[發明專利]采用多基島引線框架的芯片封裝結構

在審

• 申請號: 202010189762.6
• 申請日: 2020-03-18
• 公開（公告）號: CN111180437A
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 李陽德;周占榮;徐鵬
• 申請（專利權）人: 上海晶豐明源半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L25/07;H01L23/495
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

本發明公開了一種采用多基島引線框架的芯片封裝結構，通過將一顆雙N襯底二極管和兩顆N襯底二極管分別放在三個不同基島上，組成二極管整流橋堆；相比傳統的四顆獨立二極管整流橋堆，該方案實現更簡單、操作更容易、成本更低。

技術領域

本發明涉及半導體封裝技術領域，尤其涉及一種采用多基島引線框架的芯片封裝結構。

背景技術

隨著集成電路IC設計、制造行業得到飛速發展，封裝技術也得到了大幅提升。封裝是整個集成電路制造過程中重要一環，它具有散熱和保護功能。封裝工藝能夠將芯片密封，隔絕外界污染及外力對芯片的破壞。

隨著技術的進步，在一個封裝體中封裝單顆芯片已經不能滿足需求。在一個封裝體中封裝多顆芯片，成為了技術發展的方向。芯片面積越來越小，功率越來越大，使用環境越來越極限，散熱要求越來越高，市場競爭日益激烈，成本競爭尤為突出。

目前驅動電路中輸入整流橋、續流二極管和驅動IC分開，屬于不同封裝元器件，工廠實際生產中需多次上板，導致元器件成本較高、電路板體積較大。

請一并參閱圖1A-圖1B，其中，圖1A為現有的輸入整流橋的電路結構示意圖，圖1B為二極管封裝形式示意圖。

如圖1A所示，現有的輸入整流橋通常使用四顆獨立二極管(D1～D4)組成，以對輸入的交流電AC進行整流，輸出直流電DC。

如圖1B所示，對于N襯底二極管11，其封裝時，底部與引線框架的基島電連接的為陰極，頂部為陽極(即N襯底)、可以通過金屬引線與其它組件電連接，如圖1B中a部分所示；對于P襯底二極管12，其封裝時，底部與引線框架的基島電連接的為陽極，頂部為陰極(即P襯底)、可以通過金屬引線與其它組件電連接，如圖1B中b部分所示。

對四顆獨立二極管進行封裝時，需要多個獨立基島、多次點膠和上芯，方案繁瑣、生產產能(UPH)較低、成本較高。

發明內容

本發明的目的在于，針對現有技術中存在的技術問題，提供一種采用多基島引線框架的芯片封裝結構，可以為工廠生產中減少元器件，實現物料成本下降、封裝結構的電路板體積更小等優點。

為實現上述目的，本發明提供了一種采用多基島引線框架的芯片封裝結構，包括：多基島引線框架，包括多個第一類引腳以及相互之間電氣隔離的第二基島、第三基島與第四基島；所述第一類引腳至少包括第一交流電輸入引腳、第二交流電輸入引腳、總線引腳以及接地引腳；一顆雙N襯底二極管，設置于所述第二基島上，所述雙N襯底二極管包括第一陽極、第二陽極以及共用的陰極，其陰極與所述第二基島電連接、并通過所述第二基島與所述總線引腳電連接，其第一陽極通過金屬引線與所述第一交流電輸入引腳電連接，其第二陽極通過金屬引線與所述第二交流電輸入引腳電連接；一第一N襯底二極管，設置于所述第三基島上，其陰極與所述第三基島電連接、并通過所述第三基島與所述第一交流電輸入引腳電連接，其陽極通過金屬引線與所述接地引腳電連接；一第二N襯底二極管，設置于所述第四基島上，其陰極與所述第四基島電連接、并通過所述第四基島與所述第二交流電輸入引腳電連接，其陽極通過金屬引線與所述接地引腳電連接。

本發明的優點在于：本發明通過將一顆雙N襯底二極管和兩顆N襯底二極管分別放在三個不同基島上，組成二極管整流橋堆，相比傳統的四顆獨立二極管整流橋堆，該方案實現更簡單、操作更容易、成本更低。通過進一步將二極管整流橋堆與驅動IC、續流二極管、MOS管等中的一個或多個合封在一個封裝結構內部，提高了芯片集成度、降低了整個電路的成本；封裝結構內部各基島之間電氣隔離，引腳與引腳之間間距足夠大，可以有效防止高壓擊穿，進而滿足封裝或可靠性的要求。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其它的附圖。