[發明專利]納米晶及納米晶的制備方法

在審

• 申請號: 202010194535.2
• 申請日: 2020-03-19
• 公開（公告）號: CN111410961A
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發明（設計）人: 汪均;袁秀玲;蘇葉華;喬培勝
• 申請（專利權）人: 納晶科技股份有限公司
• 主分類號: C09K11/88
• 分類號: C09K11/88;C01B25/08;C01B19/00;C01G9/08
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明提供了一種納米晶及其制備方法。該納米晶包括第一納米結構和多個第二納米結構，第一納米結構為InZnP/ZnSe，第二納米結構為ZnS，第二納米結構圍繞第一納米結構，且第二納米結構的至少一部分不和第一納米結構連接，且第二納米結構的至少一部分和第一納米結構連接，多個第二結構覆蓋至少一部分第一納米結構的表面。該納米晶具有花朵狀，更利于對其表面結構的設計和發光性能的優化。同時，制備該納米晶的方法簡單、可控，制備得到的納米晶分散良好，尺寸均一，性能良好。

技術領域

本發明涉及納米晶技術領域，具體而言，涉及一種納米晶及納米晶的制備方法。

背景技術

納米材料的物理和化學性能與其形貌和尺寸有密切的關系，因此其研究備受關注。納米花因其具有多枝結構和粗糙的表面，具有獨特的性能，因此在催化、光電子器件，生物標記和檢測，表面增強拉曼散射、光熱治療等領域具有廣泛的應用前景。比如CN108500293A中描述的金納米花，CN105036180A中描述的ZnO納米花，CN107043124A中描述了CdS納米花等。

近年來，含CdSe、CdS等II-VI族基納米材料的研究取得了極大的進展，其效率、半峰寬，穩定性等性能得到很大提高，并已應用于顯示、生物、催化等領域。但是由于Cd是有毒的重金屬，歐盟《關于化學品注冊、評估、許可和限制的法規》(簡稱“REACH”)對進入其市場的貨物中的含Cd量都做了嚴格的規定，其廣泛應用受到一定限制，因此人們對環保型無鎘納米晶的研究從來沒有放棄。在無鎘納米晶中，III-V族InP基量子點成為研究的熱點，有望替代含Cd基納米晶。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種簡單的制備無鎘花朵狀InZnP/ZnSe/ZnS納米晶及其的方法，并且制備出一種分散良好，尺寸均一，性能良好的花朵狀InZnP/ZnSe/ZnS納米晶，且制備方法簡單，可控。

為了實現上述目的，根據本發明的一個方面，提供了一種納米晶，包括第一納米結構和多個第二納米結構，第一納米結構為InZnP/ZnSe，第二納米結構為ZnS，第二納米結構圍繞第一納米結構，且第二納米結構的至少一部分不和第一納米結構連接，且第二納米結構的至少一部分和第一納米結構連接，多個第二結構覆蓋至少一部分第一納米結構的表面。

進一步地，多個第二納米結構中，至少兩個第二納米結構相互連接，優選地，納米晶的熒光峰值波長范圍為610～630nm。

為了實現上述目的，根據本發明的一個方面，提供了一種納米晶的制備方法，包括步驟：

S1，準備InZnP納米晶溶液；S2，將第一短鏈脂肪酸鋅、第一非配位溶劑、第一長鏈脂肪酸在容器中混合并加熱至第一溫度，排氣一定時間；在第二溫度下向容器中加入InZnP納米晶溶液，然后向容器中加入Se前體，反應一定時間生成核殼結構的InZnP/ZnSe納米晶；S3，向容器中加入S前體，在第三溫度下反應一定時間后終止反應；其中，Se前體和S前體加入量的摩爾比小于1。

根據本發明的一個方面，提供了一種納米晶的制備方法，包括步驟：S1，準備InZnP納米晶溶液；S2，將第一短鏈脂肪酸鋅、第一非配位溶劑在容器中混合并加熱至第一溫度，排氣一定時間；在第二溫度下向容器中加入InZnP納米晶溶液，反應一定時間后加入第一長鏈脂肪酸，然后在第二溫度下向容器中加入Se前體，反應一定時間生成核殼結構的InZnP/ZnSe納米晶；S3，向容器中加入S前體，在第三溫度下反應一定時間后終止反應；其中，Se前體和S前體加入量的摩爾比小于1。