[發明專利]一種LED顯示器像素單元結構及巨量轉移方法在審
| 申請號: | 202010192493.9 | 申請日: | 2020-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN113497011A | 公開(公告)日: | 2021-10-12 |
| 發明(設計)人: | 洪溫振;徐瑞林 | 申請(專利權)人: | 重慶康佳光電技術研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/075 | 分類號: | H01L25/075;H01L27/15;H01L21/683 |
| 代理公司: | 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 44281 | 代理人: | 李發兵 |
| 地址: | 402760 重慶市璧*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 led 顯示器 像素 單元 結構 巨量 轉移 方法 | ||
1.一種LED顯示器像素單元結構,其特征在于,包括一顯示背板,所述顯示背板上陣列劃分為多個像素區域;
每個像素區域,包括,第一LED芯片、第二LED芯片及第三LED芯片,以及設置在所述顯示背板上的高度為h1的第一凸臺和高度為h2的第二凸臺;所述第一凸臺的高度h1小于或等于所述第二凸臺的高度h2;
所述第一LED芯片設置于所述像素區域內的顯示背板上,所述第一LED芯片包括有第一電極組,所述第一電極組高度為hr,hr≥h2;
所述第二LED芯片設置于所述第一凸臺上,
所述第三LED芯片設置于所述第二凸臺上。
2.如權利要求1所述的LED顯示器像素單元結構,其特征在于,所述第一LED芯片的高度為hR,所述第二LED芯片包括有第二電極組,所述第二電極組高度為hg,hg+h1>hR。
3.如權利要求2所述的LED顯示器像素單元結構,其特征在于,所述第二LED芯片的高度為hG,所述第三LED芯片包括有第三電極組,所述第三電極組的高度為hb,hb+h2≥hG+h1。
4.如權利要求1所述的LED顯示器像素單元結構,其特征在于,所述顯示背板、所述第一凸臺及所述第二凸臺上分別形成有與所述第一電極組、所述第二電極組及所述第三電極組相對應的鍵合所述LED芯片上的電極組,使所述第一LED芯片、所述第二LED芯片及所述第三LED芯片與所述顯示背板電性連接。
5.一種巨量轉移方法,其特征在于,包括如下步驟:
S10提供一第一生長基板,所述第一生長基板上生長有第一LED芯片,形成于所述第一LED芯片上的第一電極組背離所述生長基板;
S11提供一第一臨時基板,所述第一臨時基板表面形成有第一粘合劑層,所述第一粘合劑層靠近所述第一LED芯片,并粘合所述第一電極組,然后將所述生長基板與所述第一LED芯片剝離;
S12提供一第二臨時基板,所述第二臨時基板表面形成有第二粘合劑層,所述第二粘合劑層靠近并粘合所述第一LED芯片,然后用激光選擇性的將待轉移的所述第一LED芯片從所述第一粘合劑層分離;
S13在所述第二粘合劑層上涂覆光刻膠材料,形成第一光刻膠層,所述第一電極從所述第一光刻膠層露出,所述第一光刻膠層的厚度為H1,所述第一LED芯片的高度為hR,所述第一電極組高度hr,H1≥hR-hr;
S14將所述第一LED芯片轉移至所述顯示背板,將所述第一電極組與所述顯示背板上的電極組相鍵合,用激光將所述第一LED芯片與所述第二粘合劑層分離;
S15用顯影液溶解移除所述第一光刻膠層。
6.如權利要求5所述的巨量轉移方法,其特征在于,所述顯示背板上形成有第一凸臺及第二凸臺,所述第一凸臺的高度h1小于或等于所述第二凸臺的高度h2,hR-H1≥h2,因而,所述第一電極的高度hr大于或等于所述第二凸臺的高度h2。
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