[發明專利]納米晶及納米晶的制備方法

在審

• 申請號: 202010194535.2
• 申請日: 2020-03-19
• 公開（公告）號: CN111410961A
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發明（設計）人: 汪均;袁秀玲;蘇葉華;喬培勝
• 申請（專利權）人: 納晶科技股份有限公司
• 主分類號: C09K11/88
• 分類號: C09K11/88;C01B25/08;C01B19/00;C01G9/08
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種納米晶，其特征在于，包括第一納米結構和多個第二納米結構，所述第一納米結構為InZnP/ZnSe，所述第二納米結構為ZnS，所述第二納米結構圍繞所述第一納米結構，且所述第二納米結構的至少一部分不和所述第一納米結構連接，且所述第二納米結構的至少一部分和所述第一納米結構連接，多個所述第二結構覆蓋至少一部分所述第一納米結構的表面。

2.根據權利要求1所述的納米晶，其特征在于，所述多個第二納米結構中，至少兩個第二納米結構相互連接，優選地，所述納米晶的熒光峰值波長范圍為610～630nm。

3.一種納米晶的制備方法，其特征在于，包括步驟：

S1，準備InZnP納米晶溶液；

S2，將第一短鏈脂肪酸鋅、第一非配位溶劑、第一長鏈脂肪酸在容器中混合并加熱至第一溫度，排氣一定時間；在第二溫度下向所述容器中加入所述InZnP納米晶溶液，然后向所述容器中加入Se前體，反應一定時間生成核殼結構的InZnP/ZnSe納米晶；

S3，向所述容器中加入S前體，在第三溫度下反應一定時間后終止反應；

其中，所述Se前體和所述S前體加入量的摩爾比小于1。

4.一種納米晶的制備方法，其特征在于，包括步驟：

S1，準備InZnP納米晶溶液；

S2，將第一短鏈脂肪酸鋅、第一非配位溶劑在容器中混合并加熱至第一溫度，排氣一定時間；在第二溫度下向所述容器中加入所述InZnP納米晶溶液，反應一定時間后加入第一長鏈脂肪酸，然后在第二溫度下向所述容器中加入Se前體，反應一定時間生成核殼結構的InZnP/ZnSe納米晶；

S3，向所述容器中加入S前體，在第三溫度下反應一定時間后終止反應；

其中，所述Se前體和所述S前體加入量的摩爾比小于1。

5.一種納米晶的制備方法，其特征在于，包括步驟：

S1，準備InZnP納米晶溶液；

S2，將第一短鏈脂肪酸鋅、第一非配位溶劑、配體、第一長鏈脂肪酸在容器中混合并加熱至第一溫度，排氣一定時間；在第二溫度下向所述容器中加入所述InZnP納米晶溶液，然后向所述容器中加入Se前體，反應一定時間，生成核殼結構的InZnP/ZnSe納米晶；

S3，向所述容器中加入S前體，在第三溫度下反應一定時間后終止反應；

其中，所述配體選自三辛胺、三辛基膦中的一種或多種，所述Se前體和所述S前體加入量的摩爾比小于1。

6.一種納米晶的制備方法，其特征在于，包括步驟：

S1，準備InZnP納米晶溶液；

S2，將第一短鏈脂肪酸鋅、第一非配位溶劑、第一長鏈脂肪酸在第一容器中混合并加熱至第一溫度，排氣一定時間；在所述第一溫度下向所述第一容器中加入所述InZnP納米晶溶液，加入第三長鏈脂肪酸，繼續排氣一定時間，然后在第四溫度下向所述第一容器中加入Se前體，在第三溫度下反應一定時間后終止反應并進行分離純化重新溶解于第三非配位溶劑中，得到InZnP/ZnSe納米晶溶液；

S3，將第二短鏈脂肪酸鋅、第二非配位溶劑、第二長鏈脂肪酸在第二容器中混合并加熱至第一溫度，排氣一定時間；在第二溫度下向所述第二容器中加入所述InZnP/ZnSe納米晶溶液，然后向所述第二容器中加入S前體，在第三溫度下反應一定時間后終止反應；

其中，所述Se前體和所述S前體加入量的摩爾比小于1。