[發明專利]固態裝配型諧振器及其制備方法

有效

• 申請號: 202010191951.7
• 申請日: 2020-03-18
• 公開（公告）號: CN111294011B
• 公開（公告）日: 2023-07-14
• 發明（設計）人: 王偉;楊金銘;李平;蔣將;彭波華;胡念楚;賈斌
• 申請（專利權）人: 開元通信技術（廈門）有限公司
• 主分類號: H03H9/17
• 分類號: H03H9/17;H03H3/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種固態裝配型諧振器，其特征在于，包括：壓電結構，

所述壓電結構包括：

下電極層，對應于所述壓電結構的下方設置，所述下電極層包括：

凸部，對應于所述下電極層的下表面、向下凸出設置；

壓電層，設置于所述下電極層的上表面上；

上電極層，設置于所述壓電層的上表面上；

其中，所述凸部包括：

第一凸部，對應所述下電極層的下表面的邊沿、向下凸出設置；

第二凸部，對應所述下電極層的下表面的中部、向下凸出設置；

其中，所述第一凸部為一環形封閉結構；所述第一凸部的內邊緣與所述第二凸部的外邊緣之間的間距為第一距離a；所述第一凸部相對所述下電極層的下表面的凸出距離為第二距離b；所述第二凸部相對所述下電極層的下表面的凸出距離為第三距離c；其中，b＞c。

2.根據權利要求1所述的固態裝配型諧振器，其特征在于，

所述下電極層的上表面為平坦化表面；

所述上電極層、下電極層的材料為鉬Mo、鈦Ti、鎢W、金Au、鋁Al、鉑Pt中的一種或多種的組合；

所述壓電層的材料為氮化鋁AlN、氧化鋅ZnO或者鋯鈦酸鉛PZT。

3.根據權利要求1所述的固態裝配型諧振器，其特征在于，還包括：

襯底層，設置于所述壓電結構下，以及

疊層結構，設置于所述壓電結構和所述襯底層之間，所述疊層結構自下而上依次包括：第一低聲阻抗層、第一高聲阻抗層、第二低聲阻抗層、第二高聲阻抗層、第三低聲阻抗層，其中，所述第三低聲阻抗層設置于所述壓電結構的壓電層下方。

4.根據權利要求3所述的固態裝配型諧振器，其特征在于，所述第三低聲阻抗層包括：

下電極槽，相對所述第三低聲阻抗層的上表面向下凹陷設置，所述下電極槽包括：

第一凹槽，對應于所述下電極槽的底表面的邊沿、向下凹陷設置；以及

第二凹槽，對應于所述下電極槽的底表面的中部、向下凹陷設置；

其中，所述第一凹槽為一封閉環形槽；其中，所述第一凹槽的內邊緣與所述第二凹槽的外邊緣之間的間距為第一距離a；所述第一凹槽相對所述下電極槽的底表面的下凹距離為第二距離b；所述第二凹槽相對所述下電極槽的底表面的下凹距離為第三距離c；其中，b＞c。

5.根據權利要求3所述的固態裝配型諧振器，其特征在于，

襯底層的材料為硅、玻璃、藍寶石、陶瓷中的一種或多種材料的組合；

第一低聲阻抗層、第二低聲阻抗層以及第三低聲阻抗層的材料為硅氧烷或二氧化硅；以及

第一高聲阻抗層、第二高聲阻抗層的材料為鎢或鉬。

6.一種制備權利要求1-5中任一項所述的固態裝配型諧振器的制備方法，其特征在于，包括：

形成疊層結構，

在所述疊層結構上形成壓電結構的下電極層；

其中，所述下電極層包括：凸部，對應于所述下電極層的下表面、向下凸出設置；

其中，所述凸部包括：

第一凸部，對應所述下電極層的下表面的邊沿、向下凸出設置；

第二凸部，對應所述下電極層的下表面的中部、向下凸出設置；

其中，所述第一凸部為一環形封閉結構；所述第一凸部的內邊緣與所述第二凸部的外邊緣之間的間距為第一距離a；所述第一凸部相對所述下電極層的下表面的凸出距離為第二距離b；所述第二凸部相對所述下電極層的下表面的凸出距離為第三距離c；其中，b＞c。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，

所述形成疊層結構包括：

在襯底層上自下而上依次形成第一低聲阻抗層、第一高聲阻抗層、第二低聲阻抗層、第二高聲阻抗層和第三低聲阻抗層；

在所述第三低聲阻抗層的上表面上形成向下凹陷的下電極槽；

其中，對應于所述下電極槽的底表面的邊沿形成向下凹陷的第一凹槽；對應于所述下電極槽的底表面的中部形成向下凹陷的第二凹槽。