[發明專利]半導體器件可靠性檢測方法、裝置、計算機設備及介質

有效

• 申請號: 202010194800.7
• 申請日: 2020-03-19
• 公開（公告）號: CN111458617B
• 公開（公告）日: 2023-01-24
• 發明（設計）人: 艾精文;羅欣兒;李偉;余思達;李家輝;彭澤亞
• 申請（專利權）人: 深圳供電局有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種半導體器件可靠性檢測方法，其特征在于，所述方法包括：

將同類型的多個半導體器件分為第一測試組、第二測試組、第三測試組、第四測試組和第五測試組，分別進行參數一致性測試、熱性能測試、結構分析測試、工藝適應性測試和耐久性測試，分別得到第一結果數組、第二結果數組、第三結果數組、第四結果數組和第五結果數組；所述參數一致性指所述多個半導體器件不同個體的參數的分布情況；

分別對所述第一結果數組、所述第二結果數組、所述第三結果數組、所述第四結果數組和所述第五結果數組進行評估打分，確定第一評估分值、第二評估分值、第三評估分值、第四評估分值和第五評估分值；

根據預設加權模型，對所述第一評估分值、所述第二評估分值、所述第三評估分值、所述第四評估分值和所述第五評估分值進行加權計算，得到所述多個半導體器件的標準分值；

根據所述標準分值確定所述多個半導體器件的可靠性；

所述進行參數一致性測試，包括：

對所述第一測試組中的多個所述半導體器件進行參數一致性測試，確定所述第一測試組中每個所述半導體器件的一致性表征參數，得到第一結果數組；

所述對所述第一測試組中的多個所述半導體器件進行參數一致性測試，確定所述第一測試組中每個所述半導體器件的一致性表征參數，得到第一結果數組，包括：

將所述第一測試組中的多個所述半導體器件分為第一子測試組、第二子測試組、第三子測試組和第四子測試組；

分別對所述第一子測試組、所述第二子測試組、所述第三子測試組和所述第四子測試組進行漏電流測試、芯片粘接空洞測試、擊穿電壓測試和靜電耐量測試，得到所述第一子測試組的漏電流均值、所述第二子測試組的多個粘接空洞率、所述第三子測試組的多個擊穿電壓和所述第四子測試組的多個抗靜電能力；

根據所述漏電流均值、所述多個粘接空洞率、所述多個擊穿電壓和所述多個抗靜電能力確定所述第一結果數組。

2.根據權利要求1所述的半導體器件可靠性檢測方法，其特征在于，所述分別進行參數一致性測試、熱性能測試、結構分析測試、工藝適應性測試和耐久性測試，分別得到第一結果數組、第二結果數組、第三結果數組、第四結果數組和第五結果數組，包括：

對所述第二測試組中的多個所述半導體器件進行所述熱性能測試，確定所述第二測試組中每個所述半導體器件的熱性能表征參數，得到第二結果數組；

對所述第三測試組中的多個所述半導體器件進行所述結構分析測試，確定所述第三測試組中每個所述半導體器件的結構表征參數，得到第三結果數組；

對所述第四測試組中的多個所述半導體器件進行所述工藝適應性測試，確定所述第四測試組中每個所述半導體器件的工藝適應性表征參數，得到第四結果數組；

對所述第五測試組中的多個所述半導體器件進行所述耐久性測試，確定所述第五測試組中每個所述半導體器件的耐久性表征參數，得到第五結果數組。

3.根據權利要求2所述的半導體器件可靠性檢測方法，其特征在于，所述對所述第二測試組中的多個所述半導體器件進行熱性能測試，確定所述第二測試組中每個所述半導體器件的熱性能表征參數，得到第二結果數組，包括：

對所述第二測試組中的多個所述半導體器件進行熱性能測試，得到熱阻系數均值、引線截面電流密度均值、晶圓功率密度均值和封裝功率密度均值；

根據所述熱阻系數均值、所述引線截面電流密度均值、所述晶圓功率密度均值和所述封裝功率密度均值確定所述第二結果數組。

4.根據權利要求2所述的半導體器件可靠性檢測方法，其特征在于，所述對所述第五測試組中的多個所述半導體器件進行耐久性測試，確定所述第五測試組中每個所述半導體器件的耐久性表征參數，得到第五結果數組，包括：

將所述第五測試組中的多個所述半導體器件分為第五子測試組、第六子測試組和第七子測試組；

分別對所述第五子測試組、所述第六子測試組和所述第七子測試組進行高溫反偏測試、無偏高壓蒸汽壓測試和功率溫度循環測試，得到所述第五子測試組的平均漂移率、所述第六子測試組的第一失效率和所述第七子測試組的第二失效率；

根據所述平均漂移率、所述第一失效率和所述第二失效率確定所述第五結果數組。