[發明專利]固態裝配型諧振器及其制備方法

有效

• 申請號: 202010191951.7
• 申請日: 2020-03-18
• 公開（公告）號: CN111294011B
• 公開（公告）日: 2023-07-14
• 發明（設計）人: 王偉;楊金銘;李平;蔣將;彭波華;胡念楚;賈斌
• 申請（專利權）人: 開元通信技術（廈門）有限公司
• 主分類號: H03H9/17
• 分類號: H03H9/17;H03H3/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

本公開提供了一種固態裝配型諧振器及其制備方法，該固態裝配型諧振器包括：壓電結構，壓電結構包括：上電極層、下電極層和壓電層，下電極層對應于壓電結構的下方設置，下電極層包括：凸部，凸部對應于下電極層的下表面、向下凸出設置；壓電層設置于下電極層的上表面上；上電極層設置于壓電層的上表面上。凸部對應于形成于下電極層的下表面上，使得與壓電層接觸的下電極層的上表面可以形成平坦化表面，因此，壓電層生長在平整的表面，更易于獲得生長紋理較好的高c軸取向的晶體結構，以改善了壓電層的壓電性能，提升了諧振器的性能(例如Q值的提高)。

技術領域

本公開涉及諧振器技術領域，尤其涉及一種固態裝配型諧振器及其制?備方法。

背景技術

固態裝配型諧振器(Solidly?Mounted?Resonator，簡稱SMR)是一種?包括布拉格反射器結構和壓電結構的裝置。在傳統的固態裝配型諧振器的?應用中，在布拉格反射器結構上形成壓電結構，布拉格反射器由高低聲阻?抗材料交替形成，壓電結構由上下電極層夾壓電材料組成，壓電材料生長?在下電極上表面上形成壓電層。因此，目前技術通常先刻蝕出下電極圖形?再沉積壓電層，使得壓電層會生長在不平整下電極的表面上，其晶格結構和晶格取向在不平整的地方的會變差，影響其壓電效應，從而影響器件的?性能。

發明內容

(一)要解決的技術問題

為解決現有技術中先刻蝕下電極圖形再沉積壓電層，使得壓電層會生?長在不平整下電極的表面上，影響器件性能，本公開提供了一種固態裝配?型諧振器及其制備方法。

(二)技術方案

本公開的一個方面提供了一種固態裝配型諧振器，包括：壓電結構，?壓電結構包括：下電極層和壓電層、上電極層，下電極層對應于壓電結構?的下方設置，下電極層包括：凸部，凸部對應于下電極層的下表面、向下?凸出設置；壓電層設置于下電極層的上表面上；上電極層設置于壓電層的?上表面上。

根據本公開的實施例，凸部包括：第一凸部和第二凸部，第一凸部對?應下電極層的下表面的邊沿、向下凸出設置；第二凸部對應下電極層的下?表面的中部、向下凸出設置。

根據本公開的實施例，第一凸部為一環形封閉結構；其中，第一凸部?的內邊緣與第二凸部的外邊緣之間的間距為第一距離a；第一凸部相對下?電極層的下表面的凸出距離為第二距離b；第二凸部相對下電極層的下表?面的凸出距離為第三距離c；其中，b＞c。

根據本公開的實施例，下電極層的上表面為平坦化表面；上電極層、?下電極層的材料為鉬Mo、鈦Ti、鎢W、金Au、鋁Al、鉑Pt中的一種或?多種的組合；壓電層的材料為氮化鋁AlN、氧化鋅ZnO或者鋯鈦酸鉛PZT。

根據本公開的實施例，固態裝配型諧振器包括：襯底層和疊層結構，?襯底層設置于壓電結構下，疊層結構設置于壓電結構和襯底層之間，疊層?結構自下而上依次包括：第一低聲阻抗層、第一高聲阻抗層、第二低聲阻?抗層、第二高聲阻抗層、第三低聲阻抗層，其中，第三低聲阻抗層設置于?壓電結構的壓電層下方。

根據本公開的實施例，第三低聲阻抗層包括：下電極槽，下電極槽相?對第三低聲阻抗層的上表面向下凹陷設置，下電極槽包括：第一凹槽和第?二凹槽，第一凹槽對應于下電極槽的底表面的邊沿、向下凹陷設置；以及?第二凹槽對應于下電極槽的底表面的中部、向下凹陷設置。

根據本公開的實施例，第一凹槽為一封閉環形槽；其中，第一凹槽的?內邊緣與第二凹槽的外邊緣之間的間距為第一距離a；第一凹槽相對下電?極槽的底表面的下凹距離為第二距離b；第二凹槽相對下電極槽的底表面?的下凹距離為第三距離c；其中，b＞c。

根據本公開的實施例，襯底層的材料為硅、玻璃、藍寶石、陶瓷中的?一種或多種材料的組合；第一低聲阻抗層、第二低聲阻抗層以及第三低聲?阻抗層的材料為硅氧烷或二氧化硅；以及第一高聲阻抗層、第二高聲阻抗?層的材料為鎢或鉬。