五結(jié)果數(shù)組；

分別對(duì)所述第一結(jié)果數(shù)組、所述第二結(jié)果數(shù)組、所述第三結(jié)果數(shù)組、所述第四結(jié)果數(shù)組和所述第五結(jié)果數(shù)組進(jìn)行評(píng)估打分，確定第一評(píng)估分值、第二評(píng)估分值、第三評(píng)估分值、第四評(píng)估分值和第五評(píng)估分值；

根據(jù)預(yù)設(shè)加權(quán)模型，對(duì)所述第一評(píng)估分值、所述第二評(píng)估分值、所述第三評(píng)估分值、所述第四評(píng)估分值和所述第五評(píng)估分值進(jìn)行加權(quán)計(jì)算，得到所述多個(gè)半導(dǎo)體器件的標(biāo)準(zhǔn)分值；

根據(jù)所述標(biāo)準(zhǔn)分值確定所述多個(gè)半導(dǎo)體器件的可靠性。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述對(duì)同類型的多個(gè)半導(dǎo)體器件分別進(jìn)行參數(shù)一致性測(cè)試、熱性能測(cè)試、結(jié)構(gòu)分析測(cè)試、工藝適應(yīng)性測(cè)試和耐久性測(cè)試，分別得到第一結(jié)果數(shù)組、第二結(jié)果數(shù)組、第三結(jié)果數(shù)組、第四結(jié)果數(shù)組和第五結(jié)果數(shù)組，包括：

將所述多個(gè)半導(dǎo)體器件分為第一測(cè)試組、第二測(cè)試組、第三測(cè)試組、第四測(cè)試組和第五測(cè)試組；

對(duì)所述第一測(cè)試組中的多個(gè)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行所述參數(shù)一致性測(cè)試，確定所述第一測(cè)試組中每個(gè)所述半導(dǎo)體器件的一致性表征參數(shù)，得到第一結(jié)果數(shù)組；

對(duì)所述第二測(cè)試組中的多個(gè)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行所述熱性能測(cè)試，確定所述第二測(cè)試組中每個(gè)所述半導(dǎo)體器件的熱性能表征參數(shù)，得到第二結(jié)果數(shù)組；

對(duì)所述第三測(cè)試組中的多個(gè)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行所述結(jié)構(gòu)分析測(cè)試，確定所述第三測(cè)試組中每個(gè)所述半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)表征參數(shù)，得到第三結(jié)果數(shù)組；

對(duì)所述第四測(cè)試組中的多個(gè)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行所述工藝適應(yīng)性測(cè)試，確定所述第四測(cè)試組中每個(gè)所述半導(dǎo)體器件的工藝適應(yīng)性表征參數(shù)，得到第四結(jié)果數(shù)組；

對(duì)所述第五測(cè)試組中的多個(gè)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行所述耐久性測(cè)試，確定所述第五測(cè)試組中每個(gè)所述半導(dǎo)體器件的耐久性表征參數(shù)，得到第五結(jié)果數(shù)組。