[發明專利]三維存儲器件以及用于形成三維存儲器件的方法

有效

• 申請號: 202010194481.X
• 申請日: 2018-09-14
• 公開（公告）號: CN111354732B
• 公開（公告）日: 2021-04-27
• 發明（設計）人: 劉峻
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11529
• 分類號: H01L27/11529;H01L27/11524;H01L27/11531;H01L27/11548;H01L27/11551;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582
• 代理公司: 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376
• 代理人: 楊錫勱;趙磊

公開了三維(3D)存儲器件和形成3D存儲器件的方法的實施例。在示例中，3D存儲器件包括襯底、設置于襯底上的外圍器件、設置于外圍器件上方的外圍互連層、設置于外圍互連層上方并電連接到外圍互連層的第一源極板、設置于第一源極板上的第一存儲器堆疊層、豎直延伸通過第一存儲器堆疊層并與第一源極板接觸的第一存儲器串、以及設置于第一存儲器串和外圍器件上方并電連接到第一存儲器串和外圍器件的第一位線。

背景技術

本公開的實施例涉及三維(3D)存儲器件及其制造方法。

通過改善工藝技術、電路設計、編程算法和制造工藝，平面存儲單元被縮放到更小尺寸。然而，隨著存儲單元的特征尺寸接近下限，平面工藝和制造技術變得具有挑戰性且成本高昂。結果，平面存儲單元的存儲密度接近上限。

3D存儲器架構能夠解決平面存儲單元中的密度限制。3D存儲器架構包括存儲器陣列和用于控制到和來自存儲器陣列的信號的外圍器件。

發明內容

本文公開了3D存儲器件及其制造方法的實施例。

在一個示例中，一種3D存儲器件包括襯底、設置于襯底上的外圍器件、設置于外圍器件上方的外圍互連層、設置于外圍互連層上方并電連接到外圍互連層的第一源極板、設置于第一源極板上的第一存儲器堆疊層、豎直延伸通過第一存儲器堆疊層并與第一源極板接觸的第一存儲器串、以及設置于第一存儲器串和外圍器件上方并電連接到第一存儲器串和外圍器件的第一位線。

在另一個示例中，一種3D存儲器件包括襯底、包括設置于襯底上的復用器的外圍器件、設置于外圍器件上方的第一存儲器堆疊層、豎直延伸通過第一存儲器堆疊層的第一存儲器串、設置于第一存儲器串和復用器上方并電連接到第一存儲器串和復用器的第一位線、設置于第一位線上方的第二存儲器堆疊層、豎直延伸通過第二存儲器堆疊層的第二存儲器串、設置于第二存儲器串和復用器上方并電連接到第二存儲器串和復用器的第二位線。復用器被配置成選擇第一和第二存儲器串之一。

在另一示例中，公開了一種用于形成3D存儲器件的方法。外圍器件形成在襯底上。外圍互連層形成在外圍器件上方。第一源極板形成在外圍互連層上方并電連接到外圍互連層。形成豎直延伸通過第一存儲器堆疊層的第一存儲器串。第一存儲器串在第一源極板上方并且與第一源極板接觸。第一位線形成在第一存儲器串和外圍器件上方并電連接到第一存儲器串和外圍器件。

附圖說明

被并入本文并形成說明書的一部分的附圖例示了本公開的實施例并與說明書一起進一步用以解釋本公開的原理，并使相關領域的技術人員能夠做出和使用本公開。

圖1示出了根據本公開的一些實施例的示例性3D存儲器件的截面。

圖2示出了根據本公開的一些實施例的具有浮置柵的示例性NAND存儲器串的截面。

圖3A-圖3F示出了根據本公開的一些實施例的用于形成3D存儲器件的示例性制造過程。

圖4是根據本公開的一些實施例的用于形成3D存儲器件的示例性方法的流程圖。

將參考附圖描述本公開的實施例。

具體實施方式

盡管對具體配置和布置進行了討論，但應當理解，這只是出于示例性目的而進行的。相關領域中的技術人員將認識到，可以使用其它配置和布置而不脫離本公開的精神和范圍。對相關領域的技術人員顯而易見的是，本公開還可以用于多種其它應用中。

要指出的是，在說明書中提到“一個實施例”、“實施例”、“示例性實施例”、“一些實施例”等指示所述的實施例可以包括特定特征、結構或特性，但未必每個實施例都包括該特定特征、結構或特性。此外，這種短語未必是指同一個實施例。另外，在結合實施例描述特定特征、結構或特性時，結合其它實施例(無論是否明確描述)實現這種特征、結構或特性應在相關領域技術人員的知識范圍內。