[發(fā)明專利]三維存儲器件以及用于形成三維存儲器件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010194481.X
• 申請日: 2018-09-14
• 公開（公告）號: CN111354732B
• 公開（公告）日: 2021-04-27
• 發(fā)明（設計）人: 劉峻
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11529
• 分類號: H01L27/11529;H01L27/11524;H01L27/11531;H01L27/11548;H01L27/11551;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582
• 代理公司: 北京永新同創(chuàng)知識產(chǎn)權代理有限公司 11376
• 代理人: 楊錫勱;趙磊

1.一種三維3D存儲器件，包括：

襯底；

設置于所述襯底上的外圍器件；

設置于所述外圍器件上方的外圍互連層；

設置于所述外圍互連層上方的第一存儲器陣列器件，其中，所述第一存儲器陣列器件包括：

設置于所述外圍互連層上方并電連接到所述外圍互連層的第一源極板；

設置于所述第一源極板上的第一存儲器堆疊層；以及

豎直延伸通過所述第一存儲器堆疊層并與所述第一源極板接觸的第一存儲器串；

設置于所述第一存儲器串和所述外圍器件上方并電連接到所述第一存儲器串和所述外圍器件的第一位線；以及

設置于所述第一位線上方的并且豎直堆疊的n個存儲器陣列器件，其中，所述n個存儲器陣列器件分別包括相應的源極板，

其中，在所述n個存儲器陣列器件中的每個存儲器陣列器件上方設置有電連接到該存儲器陣列器件的存儲器串和所述外圍器件的相應位線，n為正整數(shù)，

其中，所述外圍器件包括復用器，所述復用器被配置為選擇所述n個存儲器陣列器件和所述第一存儲器陣列器件中的一者的存儲器串。

2.根據(jù)權利要求1所述的3D存儲器件，其中，所述第一源極板包括：

與所述外圍互連層接觸的導電板；以及

設置于所述導電板上并與所述第一存儲器串的下端接觸的半導體板。

3.根據(jù)權利要求2所述的3D存儲器件，其中，所述導電板包括金屬硅化物，并且所述半導體板包括多晶硅。

4.根據(jù)權利要求1-3中的任一項所述的3D存儲器件，其中，所述n個存儲器陣列器件中的第二存儲器陣列器件包括：

設置于所述第一位線上方并電連接到所述外圍互連層的第二源極板；

設置于所述第二源極板上的第二存儲器堆疊層；

豎直延伸通過所述第二存儲器堆疊層并與所述第二源極板接觸的第二存儲器串；以及

所述3D存儲器件還包括：設置于所述第二存儲器串和所述外圍器件上方并電連接到所述第二存儲器串和所述外圍器件的第二位線。

5.根據(jù)權利要求1-3中的任一項所述的3D存儲器件，其中，所述外圍器件還包括通過所述復用器由所述n個存儲器陣列器件和所述第一存儲器陣列器件中的每一者的存儲器串共享的數(shù)據(jù)緩沖器和驅動器。

6.根據(jù)權利要求1-3中的任一項所述的3D存儲器件，其中，所述第一存儲器堆疊層包括交錯的多晶硅層和氧化硅層。

7.根據(jù)權利要求1-3中的任一項所述的3D存儲器件，其中，所述第一存儲器串包括多個浮置柵。

8.一種用于形成三維3D存儲器件的方法，包括：

在襯底上形成外圍器件；

在所述外圍器件上方形成外圍互連層；

在所述外圍互連層上方形成第一存儲器陣列器件，其中，形成所述第一存儲器陣列器件包括：

將第一源極板形成在所述外圍互連層上方并電連接到所述外圍互連層；以及

形成豎直延伸通過第一存儲器堆疊層的第一存儲器串，所述第一存儲器串在所述第一源極板上方并且與所述第一源極板接觸；

將第一位線形成在所述第一存儲器串和所述外圍器件上方并電連接到所述第一存儲器串和所述外圍器件；以及

在所述第一位線上方形成豎直堆疊的n個存儲器陣列器件，其中，所述n個存儲器陣列器件分別包括相應的源極板，

其中，在所述n個存儲器陣列器件中的每個存儲器陣列器件上方形成有電連接到該存儲器陣列器件的存儲器串和所述外圍器件的相應位線，n為正整數(shù)，

其中，所述外圍器件包括復用器，所述復用器被配置為選擇所述n個存儲器陣列器件和所述第一存儲器陣列器件中的一者的存儲器串。

9.根據(jù)權利要求8所述的方法，其中，形成所述第一源極板包括：

形成與所述外圍互連層接觸的導電板；以及

將半導體板形成在所述導電板上并與所述第一存儲器串的下端接觸。