[發明專利]一種LED顯示器像素單元結構及巨量轉移方法

在審

• 申請號: 202010192493.9
• 申請日: 2020-03-18
• 公開（公告）號: CN113497011A
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發明（設計）人: 洪溫振;徐瑞林
• 申請（專利權）人: 重慶康佳光電技術研究院有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L27/15;H01L21/683
• 代理公司: 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 44281
• 代理人: 李發兵

本發明涉及顯示器制造領域，具體涉及一種LED顯示器像素單元結構，包括一顯示背板，所述顯示背板上陣列劃分為多個像素區域；每個像素區域，包括，第一、第、第三LED芯片，以及設置在所述顯示背板上的高度為h1的第一凸臺和高度為h2的第二凸臺；所述第一凸臺的高度h1小于或等于所述第二凸臺的高度h2；所述第一LED芯片設置于所述像素區域內的顯示背板上，所述第一LED芯片包括有第一電極組，所述第一電極組高度為hr，hr≥h2；所述第二LED芯片設置于所述第一凸臺上，所述第三LED芯片設置于所述第二凸臺上。本發明還涉及一種巨量轉移方法，通過光刻膠暫時增大每顆LED芯片的尺寸，可以降低對轉移頭的制造要求。

技術領域

本發明涉及LED顯示裝置制造技術領域，尤其涉及一種LED顯示器像素單元結構及巨量LED芯片轉移方法。

背景技術

隨著市場對顯示屏的要求日漸提高，微間距顯示屏越見越微，Micro-LED迅速導入市場，而平均每塊微間距面板的LED使用量更是以幾何級數上升，除了要解決“量”的問題，還有“質”的考慮，如花屏、死點、不同觀賞角度的亮度一致性等。

“巨量轉移”難度高企，成為目前Micro-LED實現產業化的攔路虎，這件事情在業界已經不是秘密。為此，專注巨量轉移技術的各類企業也是各出奇招，紛紛希望借此契機克服難關，提高轉移效率，以推進Micro-LED進一步實現產業化。傳統的LED在封裝環節，主要采用真空吸取的方式進行轉移。但由于真空管在物理極限下只能做到大約80μm，而Micro-LED的尺寸基本小于50μm，所以真空吸附的方式在MicroLED時代不再適用。但順延著“吸取”的邏輯，目前業界誕生出至少三種精準抓取(Fine Pick/Place)的技術：“靜電力”、“凡德瓦力”和“磁力”。此外，腦洞大開的技術咖，又開發出選擇性釋放(Selective Release)、自組裝(Self-Assembly)及轉印(Roll Printing)三個方向的黑科技。但無論用什么方法，巨量轉移的難點在于，如何提升轉移良率到99.9999％(俗稱的”六個九”)，且每顆芯片的精準度必須控制在正負0.5μm以內，同時還要兼顧轉移效率。

發明內容

基于以上問題，本發明設計一種LED顯示器像素單元結構以及巨量轉移方法，能夠很好的實現微LED芯片的巨量轉移，LED顯示器像素單元結構如下：

一種LED顯示器像素單元結構，包括一種LED顯示器像素單元結構，其特征在于，包括一顯示背板，所述顯示背板上陣列劃分為多個像素區域；

每個像素區域，包括，第一LED芯片、第二LED芯片及第三LED芯片，以及設置在所述顯示背板上的高度為h1的第一凸臺和高度為h2的第二凸臺；所述第一凸臺的高度h1

小于或等于所述第二凸臺的高度h2；

所述第一LED芯片設置于所述像素區域內的顯示背板上，所述第一LED芯片包括有第一電極組，所述第一電極組高度為hr，hr≥h2；

所述第二LED芯片設置于所述第一凸臺上，

進一步的，所述第一LED芯片的高度為h_R所述第二LED芯片包括有第二電極組，所述第一電極組高度為h_g，hg+h1＞h_R。

進一步的，所述第二LED芯片的高度為h_G所述第三LED芯片包括有第三電極組，所述第三電極組的高度為h_b，h_b+h2≥h_G+h1。

進一步的，所述顯示背板、所述第一凸臺及所述第二凸臺上分別形成有與所述第一電極組、所述第二電極組及所述第三電極組相對應的鍵合所述LED芯片上的電極組，使所述第一LED芯片、所述第二LED芯片及所述第三LED芯片與所述顯示背板電性連接。

本發明還涉及一種巨量轉移方法，其包括如下步驟：