[發明專利]類第三代半導體性能的N型硅基新型場效應管及加工方法在審
| 申請號： | 202010192706.8 | 申請日： | 2020-03-18 |
| 公開（公告）號： | CN111370490A | 公開（公告）日： | 2020-07-03 |
| 發明（設計）人： | 夏乾華 | 申請（專利權）人： | 鑫金微半導體（深圳）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L25/18;H01L21/50;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京酷愛智慧知識產權代理有限公司 11514 | 代理人： | 占麗君 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市寶安*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 第三代 半導體 性能 型硅基 新型 場效應 加工 方法 | ||
1.一種類第三代半導體性能的N型硅基新型場效應管，包括至少一個硅基場效應管晶圓，其特征在于，
所述每個硅基場效應管晶圓的源極和漏極之間并聯一肖特基二極管晶圓，其中肖特基二極管晶圓的正極接硅基場效應管晶圓的源極，肖特基二極管晶圓的負極接硅基場效應管晶圓的漏極。
2.根據權利要求1所述類第三代半導體性能的N型硅基新型場效應管，其特征在于，
所述肖特基二極管晶圓的正向壓降小于所述硅基場效應管晶圓中寄生體二極管的正向壓降。
3.根據權利要求1所述類第三代半導體性能的N型硅基新型場效應管，其特征在于，
所述N型硅基新型場效應管的封裝形式包括TO-220F全塑封、TO-220BF半塑封、TO-220鐵封、TO-247、TO-252、TO-3P、DFN5*6或DFN8X8。
4.根據權利要求1所述類第三代半導體性能的N型硅基新型場效應管，其特征在于，
所述硅基場效應管晶圓采用平面型VDMOS工藝、溝槽型工藝、超級結型工藝或屏蔽柵SGT工藝制成。
5.根據權利要求1所述類第三代半導體性能的N型硅基新型場效應管，其特征在于，
所述硅基場效應管晶圓和所述肖特基二極管晶圓通過金屬線鍵合后，通過焊接工藝合封在同一封裝元件內，構成所述N型硅基新型場效應管。
6.根據權利要求5所述類第三代半導體性能的N型硅基新型場效應管，其特征在于，
所述硅基場效應管晶圓的源極、柵極和漏極分別通過金屬線連接至N型硅基新型場效應管的源極引腳、柵極引腳和漏極引腳。
7.根據權利要求5所述類第三代半導體性能的N型硅基新型場效應管，其特征在于，
所述硅基場效應管晶圓的漏極和所述肖特基二極管晶圓的負極之間連接的金屬線包括設置在硅基場效應管晶圓的漏極和肖特基二極管晶圓的負極之間的銅框架。
8.一種類第三代半導體性能的N型硅基新型場效應管的加工方法，其特征在于，包括以下步驟：
在每個硅基場效應管晶圓的源極和漏極之間并聯一肖特基二極管晶圓，并進行封裝；
其中肖特基二極管晶圓的正極接硅基場效應管晶圓的源極，肖特基二極管晶圓的負極接硅基場效應管晶圓的漏極；所述肖特基二極管晶圓的正向壓降小于所述硅基場效應管晶圓中寄生體二極管的正向壓降。
9.根據權利要求8所述類第三代半導體性能的N型硅基新型場效應管的加工方法，其特征在于，該方法還包括：
所述N型硅基新型場效應管的封裝形式包括TO-220F全塑封、TO-220BF半塑封、TO-220鐵封、TO-247、TO-252、TO-3P、DFN5*6或DFN8X8。
10.根據權利要求8所述類第三代半導體性能的N型硅基新型場效應管的加工方法，其特征在于，
所述硅基場效應管晶圓采用平面型VDMOS工藝、溝槽型工藝、超級結型工藝或屏蔽柵SGT工藝制成。
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